[實(shí)用新型]一種晶圓后處理系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201920898244.4
• 申請(qǐng)日: 2019-06-14
• 公開（公告）號(hào): CN210325702U
• 公開（公告）日: 2020-04-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙德文;李長(zhǎng)坤;路新春
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 清華大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 北京三聚陽光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250
• 代理人: 張建綱

1.一種晶圓后處理系統(tǒng)，包括：

清洗槽，用于容納清洗晶圓的清洗液；

晶圓提升裝置，用于從所述清洗液中提升浸沒于所述清洗液的晶圓；

所述晶圓提升裝置包括：

第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)，用于固定所述晶圓的位于所述清洗液中的下側(cè)位置進(jìn)行提升；

第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)，用于在所述第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)將所述晶圓提升至預(yù)設(shè)位置時(shí)，固定所述晶圓的位于所述清洗液液面以上的已經(jīng)被清洗干燥的上側(cè)位置繼續(xù)提升直至所述晶圓脫離所述清洗液。

2.如權(quán)利要求1所述的晶圓后處理系統(tǒng)，其特征在于，還包括與所述晶圓提升裝置連接的控制器；

在所述第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)與所述晶圓固定之后，所述控制器控制所述第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)松開所述晶圓。

3.如權(quán)利要求1所述的晶圓后處理系統(tǒng)，其特征在于，所述第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)設(shè)有用于檢測(cè)晶圓是否在位的在位檢測(cè)模塊。

4.如權(quán)利要求1所述的晶圓后處理系統(tǒng)，其特征在于，所述第一移動(dòng)機(jī)構(gòu)包括一容納晶圓下側(cè)的凹槽以及與所述凹槽連接的第一驅(qū)動(dòng)件。

5.如權(quán)利要求1所述的晶圓后處理系統(tǒng)，其特征在于，所述第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)設(shè)有用于檢測(cè)是否夾緊晶圓的夾緊檢測(cè)模塊。

6.如權(quán)利要求1所述的晶圓后處理系統(tǒng)，其特征在于，所述第二移動(dòng)機(jī)構(gòu)包括第一夾持件、第二夾持件和第二驅(qū)動(dòng)件，所述第二驅(qū)動(dòng)件分別與所述第一夾持件和所述第二夾持件連接以同步驅(qū)動(dòng)所述第一夾持件和所述第二夾持件相向或背向運(yùn)動(dòng)，所述第一夾持件和所述第二夾持件相對(duì)設(shè)置以用于夾持所述晶圓。

7.如權(quán)利要求1所述的晶圓后處理系統(tǒng)，其特征在于，還包括：

氣體噴射裝置，用于在所述晶圓從所述清洗液中提升的過程中，向所述晶圓表面噴射干燥氣體，以干燥所述晶圓。

8.如權(quán)利要求7所述的晶圓后處理系統(tǒng)，其特征在于，所述氣體噴射裝置包括：

第一噴射機(jī)構(gòu)，用于向所述晶圓的第一表面噴射所述干燥氣體；

第二噴射機(jī)構(gòu)，用于向所述晶圓的第二表面噴射所述干燥氣體；

其中，所述第一表面和所述第二表面分別為所述晶圓的兩個(gè)相對(duì)面。

9.如權(quán)利要求8所述的晶圓后處理系統(tǒng)，其特征在于，所述第一噴射機(jī)構(gòu)和所述第二噴射機(jī)構(gòu)均包括依次連接的氣體噴射組件、旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)模塊和控制模塊；

所述控制模塊通過所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)模塊控制所述氣體噴射組件旋轉(zhuǎn)以將其噴射的所述干燥氣體對(duì)準(zhǔn)所述清洗液液面。

10.如權(quán)利要求9所述的晶圓后處理系統(tǒng)，其特征在于，所述氣體噴射組件包括噴桿，所述噴桿上設(shè)置有噴氣孔。