[實用新型]吸收保護電路

有效

• 申請號: 201920870265.5
• 申請日: 2019-06-11
• 公開（公告）號: CN210016399U
• 公開（公告）日: 2020-02-04
• 發明（設計）人: 魯克銀;單龍;江洋;韓黎
• 申請（專利權）人: 上海向晟電子科技有限公司
• 主分類號: H02M1/34
• 分類號: H02M1/34;H02M7/48
• 代理公司: 31334 上海段和段律師事務所
• 代理人: 龔子嵐;李佳俊

本實用新型提供一種吸收保護電路，包括：第一放電單元，所述第一放電單元與負載電連接；第一充電單元，所述第一充電單元與所述第一放電單元電連接；第二放電單元，所述第二放電單元與負載電連接；第二充電單元，所述第二充電單元與所述第二放電單元電連接；電容C3，所述電容C3分別與所述第一充電單元及所述第二充電單元電連接。與現有技術相比，本實用新型具有以下優點：1)在現有技術的電路基礎上，增加壓敏電阻及放電回路，而組成的功率器緩沖吸收電路，就能夠有效減小在大功率、高控制頻率條件下，功率器件開關狀態時的尖峰電壓，從而使得功率逆變電路向更大功率等級上發展。2)結構簡單，功率損耗小的吸收電路被廣泛利用在逆變電路中。

技術領域

本實用新型涉及電力電子技術領域，特別是一種吸收保護電路。

背景技術

隨著電力電子技術的發展，功率逆變電路逐漸向集成化、輕質化發展，為了克服目前所存在的弊端，通常采用提高控制開關頻率的控制策略。目前MOSFET吸收電路多采用RCD型緩沖吸收電路，此電路能夠吸收功率器件在開關時產生的尖峰電壓，但隨著逆變電路的功率進一步增大，控制開關頻率逐步增加時，逆變電路的寄生電感、電容等參數就不能忽略，常規RCD型緩沖吸收電路就不能夠有效的吸收功率器件在開關狀態時產生的較高的尖峰電壓。

現有技術，中國發明專利《一種逆變電路中功率MOS管的泄放保護電路》(申請號：201711419515.5)公開了一種逆變電路中功率MOS管的泄放保護電路，包括調壓比較電路、隔離泄放驅動電路、泄放電路和吸收電路；所述吸收電路當母線電壓發生波動時，穩定母線電壓；所述調壓比較電路當母線電壓超過設定閾值時，控制隔離泄放驅動電路開啟；隔離泄放驅動電路開啟后控制泄放電路開啟，消耗母線電能。本發明實現了對逆變電路中功率MOS管的保護，提高了逆變器電路的安全性能，而且電路搭建簡單可靠，節約了研發成本和研發時間。采用了調壓比較電路，實現了對電壓比較值的有效調節，能夠按照保護電壓調節比較閾值，提高了對逆變電路的可控性。采用了隔離泄放驅動電路，實現了強電信號和弱電信號的隔離，提高了整個電路的安全性、抗干擾能力和驅動能力。

但是，隨著控制開關頻率的提高，功率器件的熱損耗也隨之增大，從而使得逆變電路發熱嚴重，進而降低整體效率。現有技術工作在高頻狀態下，逆變電路中的寄生電感、分布電容等參數就不能忽略，在功率器件開關瞬間，由于寄生參數產生的尖峰電壓，會給逆變器電路中電子元件帶來很高的擊穿風險，從而使得電路設計時需選用更高耐壓值的功率器件，增加了電路設計成本。

實用新型內容

針對現有技術中的缺陷，本實用新型目的在于提供一種解決上述技術問題的吸收保護電路。

為解決上述技術問題，本實用新型提供一種吸收保護電路，包括：第一放電單元，所述第一放電單元與負載電連接；

第一充電單元，所述第一充電單元與所述第一放電單元電連接；

第二放電單元，所述第二放電單元與負載電連接；

第二充電單元，所述第二充電單元與所述第二放電單元電連接；

電容C3，所述電容C3分別與所述第一充電單元及所述第二充電單元電連接。

優選地，所述第一放電單元包括：

MOS管Q1，所述MOS管Q1的源極與負載電連接，所述MOS管Q1的漏極與電源VCC電連接；

電阻VR1，所述電阻VR1的一端分別與所述MOS管Q1的漏極及電源VCC電連接，所述電阻VR1的另一端與所述MOS管Q1的源極及負載電連接；

電容C1，所述電容C1的一端與所述MOS管Q1的漏極及電源VCC電連接；

二極管D1，所述二極管D1的正極與所述電容C1的另一端電連接，所述二極管D1的負極分別與所述MOS管Q1的源極及負載電連接。