[實用新型]圖形化掩膜層、存儲器有效
| 申請號: | 201920860918.1 | 申請日: | 2019-06-10 |
| 公開(公告)號: | CN209785878U | 公開(公告)日: | 2019-12-13 |
| 發明(設計)人: | 周震 | 申請(專利權)人: | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;H01L21/8239 |
| 代理公司: | 31294 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人: | 孫佳胤;董琳 |
| 地址: | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖形化掩膜層 掩膜圖形 存儲器 側壁表面 陣列分布 側墻 | ||
1.一種圖形化掩膜層,其特征在于,包括:
若干陣列分布的子掩膜圖形;
位于所述子掩膜圖形側壁表面的側墻。
2.根據權利要求1所述的圖形化掩膜層,其特征在于,所述子掩膜圖形平行排列。
3.根據權利要求1所述的圖形化掩膜層,其特征在于,各子掩膜圖形的形狀、尺寸均相同。
4.根據權利要求1所述的圖形化掩膜層,其特征在于,所述子掩膜圖形所在區域外圍的邊緣區域的輪廓至少包括部分曲線。
5.根據權利要求4所述的圖形化掩膜層,其特征在于,所述曲線的弧度大于一預設值。
6.一種存儲器,其特征在于,包括:
襯底,所述襯底內形成有多個陣列排列的有源區;
所述有源區以權利要求1至5中任一項所述的圖形化掩膜層為掩膜對所述襯底刻蝕而成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





