[實用新型]一種交接裝置、半導(dǎo)體設(shè)備以及半導(dǎo)體生產(chǎn)線

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201920917080.5
• 申請日: 2019-06-18
• 公開（公告）號: CN209804622U
• 公開（公告）日: 2019-12-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉凱;董洪波;王剛
• 申請（專利權(quán)）人: 上海微電子裝備(集團)股份有限公司
• 主分類號: H01L21/677
• 分類號: H01L21/677;H01L21/268;H01L21/324
• 代理公司: 11332 北京品源專利代理有限公司
• 代理人: 胡彬

本實用新型涉及集成電路裝備制造技術(shù)造領(lǐng)域，尤其涉及一種交接裝置、半導(dǎo)體設(shè)備以及半導(dǎo)體生產(chǎn)線。本實用新型提供的交接裝置包括本體以及片叉，本體能帶動片叉運動，且片叉能相對本體轉(zhuǎn)動。如果待處理面朝下放置，通過片叉的轉(zhuǎn)動，也能夠?qū)⒋幚砻娉戏胖糜诖胖霉の弧１緦嵱眯滦椭械陌雽?dǎo)體設(shè)備和半導(dǎo)體生產(chǎn)線無需額外設(shè)置翻轉(zhuǎn)裝置，使得半導(dǎo)體設(shè)備或者半導(dǎo)體生產(chǎn)線中的裝置較少，節(jié)省空間，且操作簡單。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及集成電路裝備制造技術(shù)造領(lǐng)域，尤其涉及一種交接裝置、半導(dǎo)體設(shè)備以及半導(dǎo)體生產(chǎn)線。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體器件通過激光退火工藝可以有效修復(fù)離子注入破壞的晶格結(jié)構(gòu)，激光退火相對于傳統(tǒng)退火具有激活率高、對器件損傷小等優(yōu)點。一種常用的半導(dǎo)體器件為絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)模塊，IGBT模塊的前道硅片需要進行激光退火，硅片的正面含金屬層，硅片的背面作離子注入或其它摻雜操作等，硅片的背面需要退火，因此，提供給半導(dǎo)體生產(chǎn)線的硅片需要背面朝上放置。

為了實現(xiàn)硅片在不同工位間的傳輸，通常設(shè)置交接裝置。交接裝置將位于片盒中的硅片傳輸?shù)酵嘶鸸の惶庍M行退火工藝，現(xiàn)有交接裝置的片叉只能吸附片盒中硅片朝上的一面，交接裝置再將吸附的硅片放置到退火工位，退火工位對硅片朝上的一面進行退火工藝。如果片盒提供的硅片的正面朝上，僅利用交接裝置，只能實現(xiàn)將硅片以其正面朝上的狀態(tài)放置到退火工位上，無法實現(xiàn)對硅片背面的退火。如果想要實現(xiàn)硅片背面的退火，需要增加單獨的翻轉(zhuǎn)裝置，交接裝置從片盒中取拿正面朝上的硅片后，將正面朝上的硅片傳輸?shù)椒D(zhuǎn)裝置處，翻轉(zhuǎn)裝置對硅片進行翻轉(zhuǎn)，使硅片的背面朝上，交接裝置再將背面朝上的硅片傳輸?shù)酵嘶鸸の唬瑢?dǎo)致半導(dǎo)體生產(chǎn)線中設(shè)備較多，占地較大，且操作復(fù)雜。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的第一個目的是提出一種交接裝置，無需額外單獨設(shè)置翻轉(zhuǎn)裝置便能實現(xiàn)硅片的傳輸和翻轉(zhuǎn)，操作簡單，生產(chǎn)線上設(shè)備少，占地小。

本實用新型的第二個目的是提出一種半導(dǎo)體設(shè)備，無需額外單獨設(shè)置翻轉(zhuǎn)裝置便能實現(xiàn)硅片的傳輸和翻轉(zhuǎn)，操作簡單，生產(chǎn)線上設(shè)備少，占地小。

本實用新型的第三個目的是提出一種半導(dǎo)體生產(chǎn)線，無需額外單獨設(shè)置翻轉(zhuǎn)裝置便能實現(xiàn)硅片的傳輸和翻轉(zhuǎn)，操作簡單，生產(chǎn)線上設(shè)備少，占地小。

為達此目的，本實用新型采用以下技術(shù)方案：

一種交接裝置，包括本體以及片叉，所述本體能帶動所述片叉運動，所述片叉被配置為吸附工件，所述片叉能相對所述本體轉(zhuǎn)動。

可選地，所述片叉的轉(zhuǎn)軸與待放置工位的上表面平行。

可選地，所述片叉上設(shè)置有吸附組件，所述吸附組件被配置為吸附所述工件，所述吸附組件的吸附面與所述工件的表面相貼合。

一種半導(dǎo)體設(shè)備，包括如上所述交接裝置。

可選地，所述工件包括沿豎直方向設(shè)置的鍵合層和硅片層，至少部分所述硅片層從所述鍵合層的一側(cè)伸出，所述半導(dǎo)體設(shè)備還包括：

旋轉(zhuǎn)臺，被配置為放置所述工件；以及

檢測裝置，設(shè)置于所述旋轉(zhuǎn)臺的上方，且被配置為采集所述硅片層的邊緣信息。

一種半導(dǎo)體生產(chǎn)線，包括如上所述的半導(dǎo)體設(shè)備。

一種交接方法，應(yīng)用于如上所述的交接裝置，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1：所述片叉旋轉(zhuǎn)至所述工件的待處理面的一側(cè)，并吸附所述待處理面；

步驟2：所述本體帶動所述片叉運動，使所述待處理面朝上放置于待放置工位。

可選地，所述待放置工位為工件臺、預(yù)對準臺或片盒。