[實用新型]凹面陣列的石墨烯-金屬異質結光電探測器

有效

• 申請號: 201920946522.9
• 申請日: 2019-06-21
• 公開（公告）號: CN210272383U
• 公開（公告）日: 2020-04-07
• 發明（設計）人: 李全福;張祺;朱小虎;彭慧玲;劉衛華;宋輝;李廷會;劉林生;汪海船;黃瑞
• 申請（專利權）人: 廣西師范大學
• 主分類號: H01L31/0236
• 分類號: H01L31/0236;H01L31/11
• 代理公司: 北京中濟緯天專利代理有限公司 11429
• 代理人: 石燕妮

1.凹面陣列的石墨烯-金屬異質結光電探測器，其特征在于：包括襯底(1)；所述襯底(1)上由下至上依次設置有絕緣層(2)、生長層(3)、石墨烯層(4)；

所述襯底(1)上設置有一個或者陣列分布的向下凹陷的凹槽(11)；所述絕緣層(2)上設置有向下凸起，且與凹槽(11)匹配的第一凸面(21)；所述凹槽(11)與第一凸面(21)一一對應；

所述生長層(3)上設置有向下凸起，且與第一凸面(21)的內凹槽匹配的第二凸面(31)；所述第一凸面(21)的內凹槽與第二凸面(31)一一對應；

所述石墨烯層(4)上設置有向下凸起，且與第二凸面(31)的內凹槽匹配的第三凸面(41)；所述第二凸面(31)的內凹槽與第三凸面(41)一一對應；

所述石墨烯層(4)的第三凸面(41)的內凹槽內壁上設置有增透層(5)；所述石墨烯層(4)上第三凸面(41)內凹槽的兩側分別設置有波浪形叉指的高功函電極(6)和低功函電極(7)。

2.根據權利要求1所述的凹面陣列的石墨烯-金屬異質結光電探測器，其特征在于：所述襯底(1)上設置有3X3陣列分布的向下凹陷的凹槽(11)。

3.根據權利要求1所述的凹面陣列的石墨烯-金屬異質結光電探測器，其特征在于：所述絕緣層(2)采用二氧化硅薄膜。

4.根據權利要求1所述的凹面陣列的石墨烯-金屬異質結光電探測器，其特征在于：所述凹槽(11)為半球形凹槽。

5.根據權利要求1所述的凹面陣列的石墨烯-金屬異質結光電探測器，其特征在于：所述生長層采用先沉積Cu或Au或Ag或Mo或Gr，厚度為30至70納米，再沉積Ni，厚度為30至70納米的生長層；或者所述生長層位直接沉積的一層30至70納米的三氧化二鋁。

6.根據權利要求5所述的凹面陣列的石墨烯-金屬異質結光電探測器，其特征在于：所述石墨烯層(4)采用CVD法在生長層(3)上直接生長的石墨烯薄膜；且石墨烯薄膜的層數為1～10層。

7.根據權利要求6所述的凹面陣列的石墨烯-金屬異質結光電探測器，其特征在于：所述增透層(5)采用厚度為30～100納米的二氧化硅薄膜。

8.根據權利要求7所述的凹面陣列的石墨烯-金屬異質結光電探測器，其特征在于：所述低功函電極(7)采用鈦(Ti)、鉑(Pt)、錳(Mn)、鋰(Li)、或鋁(Al)；厚度為50～100納米。

9.根據權利要求8所述的凹面陣列的石墨烯-金屬異質結光電探測器，其特征在于：所述高功函電極(6)采用金(Au)、銀(Ag)、鎳(Ni)或鈀(Pd)，厚度為50～100納米。