[實(shí)用新型]一種垂直結(jié)構(gòu)的金黃光LED芯片及其護(hù)眼燈有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201920922301.8 | 申請(qǐng)日： | 2019-06-19 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN210073904U | 公開（公告）日： | 2020-02-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張伯文 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 武漢瑞宸騰飛投資有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/08 | 分類號(hào)： | H01L33/08;H01L33/36;H01L33/30;F21V3/06;F21Y115/10 |
| 代理公司： | 42255 武漢瀛卓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) | 代理人： | 朱詩(shī)恩 |
| 地址： | 430074 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)關(guān)山*** | 國(guó)省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 天然水晶 發(fā)光層 射出 礦石 本實(shí)用新型 紅光發(fā)光層 黃光發(fā)光層 襯底 蒸發(fā) 半導(dǎo)體材料層 水分子吸收 燈罩 垂直結(jié)構(gòu) 藍(lán)光危害 芯片結(jié)構(gòu) 周圍空氣 電極層 負(fù)離子 紅光 黃光 藍(lán)光 霧狀 吸水 眩光 發(fā)熱 柔和 節(jié)能 | ||
1.一種垂直結(jié)構(gòu)的金黃光LED芯片，其特征在于，包括：
襯底，所述襯底上設(shè)置有p型半導(dǎo)體材料層；
發(fā)光層，所述發(fā)光層上設(shè)置有n型半導(dǎo)體材料層，所述發(fā)光層包括并排相連地設(shè)置在所述P型半導(dǎo)體材料層上的紅光發(fā)光層、黃光發(fā)光層；
電極層，所述電極層包括設(shè)置在所述襯底底部的第一電極層、設(shè)置在所述n型半導(dǎo)體材料層上的第二電極層，所述第一電極層上設(shè)置有第一電極，所述第二電極層上設(shè)置有第二電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直結(jié)構(gòu)的金黃光LED芯片，其特征在于，所述襯底的材料為GaAs。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直結(jié)構(gòu)的金黃光LED芯片，其特征在于，所述紅光發(fā)光層由峰值波長(zhǎng)為600～670nm的(AlxIn1-x)0.5Ga0.5P材料制成，其中，x的摩爾分?jǐn)?shù)為0.1～0.3；所述黃光發(fā)光層由峰值波長(zhǎng)為550～590nm的(AlyIn1-y)0.5Ga0.5P材料制成，其中，y的摩爾分?jǐn)?shù)為0.3～0.5。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直結(jié)構(gòu)的金黃光LED芯片，其特征在于，所述p型半導(dǎo)體材料層為p型AlInGaP層，所述n型半導(dǎo)體材料層為n型AlInGaP層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直結(jié)構(gòu)的金黃光LED芯片，其特征在于，所述紅光發(fā)光層與所述黃光發(fā)光層相接觸處且靠近所述n型半導(dǎo)體材料層設(shè)置有凹槽。
6.一種LED護(hù)眼燈，其特征在于，包括燈座，所述燈座上設(shè)置有燈罩，所述燈罩內(nèi)設(shè)置有權(quán)利要求1至5任一所述的垂直結(jié)構(gòu)的金黃光LED芯片。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的LED護(hù)眼燈，其特征在于，所述燈罩由天然水晶巖礦石制成。
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