[實用新型]一種多芯低ESR的陶瓷電容器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201920804522.5 | 申請日： | 2019-05-30 |
| 公開（公告）號： | CN210052648U | 公開（公告）日： | 2020-02-11 |
| 發(fā)明（設計）人： | 鄭惠茹;蔡約軒;朱敏蔚;吳明釗;王凱星 | 申請（專利權）人： | 福建火炬電子科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01G4/38 | 分類號： | H01G4/38;H01G4/228 |
| 代理公司： | 35239 泉州君典專利代理事務所(普通合伙) | 代理人： | 陳曉艷 |
| 地址： | 362000 福建省泉州市*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 極板 引腳 平行間隔布置 陶瓷電容器 電容芯片 內部電容 平行交錯 低ESR 多芯 芯片 保證 | ||
1.一種多芯低ESR的陶瓷電容器，其特征在于：包括第一引腳、第二引腳，第一引腳形成有平行間隔布置的多個第一極板，第二引腳形成有平行間隔布置的多個第二極板，多個第一極板與多個第二極板平行交錯布置，相鄰的第一極板與第二極板之間設置有至少一個電容芯片。
2.根據權利要求1所述的一種多芯低ESR的陶瓷電容器，其特征在于：兩相鄰的第一極板與第二極板的正、反面之間均設置有所述電容芯片。
3.根據權利要求1所述的一種多芯低ESR的陶瓷電容器，其特征在于：還包括用于封裝第一極板、第二極板和電容芯片的封裝體，封裝體大致為長方體，所述第一引腳和第二引腳沿封裝體的長度方向延伸。
4.根據權利要求1或2或3所述的一種多芯低ESR的陶瓷電容器，其特征在于：所述第一引腳與第一極板之間，第二引腳與第二極板之間均開設有易折孔。
5.根據權利要求4所述的一種多芯低ESR的陶瓷電容器，其特征在于：所述易折孔為方形孔。
6.根據權利要求1或2或3所述的一種多芯低ESR的陶瓷電容器，其特征在于：相鄰兩所述第一極板之間的第一引腳上，相鄰兩所述第二極板之間的引腳上設置有缺口槽。
7.根據權利要求6所述的一種多芯低ESR的陶瓷電容器，其特征在于：所述缺口槽為方形槽。
8.根據權利要求1或2或3所述的一種多芯低ESR的陶瓷電容器，其特征在于：所述第一引腳與第一極板之間，第二引腳與第二極板之間均開設有易折孔，兩所述第一極板之間的第一引腳上，兩所述第二極板之間的引腳上設置有缺口槽，易折孔的中心與缺口槽的中心的處于同一水平線上。
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