[實用新型]直流發光器件

有效

• 申請號: 201920847301.6
• 申請日: 2019-06-05
• 公開（公告）號: CN209691781U
• 公開（公告）日: 2019-11-26
• 發明（設計）人: 黎子蘭;李成果;張樹昕
• 申請（專利權）人: 廣東省半導體產業技術研究院
• 主分類號: H01L33/08
• 分類號: H01L33/08;H01L33/00
• 代理公司: 11463 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙)
• 代理人: 唐維虎<國際申請>=<國際公布>=<進入

本申請提供了一種直流發光器件，涉及半導體技術領域。本申請實施例提供的直流發光器件，各個發光單元形成電子傳輸島狀結構，各個電子傳輸島狀結構之間具有足夠的距離，相互之間是分隔的。形成各個發光單元由于不需要使用刻蝕或切割等工藝分割發光單元，有效的簡化了工藝，并且顯著的抑制了刻蝕或切割表面形成的非輻射復合中心，提高器件的發光強度，減慢器件的溫升。同時，支撐襯底作為整體結構的支撐結構，可以避免生長襯底的吸光，提高器件的出光率。

技術領域

本申請涉及半導體技術領域，具體而言，涉及一種直流發光器件。

背景技術

發光二極管LED(Light Emitting Diode)是一種常用的發光器件，常規的LED是低電壓的直流器件，在使用市電或其他較高電壓的電源來驅動LED的時候，就需要復雜的驅動電路來把電源的電壓轉化為LED所需的低壓、直流電源，這顯著地增加了系統的成本，不利于LED的推廣使用。

LED可以使用硅襯底進行制作，但硅襯底不透明，會吸收位于其上的LED外延層所發出的光，導致出光效率極大降低。在硅襯底上的多個發光小島是通過刻蝕或切割形成的，會形成非輻射復合中心。當形成非輻射復合中心時，電子與空穴發生非輻射復合時多余的能量會傳遞給附近的原子，增加了原子的動能，不僅使得LED的溫度升高，還減弱了LED的發光強度。

實用新型內容

有鑒于此，本申請提供了一種直流發光器件。

本申請提供的技術方案如下：

一種直流發光器件，包括：至少一個發光單元、第一絕緣層、連接層、支撐襯底、P電極和N電極，所述發光單元包括電子傳輸島狀結構、輻射復合層、空穴傳輸層和P型電極層，其中：

所述輻射復合層覆蓋所述電子傳輸島狀結構的表面；

所述空穴傳輸層覆蓋所述輻射復合層的表面；

所述P型電極層覆蓋所述空穴傳輸層的表面，相鄰的發光單元對應的P型電極層相連接，相鄰的發光單元對應的電子傳輸島狀結構互相連接；

所述P電極與所述P型電極層相連接，所述N電極與所述電子傳輸島狀結構相連接；

所述連接層覆蓋所述發光單元，所述支撐襯底位于所述連接層遠離所述發光單元的一側。

進一步地，所述發光單元還包括第二絕緣層和N型電極層，所述第二絕緣層覆蓋所述P型電極層，所述N型電極層與所述電子傳輸島狀結構相連接，多個所述發光單元的N型電極層相連接，所述P電極貫穿所述第一絕緣層與所述P型電極層相連接。

進一步地，所述連接層為絕緣材料，所述N電極從所述第一絕緣層遠離所述P型電極層一側，貫穿所述第一絕緣層和P型電極層后與所述N型電極層相連接。

進一步地，所述連接層和支撐襯底為導電材料，所述支撐襯底作為所述直流發光器件的N電極。

進一步地，所述連接層覆蓋所述P型電極層，所述連接層為絕緣材料，所述P電極從所述第一絕緣層遠離所述P型電極層一側貫穿所述第一絕緣層后，與所述P型電極層連接，所述N電極從所述第一絕緣層遠離所述P型電極層一側貫穿所述第一絕緣層后，與所述電子傳輸島狀結構相連接。

進一步地，所述連接層覆蓋所述P型電極層，所述連接層和支撐襯底為導電材料，所述支撐襯底作為所述直流發光器件的P電極，所述N電極從所述第一絕緣層遠離所述P型電極層一側貫穿所述第一絕緣層后，與所述電子傳輸島狀結構相連接。

進一步地，所述第一絕緣層為二氧化硅或氮化硅。

進一步地，所述P型電極層為透明導電材料或者高反射率材料。

進一步地，所述P型電極層為銦錫氧化物半導體透明導電膜ITO或銀。