[實用新型]直流發光器件有效
| 申請號： | 201920847301.6 | 申請日： | 2019-06-05 |
| 公開（公告）號： | CN209691781U | 公開（公告）日： | 2019-11-26 |
| 發明（設計）人： | 黎子蘭;李成果;張樹昕 | 申請（專利權）人： | 廣東省半導體產業技術研究院 |
| 主分類號： | H01L33/08 | 分類號： | H01L33/08;H01L33/00 |
| 代理公司： | 11463 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) | 代理人： | 唐維虎<國際申請>=<國際公布>=<進入 |
| 地址： | 510000 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光單元 島狀結構 電子傳輸 發光器件 襯底 刻蝕 半導體技術領域 非輻射復合中心 切割表面 支撐結構 出光率 溫升 吸光 分隔 申請 減慢 切割 分割 生長 支撐 | ||
1.一種直流發光器件，其特征在于，包括：至少一個發光單元、第一絕緣層、連接層、支撐襯底、P電極和N電極，所述發光單元包括電子傳輸島狀結構、輻射復合層、空穴傳輸層和P型電極層，其中：
所述輻射復合層覆蓋所述電子傳輸島狀結構的表面；
所述空穴傳輸層覆蓋所述輻射復合層的表面；
所述P型電極層覆蓋所述空穴傳輸層的表面，相鄰的發光單元對應的P型電極層相連接，相鄰的發光單元對應的電子傳輸島狀結構互相連接；
所述P電極與所述P型電極層相連接，所述N電極與所述電子傳輸島狀結構相連接；
所述連接層覆蓋所述發光單元，所述支撐襯底位于所述連接層遠離所述發光單元的一側。
2.根據權利要求1所述的直流發光器件，其特征在于，所述發光單元還包括第二絕緣層和N型電極層，所述第二絕緣層覆蓋所述P型電極層，所述N型電極層與所述電子傳輸島狀結構相連接，多個所述發光單元的N型電極層相連接，所述P電極貫穿所述第一絕緣層與所述P型電極層相連接。
3.根據權利要求2所述的直流發光器件，其特征在于，所述連接層為絕緣材料，所述N電極從所述第一絕緣層遠離所述P型電極層一側，貫穿所述第一絕緣層和P型電極層后與所述N型電極層相連接。
4.根據權利要求2所述的直流發光器件，其特征在于，所述連接層和支撐襯底為導電材料，所述支撐襯底作為所述直流發光器件的N電極。
5.根據權利要求1所述的直流發光器件，其特征在于，所述連接層覆蓋所述P型電極層，所述連接層為絕緣材料，所述P電極從所述第一絕緣層遠離所述P型電極層一側貫穿所述第一絕緣層后，與所述P型電極層連接，所述N電極從所述第一絕緣層遠離所述P型電極層一側貫穿所述第一絕緣層后，與所述電子傳輸島狀結構相連接。
6.根據權利要求1所述的直流發光器件，其特征在于，所述連接層覆蓋所述P型電極層，所述連接層和支撐襯底為導電材料，所述支撐襯底作為所述直流發光器件的P電極，所述N電極從所述第一絕緣層遠離所述P型電極層一側貫穿所述第一絕緣層后，與所述電子傳輸島狀結構相連接。
7.根據權利要求1至6任意一項所述的直流發光器件，其特征在于，所述第一絕緣層為二氧化硅或氮化硅。
8.根據權利要求1至6任意一項所述的直流發光器件，其特征在于，所述P型電極層為透明導電材料或者高反射率材料。
9.根據權利要求1至6任意一項所述的直流發光器件，其特征在于，所述P型電極層為銦錫氧化物半導體透明導電膜ITO或銀。
10.根據權利要求3至5任意一項所述的直流發光器件，其特征在于，述N型電極層為銦錫氧化物半導體透明導電膜ITO或鋁。
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