[實用新型]一種砷化鎵晶體生長用石英坩堝

有效

• 申請號: 201920806853.2
• 申請日: 2019-05-31
• 公開（公告）號: CN210215622U
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發明（設計）人: 代曉波
• 申請（專利權）人: 獨山中科晶元信息材料有限公司
• 主分類號: C30B35/00
• 分類號: C30B35/00;C30B29/42
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司 11212
• 代理人: 談杰

本實用新型公開了一種砷化鎵晶體生長用石英坩堝，包括坩堝本體和頂蓋，所述坩堝本體頂部加工成型有環形的外翻邊，所述頂蓋套裝在所述坩堝本體上方，所述頂蓋上方設置有提手，所述坩堝本體內壁加工成型有至少兩個導向槽，所述頂蓋下方設置有對應所述導向槽的取料組件；所述取料組件包括連接螺釘、若干個豎直布置的連接桿和承托環，所述連接桿固定安裝在所述頂蓋下表面，所述承托環設置在所述連接桿底端，且通過所述連接螺釘與所述連接桿固定連接。有益效果在于：通過設置在導向槽內部的取料組件，晶體在制備過程中包覆在取料組件外部，便于操作人員通過承托環將砷化鎵晶體從坩堝本體內部取出，提升砷化鎵晶體的收集效率。

技術領域

本實用新型涉及砷化鎵制備裝置技術領域，具體涉及一種砷化鎵晶體生長用石英坩堝。

背景技術

砷化鎵是半導體材料中，兼具多方面優點的材料,但用它制作的晶體三極管的放大倍數小，導熱性差，不適宜制作大功率器件。用砷化鎵制成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優點。在砷化鎵制備過程中，多采用石英坩堝作為反應容器，同時在制備過程中需要對利用加熱組件對石英坩堝外壁進行升溫處理并進行溫度調節，由于現有加熱組件多為局部式溫度調節，在砷化鎵制備過程中需要調節石英坩堝的高度以配合制備溫度的調節。

目前市面上的石英坩堝的結構單一化，在制備過程中不便于調節加熱位置，操作難度較大，同時在砷化鎵晶體制造完畢后，不便于對留存在坩堝內部的物料取出，實用性不足。

實用新型內容

本實用新型的目的就在于為了解決上述問題而提供一種砷化鎵晶體生長用石英坩堝，以解決現有技術中目前的市面上的技術問題。本實用新型提供的諸多技術方案中優選的技術方案通過設置在導向槽內部的取料組件，晶體在制備過程中包覆在取料組件外部，便于操作人員通過承托環將砷化鎵晶體從坩堝本體內部取出，提升砷化鎵晶體的收集效率等技術效果，詳見下文闡述。

為實現上述目的，本實用新型提供了以下技術方案：

本實用新型提供的一種砷化鎵晶體生長用石英坩堝，包括坩堝本體和頂蓋，所述坩堝本體頂部加工成型有環形的外翻邊，所述頂蓋套裝在所述坩堝本體上方，所述頂蓋上方設置有提手，所述坩堝本體內壁加工成型有至少兩個導向槽，所述頂蓋下方設置有對應所述導向槽的取料組件；

所述取料組件包括連接螺釘、若干個豎直布置的連接桿和承托環，所述連接桿固定安裝在所述頂蓋下表面，所述承托環設置在所述連接桿底端，且通過所述連接螺釘與所述連接桿固定連接。

采用上述一種砷化鎵晶體生長用石英坩堝，制備時，砷化鎵晶體生長進入導向槽內部，且包覆在連接桿和承托環周圍構成一矩形塊，取出時，操作人員豎直向上拉動所述提手，使得頂蓋與坩堝本體分離，并通過承托環帶動粘結在連接桿外壁上的砷化鎵晶體塊提升，直至砷化鎵柱體從坩堝本體內部脫出，而后操作人員將砷化鎵晶體塊內部的連接螺釘從螺紋孔內旋出，從而將連接桿從砷化鎵晶體塊內部取出，將砷化鎵柱體取下。

作為優選，所述導向槽的數量共有四個，沿所述坩堝本體內壁周向布置。

作為優選，所述提手外壁上套裝有防燙包覆層。

作為優選，所述頂蓋外壁上加工成型有防滑紋路。

作為優選，所述連接桿的數量共有四個，呈圓周陣列布置在所述頂蓋下表面，所述連接桿底端和所述承托環內部均開設有配合所述連接螺釘進行固定的螺紋孔。

作為優選，所述連接螺釘和所述連接桿采用銅鎢合金作為制造材料。

有益效果在于：通過設置在導向槽內部的取料組件，晶體在制備過程中包覆在取料組件外部，便于操作人員通過承托環將砷化鎵晶體從坩堝本體內部取出，提升砷化鎵晶體的收集效率。

附圖說明