[實用新型]一種垂直結(jié)構(gòu)的金黃光LED芯片及其護眼燈

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201920922301.8
• 申請日: 2019-06-19
• 公開（公告）號: CN210073904U
• 公開（公告）日: 2020-02-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張伯文
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢瑞宸騰飛投資有限公司
• 主分類號: H01L33/08
• 分類號: H01L33/08;H01L33/36;H01L33/30;F21V3/06;F21Y115/10
• 代理公司: 42255 武漢瀛卓知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙)
• 代理人: 朱詩恩

本實用新型提供了一種一種垂直結(jié)構(gòu)的金黃光LED芯片，包括襯底、發(fā)光層、電極層，所述襯底上設(shè)置有p型半導(dǎo)體材料層；所述發(fā)光層上設(shè)置有型半導(dǎo)體材料層，所述發(fā)光層包括并排相連地設(shè)置在所述P型半導(dǎo)體材料層上的紅光發(fā)光層、黃光發(fā)光層。紅光發(fā)光層射出的紅光與黃光發(fā)光層射出的黃光混合后為金黃光，無藍光射出，從而有利于保護人眼免受藍光危害，同時該芯片結(jié)構(gòu)簡單、節(jié)能、成本低。此外，本實用新型還提供了一種LED護眼燈，燈罩由天然水晶巖礦石制成，天然水晶巖礦石發(fā)熱之后，將周圍空氣中的水分子吸收到表面，然后蒸發(fā)，再吸水，再蒸發(fā)，交替往復(fù)進行，不斷產(chǎn)生負(fù)離子；同時天然水晶巖礦石呈現(xiàn)霧狀，所產(chǎn)生的光柔和無眩光。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及LED技術(shù)領(lǐng)域，具體地涉及一種垂直結(jié)構(gòu)的金黃光LED芯片及采用該芯片的護眼燈。

背景技術(shù)

近年來，LED技術(shù)發(fā)展迅速，LED照明產(chǎn)品以其節(jié)能、環(huán)保、耐用的特點，正逐漸取代常規(guī)照明光源。目前大部分的LED照明光源是由藍光LED芯片激發(fā)黃色熒光粉后產(chǎn)生的白光，其光譜曲線不平滑，特別是藍光波段的峰值明顯高于自然光或者白熾燈。

世界衛(wèi)生組織WHO愛眼協(xié)會公布：2006年至2008年因藍光輻射每年導(dǎo)致全球超過30000人失明。據(jù)中華醫(yī)學(xué)會眼科學(xué)分會數(shù)據(jù)顯示：在中國4.2億網(wǎng)民中，63.5％的網(wǎng)民因藍光輻射而產(chǎn)生了視力下降、白內(nèi)障、失明等不同程度的眼疾。現(xiàn)有研究表明，一天中長時間暴露在高強度藍光光線中，將加重視網(wǎng)膜黃斑區(qū)疾病、導(dǎo)致白內(nèi)障術(shù)后的眼底損傷、引發(fā)視覺模糊和眩光，并抑制褪黑素的分泌以及打擾睡眠，而且還會提高人體自身重大疾病的發(fā)生率。

為避免藍光對人類的危害，現(xiàn)有技術(shù)中已采取一些方案對藍光加以吸收或阻礙藍光的出射。如申請?zhí)枮?01110193268.8，名稱為“減少LED藍光危害的鍍膜濾光片”的專利，在基體的一側(cè)表面或兩側(cè)表面鍍稀土氧化物材料制成的吸光材料，并將該鍍膜基體置于光源的出光光路上，達到對光源中藍光的吸收，從而減少藍光對人類的危害；申請?zhí)枮?01120329140.5，名稱為“一種防藍光LED燈”的專利，通過設(shè)置熒光粉層，實現(xiàn)了對光源出射藍光的散射；申請?zhí)枮?01320123960.8，名稱為“一種LED護眼光源及護眼燈”的專利，使用綠光芯片、紅光芯片與藍綠芯片，實現(xiàn)了降低了高能藍光的目的。

上述方法中均為對光源出射光速中藍光成分的吸收過濾或者加長藍光波長，從而減少高能藍光對人類的危害。然而上述方法只能降低高能藍光比例不能從根本上杜絕藍光。

此外，現(xiàn)有技術(shù)中也有采用無藍光的LED芯片，如申請?zhí)枮?01810869092.5，名稱為“一種無藍光低色溫雙波段LED光源”的專利，采用黃光芯片與紅光芯片組合，但是采用雙芯片容易出現(xiàn)混光不均勻的現(xiàn)象，具有一定的局限性。

實用新型內(nèi)容

本實用新型旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。為此，本實用新型提出一種垂直結(jié)構(gòu)的金黃光LED芯片，包括：

襯底，所述襯底上設(shè)置有p型半導(dǎo)體材料層；

發(fā)光層，所述發(fā)光層上設(shè)置有n型半導(dǎo)體材料層，所述發(fā)光層包括并排相連地設(shè)置在所述P型半導(dǎo)體材料層上的紅光發(fā)光層、黃光發(fā)光層；

電極層，所述電極層包括設(shè)置在所述襯底底部的第一電極層、設(shè)置在所述n型半導(dǎo)體材料層上的第二電極層，所述第一電極層上設(shè)置有第一電極，所述第二電極層上設(shè)置有第二電極。

進一步地，所述襯底的材料為GaAs。

進一步地，所述紅光發(fā)光層由峰值波長為600～670nm的(AlxIn1-x)0.5Ga0.5P材料制成，其中，x的摩爾分?jǐn)?shù)為0.1～0.3；所述黃光發(fā)光層由峰值波長為550～590nm的(AlyIn1-y)0.5Ga0.5P材料制成，其中，y的摩爾分?jǐn)?shù)為0.3～0.5。

進一步地，所述p型半導(dǎo)體材料層為p型AlInGaP層，所述n型半導(dǎo)體材料層為n型AlInGaP層。