[實用新型]圖形化掩膜層、存儲器

有效

• 申請號: 201920860918.1
• 申請日: 2019-06-10
• 公開（公告）號: CN209785878U
• 公開（公告）日: 2019-12-13
• 發明（設計）人: 周震
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/8239
• 代理公司: 31294 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 孫佳胤;董琳

一種圖形化掩膜層及一種存儲器，所述圖形化掩膜層包括：若干陣列分布的子掩膜圖形；位于所述子掩膜圖形側壁表面的側墻。上述圖形化掩膜層的形成難度較低。

技術領域

本實用新型涉及半導體技術領域，尤其涉及一種圖形化掩膜層以及一種存儲器。

背景技術

存儲器包括多個陣列排列的存儲單元，每個存儲單元均形成于一有源區(AA)上。現有技術的存儲器的形成過程中，通常需要對襯底進行刻蝕，以形成陣列排列的有源區。

隨著存儲器存儲容量增大，存儲密度增大，有源區的線寬逐漸縮小。在襯底表面形成多個陣列排列的掩膜圖形作為有源區的掩膜時，位于陣列邊緣區域上的部分掩膜圖形可能會不完整，以此為掩膜刻蝕襯底形成的有源區容易發生倒塌。為了避免上述問題，通常需要在形成掩膜圖形后，將邊緣區域的不完整掩膜圖形去除。請參考圖1，有源區掩膜圖形的局部示意圖。在去除邊緣的掩膜圖形101時，通過一曲線102分割邊緣區域和中間區域。由于相鄰掩膜圖形101之間的間距較小，使得所述曲線102的弧形弧度α較小。由于在光刻過程中，較小尺寸圖形均容易產生較大的光學鄰近效應(OPE)，在制作光罩的過程中，需要對光刻圖形進行光學鄰近效應校正(OPC)。而該曲線102的弧度較小，使得OPC校正的難度提高。一旦光罩圖形校正不足，容易導致原本完整的有源區101被刻蝕。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題是，提供一種圖形化掩膜層，一種存儲器，降低圖形化掩膜層及存儲器的形成難度。

為了解決上述問題，本實用新型的技術方案還提供一種圖形化掩膜層，包括：若干陣列分布的子掩膜圖形；位于所述子掩膜圖形側壁表面的側墻。

可選的，所述子掩膜圖形平行排列。

可選的，各子掩膜圖形的形狀、尺寸均相同。

可選的，所述子掩膜圖形所在區域外圍的邊緣區域的輪廓至少包括部分曲線。

可選的，所述曲線的弧度大于一預設值。

為了解決上述問題，本實用新型的技術方案還包括一種存儲器，包括：襯底，所述襯底內形成有多個陣列排列的有源區；所述有源區以上述任一項所述的圖形化掩膜層為掩膜對所述襯底刻蝕而成。

本實用新型的圖形化掩膜層的形成方法首先對掩膜材料層進行圖形化，形成子掩膜圖形，所述子掩膜圖形的尺寸小于待形成的有源區的尺寸，從而增大了各子掩膜圖形之間的間距，降低了去除邊緣區域的有缺陷的子掩膜圖形的難度，從而使得圖形化掩膜層更易形成。

附圖說明

圖1為在去除邊緣的掩膜圖形時，邊緣區域和中間區域的分割示意圖；

圖2至圖7為本實用新型一具體實施方式的圖形化掩膜層的形成過程的結構示意圖；

圖8為本實用新型一具體實施方式的存儲器的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本實用新型提供的圖形化掩膜層及其形成方法、存儲器及其形成方法的具體實施方式做詳細說明。

請參考圖2至圖7，為本實用新型一具體實施方式的圖形化掩膜層的形成過程的結構示意圖。

請參考圖2，形成掩膜材料層201。

該具體實施方式中，在所述襯底200表面形成所述掩膜材料層201。所述掩膜材料層201包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、無定形碳、光刻膠等單層或多層掩膜材料層。

所述襯底200可以為半導體襯底，包括單晶硅襯底、單晶鍺襯底、鍺硅襯底或絕緣體上硅襯底等。圖2中，僅示出了襯底200及掩膜材料層201的局部區域。