[實用新型]一種浮結型肖特基二極管有效
| 申請號： | 201920806493.6 | 申請日： | 2019-05-29 |
| 公開（公告）號： | CN210224043U | 公開（公告）日： | 2020-03-31 |
| 發明（設計）人： | 宋慶文;張玉明;湯曉燕;袁昊;吳勇;何艷靜;韓超;劉鈺康 | 申請（專利權）人： | 西安電子科技大學蕪湖研究院 |
| 主分類號： | H01L29/872 | 分類號： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 劉長春 |
| 地址： | 241000 安徽省蕪湖市弋江區高*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 浮結型肖特基 二極管 | ||
【權利要求書】：
1.一種浮結型肖特基二極管，其特征在于，包括：
襯底層(1)；
外延層(2)，位于所述襯底層(1)上層；
浮結區(3)，位于所述外延層(2)中間的矩形槽內；
絕緣型多晶硅層(4)，位于所述浮結區(3)上層；
溝槽(5)，位于所述絕緣型多晶硅層(4)上層；
肖特基接觸的陰極(6)，位于所述襯底層(1)下層；
肖特基接觸的陽極(7)，覆蓋所述外延層(2)、所述絕緣型多晶硅層(4)和所述溝槽(5)。
2.根據權利要求1所述的二極管，其特征在于，所述外延層(2)材料為N-離子摻雜的4H-SiC，厚度為5μm～15μm。
3.根據權利要求1所述的二極管，其特征在于，所述矩形槽深度為0.5μm～1.5μm，寬度為1μm～3μm。
4.根據權利要求1所述的二極管，其特征在于，所述絕緣型多晶硅層(4)厚度為0.8μm～1μm，寬度為0.5μm～1.5μm。
5.根據權利要求1所述的二極管，其特征在于，所述肖特基接觸的陰極(6)的材料為Ti/Ni/Ag金屬。
6.根據權利要求1所述的二極管，其特征在于，所述肖特基接觸的陽極(7)的材料為Ti/Al金屬。
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