[實用新型]一種晶圓后處理系統有效
| 申請號: | 201920898244.4 | 申請日: | 2019-06-14 |
| 公開(公告)號: | CN210325702U | 公開(公告)日: | 2020-04-14 |
| 發明(設計)人: | 趙德文;李長坤;路新春 | 申請(專利權)人: | 清華大學 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250 | 代理人: | 張建綱 |
| 地址: | 100084*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 晶圓后 處理 系統 | ||
1.一種晶圓后處理系統,包括:
清洗槽,用于容納清洗晶圓的清洗液;
晶圓提升裝置,用于從所述清洗液中提升浸沒于所述清洗液的晶圓;
所述晶圓提升裝置包括:
第一移動機構,用于固定所述晶圓的位于所述清洗液中的下側位置進行提升;
第二移動機構,用于在所述第一移動機構將所述晶圓提升至預設位置時,固定所述晶圓的位于所述清洗液液面以上的已經被清洗干燥的上側位置繼續提升直至所述晶圓脫離所述清洗液。
2.如權利要求1所述的晶圓后處理系統,其特征在于,還包括與所述晶圓提升裝置連接的控制器;
在所述第二移動機構與所述晶圓固定之后,所述控制器控制所述第一移動機構松開所述晶圓。
3.如權利要求1所述的晶圓后處理系統,其特征在于,所述第一移動機構設有用于檢測晶圓是否在位的在位檢測模塊。
4.如權利要求1所述的晶圓后處理系統,其特征在于,所述第一移動機構包括一容納晶圓下側的凹槽以及與所述凹槽連接的第一驅動件。
5.如權利要求1所述的晶圓后處理系統,其特征在于,所述第二移動機構設有用于檢測是否夾緊晶圓的夾緊檢測模塊。
6.如權利要求1所述的晶圓后處理系統,其特征在于,所述第二移動機構包括第一夾持件、第二夾持件和第二驅動件,所述第二驅動件分別與所述第一夾持件和所述第二夾持件連接以同步驅動所述第一夾持件和所述第二夾持件相向或背向運動,所述第一夾持件和所述第二夾持件相對設置以用于夾持所述晶圓。
7.如權利要求1所述的晶圓后處理系統,其特征在于,還包括:
氣體噴射裝置,用于在所述晶圓從所述清洗液中提升的過程中,向所述晶圓表面噴射干燥氣體,以干燥所述晶圓。
8.如權利要求7所述的晶圓后處理系統,其特征在于,所述氣體噴射裝置包括:
第一噴射機構,用于向所述晶圓的第一表面噴射所述干燥氣體;
第二噴射機構,用于向所述晶圓的第二表面噴射所述干燥氣體;
其中,所述第一表面和所述第二表面分別為所述晶圓的兩個相對面。
9.如權利要求8所述的晶圓后處理系統,其特征在于,所述第一噴射機構和所述第二噴射機構均包括依次連接的氣體噴射組件、旋轉驅動模塊和控制模塊;
所述控制模塊通過所述旋轉驅動模塊控制所述氣體噴射組件旋轉以將其噴射的所述干燥氣體對準所述清洗液液面。
10.如權利要求9所述的晶圓后處理系統,其特征在于,所述氣體噴射組件包括噴桿,所述噴桿上設置有噴氣孔。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





