[實用新型]熱處理裝置有效
| 申請號: | 201920804593.5 | 申請日: | 2019-05-30 |
| 公開(公告)號: | CN210378972U | 公開(公告)日: | 2020-04-21 |
| 發明(設計)人: | 小林聰樹 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 王海奇;舒艷君 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 熱處理 裝置 | ||
1.一種熱處理裝置,其中,
具備:
處理容器,其包括沿鉛垂方向延伸的圓筒狀的反應管;
基板保持件,其在所述反應管的內部,沿鉛垂方向隔開間隔地保持多個基板;
加熱器,其從所述反應管的徑向外側對所述反應管的內部進行加熱;
蓋體,其對所述處理容器的下端部的開口部進行開閉;以及
保溫臺,其配置在所述基板保持件與所述蓋體之間,
所述保溫臺具有:沿鉛垂方向延伸的碳化硅制的圓筒部;配置于所述圓筒部的徑向內側的第一隔熱部;以及配置于所述圓筒部的徑向外側的第二隔熱部,
所述第一隔熱部包括沿鉛垂方向隔開間隔地排列的多個圓盤狀翅片,
所述第二隔熱部包括沿鉛垂方向隔開間隔地排列的多個環形盤狀翅片。
2.根據權利要求1所述的熱處理裝置,其中,
所述第一隔熱部包括:碳化硅制的圓盤狀翅片;和石英制的圓盤狀翅片,其配置于所述碳化硅制的圓盤狀翅片的下方。
3.根據權利要求1所述的熱處理裝置,其中,
所述第二隔熱部包括:碳化硅制的環形盤狀翅片;和石英制的環形盤狀翅片,其配置于所述碳化硅制的環形盤狀翅片的下方。
4.根據權利要求2所述的熱處理裝置,其中,
所述第二隔熱部包括:碳化硅制的環形盤狀翅片;和石英制的環形盤狀翅片,其配置于所述碳化硅制的環形盤狀翅片的下方。
5.根據權利要求1所述的熱處理裝置,其中,
所述保溫臺在所述圓筒部與所述蓋體之間具有第三隔熱部,
所述第三隔熱部包括沿鉛垂方向隔開間隔地排列的多個石英制的圓盤狀翅片。
6.根據權利要求2所述的熱處理裝置,其中,
所述保溫臺在所述圓筒部與所述蓋體之間具有第三隔熱部,
所述第三隔熱部包括沿鉛垂方向隔開間隔地排列的多個石英制的圓盤狀翅片。
7.根據權利要求3所述的熱處理裝置,其中,
所述保溫臺在所述圓筒部與所述蓋體之間具有第三隔熱部,
所述第三隔熱部包括沿鉛垂方向隔開間隔地排列的多個石英制的圓盤狀翅片。
8.根據權利要求4所述的熱處理裝置,其中,
所述保溫臺在所述圓筒部與所述蓋體之間具有第三隔熱部,
所述第三隔熱部包括沿鉛垂方向隔開間隔地排列的多個石英制的圓盤狀翅片。
9.根據權利要求5~8中任一項所述的熱處理裝置,其中,
所述保溫臺具有翻倒防止部,該翻倒防止部防止所述圓筒部相對于所述第三隔熱部翻倒。
10.根據權利要求5~8中任一項所述的熱處理裝置,其中,
所述保溫臺具有旋轉防止部,該旋轉防止部防止所述圓筒部相對于所述第三隔熱部旋轉。
11.根據權利要求9所述的熱處理裝置,其中,
所述保溫臺具有旋轉防止部,該旋轉防止部防止所述圓筒部相對于所述第三隔熱部旋轉。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





