[實用新型]一種晶圓后處理系統

有效

• 申請號: 201920898244.4
• 申請日: 2019-06-14
• 公開（公告）號: CN210325702U
• 公開（公告）日: 2020-04-14
• 發明（設計）人: 趙德文;李長坤;路新春
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 張建綱

本實用新型涉及化學機械拋光后處理技術領域，公開了一種晶圓后處理系統，包括：清洗槽，用于容納清洗晶圓的清洗液；晶圓提升裝置，用于從清洗液中提升浸沒于清洗液的晶圓；晶圓提升裝置包括：第一移動機構，用于固定晶圓的位于清洗液中的下側位置進行提升；第二移動機構，用于在第一移動機構將晶圓提升至預設位置時，固定晶圓的位于清洗液液面以上的已經被清洗干燥的上側位置繼續提升直至晶圓脫離清洗液。

技術領域

本實用新型涉及化學機械拋光后處理技術領域，尤其涉及一種晶圓后處理系統。

背景技術

化學機械拋光(Chemical Mechanical Planarization,CMP)是集成電路(IC) 制造中獲得全局平坦化的一種超精密表面加工工藝。隨著集成電路制造技術的發展，對晶圓表面缺陷的控制越來越嚴格。在晶圓制造過程中，晶圓表面會吸附顆粒或有機物等污染物而產生大量缺陷，需要后處理工藝去除這些缺陷。

特別是在化學機械拋光中大量使用的化學試劑和研磨劑會造成晶圓表面的污染，所以在拋光之后需要引入后處理工藝以去除晶圓表面的污染物，后處理工藝一般由清洗和干燥組成，以提供光滑潔凈的晶圓表面。拋光后清洗的目的是去除晶圓表面顆粒和各種化學物質，并在清洗過程中避免對表面和內部結構的腐蝕和破壞，目前常見的濕法清洗是在溶液環境下清洗晶圓，比如清洗劑浸泡、機械擦洗、濕法化學清洗等。晶圓經過清洗后，需要對晶圓表面進行干燥處理，以除去殘留液體。

在晶圓的后處理過程中，為了固定晶圓一般采用夾具對晶圓進行夾持固定，但是在晶圓與夾具的接觸位置會由于無法清洗或干燥而產生缺陷，最終影響晶圓整體的處理效果。

實用新型內容

本實用新型實施例提供了一種晶圓后處理系統，旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一。

本實用新型實施例提供了一種晶圓后處理系統，包括：

清洗槽，用于容納清洗晶圓的清洗液；

晶圓提升裝置，用于從清洗液中提升浸沒于清洗液的晶圓；

晶圓提升裝置包括：

第一移動機構，用于固定晶圓的位于清洗液中的下側位置進行提升；

第二移動機構，用于在第一移動機構將晶圓提升至預設位置時，固定晶圓的位于清洗液液面以上的已經被清洗干燥的上側位置繼續提升直至晶圓脫離清洗液。

在一個實施例中，晶圓后處理系統還包括與晶圓提升裝置連接的控制器；

在第二移動機構與晶圓固定之后，控制器控制第一移動機構松開晶圓。

在一個實施例中，第一移動機構設有用于檢測晶圓是否在位的在位檢測模塊。

在一個實施例中，第一移動機構包括一容納晶圓下側的凹槽以及與凹槽連接的第一驅動件。

在一個實施例中，第二移動機構設有用于檢測是否夾緊晶圓的夾緊檢測模塊。

在一個實施例中，第二移動機構包括第一夾持件、第二夾持件和第二驅動件，第二驅動件分別與第一夾持件和第二夾持件連接以同步驅動第一夾持件和第二夾持件相向或背向運動，第一夾持件和第二夾持件相對設置以用于夾持晶圓

在一個實施例中，晶圓后處理系統還包括：

氣體噴射裝置，用于在晶圓從清洗液中提升的過程中，向晶圓表面噴射干燥氣體，以干燥晶圓。

在一個實施例中，氣體噴射裝置包括：

第一噴射機構，用于向晶圓的第一表面噴射干燥氣體；

第二噴射機構，用于向晶圓的第二表面噴射干燥氣體；

其中，第一表面和第二表面分別為晶圓的兩個相對面。