[實用新型]一種生長砷化鎵單晶的溫控爐有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201920807113.0 | 申請日: | 2019-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN210215611U | 公開(公告)日: | 2020-03-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 代曉波 | 申請(專利權(quán))人: | 獨山中科晶元信息材料有限公司 |
| 主分類號: | C30B15/14 | 分類號: | C30B15/14;C30B15/10;C30B29/42 |
| 代理公司: | 北京輕創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11212 | 代理人: | 談杰 |
| 地址: | 558200 貴州省黔南布依*** | 國省代碼: | 貴州;52 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 生長 砷化鎵單晶 溫控 | ||
本實用新型公開了一種生長砷化鎵單晶的溫控爐,包括溫控爐本體,所述溫控爐本體的內(nèi)壁安裝有保溫罩,所述保溫罩的內(nèi)腔設(shè)置有坩堝和石墨加熱器,所述坩堝的底部設(shè)置有放置架,所述放置架由兩個弧形固定桿和一個固定環(huán)連接組成,所述放置架的內(nèi)側(cè)開設(shè)有限位槽,所述坩堝的外側(cè)設(shè)置有限位條塊,所述放置架的底部通過連接部與托桿的頂端相連,所述托桿的底端貫穿所述溫控爐本體的下表面,并與旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)相連。綜上所述,本實用新型的有益效果在于:通過放置架大大減少坩堝與放置架之間的接觸面積,便于石墨加熱器直接對坩堝的底部進行加熱,提高其加熱效率,而且通過限位塊和限位槽之間的配合,能夠大大加強放置架對坩堝的固定。
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及溫控爐技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種生長砷化鎵單晶的溫控爐。
背景技術(shù)
砷化鎵材料是目前生產(chǎn)量最大、應(yīng)用最廣泛,因而也是最重要的化合物半導(dǎo)體材料,是僅次于硅的最重要的半導(dǎo)體材料。由于其優(yōu)越的性能和能帶結(jié)構(gòu),使砷化鎵材料在微波器件和發(fā)光器件等方面具有很大發(fā)展?jié)摿ΑD壳笆袌錾?0%以上的半絕緣砷化鎵單晶是采用LEC法生長的。LEC法采用石墨加熱器和PBN坩堝,以B2O3作為液封劑,在2MPa的氬氣環(huán)境下進行砷化鎵晶體生長。現(xiàn)有的溫控爐中,坩堝均通過坩堝托盤固定安裝在溫控爐內(nèi),坩堝的鍋底位于坩堝托盤內(nèi),因此在加熱的過程中,坩堝的鍋底加熱較慢;需要首先加熱坩堝托盤,然后通過坩堝托盤將熱量傳遞到坩堝;從而使坩堝的加熱效率較低。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的就在于為了解決上述問題而提供一種生長砷化鎵單晶的溫控爐,以解決現(xiàn)有技術(shù)中目前的坩堝托盤影響到石墨加熱器對PBN坩堝的加熱,從而影響其加熱效率等技術(shù)問題。本實用新型提供的諸多技術(shù)方案中優(yōu)選的技術(shù)方案在不影響對坩堝固定的作用下,減少坩堝托盤與坩堝的接觸面積,增大起加熱效率等技術(shù)效果,詳見下文闡述。
為實現(xiàn)上述目的,本實用新型提供了以下技術(shù)方案:
本實用新型提供的一種生長砷化鎵單晶的溫控爐,包括溫控爐本體,所述溫控爐本體的內(nèi)壁安裝有保溫罩,所述保溫罩的內(nèi)腔設(shè)置有坩堝和石墨加熱器,所述坩堝的中心軸與所述溫控爐本體的中心軸重合,所述石墨加熱器在所述坩堝與所述保溫罩之間;
所述坩堝的底部設(shè)置有放置架,所述放置架由兩個弧形固定桿和一個固定環(huán)連接組成,且所述放置架的凹陷面朝上,所述放置架的內(nèi)側(cè)開設(shè)有限位槽,所述限位槽沿所述固定桿長度方向延伸,且所述限位槽貫穿所述放置架的上表面,所述坩堝的外側(cè)設(shè)置有限位條塊,所述限位條塊與所述限位槽相互對應(yīng),所述放置架的底部通過連接部與托桿的頂端相連,所述托桿的底端貫穿所述溫控爐本體的下表面,并與旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)相連。
采用上述一種生長砷化鎵單晶的溫控爐,在使用時,使所述限位條塊對準(zhǔn)所述限位槽,將所述坩堝放入所述放置架內(nèi)部,將所述限位條塊插入所述限位槽內(nèi)部,由于所述放置架由所述固定桿和所述固定環(huán)組成,大大減少所述坩堝與所述放置架之間的接觸面積,便于所述石墨加熱器直接對所述坩堝的底部進行加熱,提高其加熱效率,而且通過所述限位條塊和所述限位槽之間的配合,能夠大大加強所述放置架對所述坩堝的固定。
作為優(yōu)選,所述坩堝的外側(cè)面與所述放置架的內(nèi)側(cè)壁緊密貼合。
作為優(yōu)選,所述限位槽與所述限位條塊間隙配合。
作為優(yōu)選,所述坩堝的頂部設(shè)置有吊耳,所述吊耳有兩個,且對稱分布在所述坩堝的外側(cè)。
作為優(yōu)選,所述溫控爐本體底部的中心位置安裝有密封環(huán),所述托桿貫穿所述密封環(huán),且所述托桿的外側(cè)壁與所述密封環(huán)的內(nèi)側(cè)壁間隙配合。
作為優(yōu)選,所述放置架為鋼鐵合金材質(zhì)。
綜上所述,本實用新型的有益效果在于:通過放置架大大減少坩堝與放置架之間的接觸面積,便于石墨加熱器直接對坩堝的底部進行加熱,提高其加熱效率,而且通過限位塊和限位槽之間的配合,能夠大大加強放置架對坩堝的固定。
附圖說明
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