[實用新型]吸收保護電路

有效

• 申請號: 201920870265.5
• 申請日: 2019-06-11
• 公開（公告）號: CN210016399U
• 公開（公告）日: 2020-02-04
• 發明（設計）人: 魯克銀;單龍;江洋;韓黎
• 申請（專利權）人: 上海向晟電子科技有限公司
• 主分類號: H02M1/34
• 分類號: H02M1/34;H02M7/48
• 代理公司: 31334 上海段和段律師事務所
• 代理人: 龔子嵐;李佳俊

1.一種吸收保護電路，其特征在于，包括：

第一放電單元，所述第一放電單元與負載電連接；

第一充電單元，所述第一充電單元與所述第一放電單元電連接；

第二放電單元，所述第二放電單元與負載電連接；

第二充電單元，所述第二充電單元與所述第二放電單元電連接；

電容C3，所述電容C3分別與所述第一充電單元及所述第二充電單元電連接。

2.根據權利要求1所述的吸收保護電路，其特征在于，所述第一放電單元包括：

MOS管Q1，所述MOS管Q1的源極與負載電連接，所述MOS管Q1的漏極與電源VCC電連接；

電阻VR1，所述電阻VR1的一端分別與所述MOS管Q1的漏極及電源VCC電連接，所述電阻VR1的另一端與所述MOS管Q1的源極及負載電連接；

電容C1，所述電容C1的一端與所述MOS管Q1的漏極及電源VCC電連接；

二極管D1，所述二極管D1的正極與所述電容C1的另一端電連接，所述二極管D1的負極分別與所述MOS管Q1的源極及負載電連接。

3.根據權利要求2所述的吸收保護電路，其特征在于，所述第一充電單元包括：

二極管D3，所述二極管D3的負極與所述電容C1的另一端電連接；

電阻R3，所述電阻R3的一端與所述二極管D3的正極電連接，所述電阻R3的另一端與所述電容C3的負極電連接。

4.根據權利要求2所述的吸收保護電路，其特征在于，所述電阻VR1為壓敏電阻。

5.根據權利要求2所述的吸收保護電路，其特征在于，所述MOS管Q1為NMOS管。

6.根據權利要求1所述的吸收保護電路，其特征在于，所述第二放電單元包括：

MOS管Q2，所述MOS管Q2的漏極與負載電連接，所述MOS管Q2的源極接地；

電阻VR2，所述電阻VR2的一端與所述MOS管Q2的源極電連接，所述電阻VR2的另一端與所述MOS管Q2的漏極及負載電連接；

電容C2，所述電容C2的一端與所述MOS管Q2的源極電連接；

二極管D2，所述二極管D2的負極與所述電容C2的另一端電連接，所述二極管D2的正極分別與所述MOS管Q2的漏極及負載電連接。

7.根據權利要求6所述的吸收保護電路，其特征在于，所述第二充電單元包括：

電阻R4，所述電阻R4的一端與所述電容C2的另一端電連接；

二極管D4，所述二極管D4的正極與所述電阻R4的另一端電連接，所述二極管D4的負極與所述電容C3的正極電連接。

8.根據權利要求6所述的吸收保護電路，其特征在于，所述電阻VR2為壓敏電阻。

9.根據權利要求6所述的吸收保護電路，其特征在于，所述MOS管Q2為NMOS管。