[實(shí)用新型]低功耗高可靠性激光熔絲電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201920790508.4 | 申請日: | 2019-05-29 |
| 公開(公告)號: | CN209843701U | 公開(公告)日: | 2019-12-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張明;焦煒杰;楊金權(quán);馬學(xué)龍;王新安;汪波 | 申請(專利權(quán))人: | 江蘇潤石科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/525 | 分類號: | H01L23/525;H01L21/66 |
| 代理公司: | 32369 無錫永樂唯勤專利代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人: | 張濤 |
| 地址: | 214125 江蘇省無錫市新*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 激光熔絲 讀取電路 熔絲狀態(tài) 讀取 邏輯狀態(tài) 本實(shí)用新型 熔斷 適配連接 制備 體內(nèi) 芯片 高可靠性 有效解決 狀態(tài)讀取 低功耗 芯片體 功耗 裕量 電路 | ||
本實(shí)用新型涉及一種低功耗高可靠性激光熔絲電路,其包括芯片體、制備于芯片體內(nèi)的下激光熔絲體F_DOWN以及用于讀取下激光熔絲體F_DOWN邏輯狀態(tài)的熔絲狀態(tài)讀取電路;還包括制備于芯片體內(nèi)且能與下激光熔絲體F_DOWN適配連接的上激光熔絲體F_UP,所述上激光熔絲體F_UP與下激光熔絲體F_DOWN以及熔絲狀態(tài)讀取電路適配連接;上激光熔絲體F_UP熔斷時,通過熔絲狀態(tài)讀取電路能讀取下激光熔絲體F_DOWN的邏輯狀態(tài)為0,下激光熔絲體F_DOWN熔斷時,通過熔絲狀態(tài)讀取電路能讀取下激光熔絲體F_DOWN的邏輯狀態(tài)為1。本實(shí)用新型能有效解決激光熔絲功耗以及激光熔絲的干擾裕量,確保對激光熔絲狀態(tài)讀取的穩(wěn)定性與可靠性。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種電路結(jié)構(gòu),尤其是一種低功耗高可靠性激光熔絲電路,屬于半導(dǎo)體電路的技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)過程中,以晶圓為載體,同一片晶圓產(chǎn)出幾千到幾十萬的裸片(die)。受晶圓生產(chǎn)工藝影響,同一片晶圓上相同的芯片,在各項(xiàng)參數(shù)上都基本形成正態(tài)分布;比如LDO(線性穩(wěn)壓器)的輸出精度(重要指標(biāo)),典型產(chǎn)品的輸出精度范圍為97.5%~102.5%,偏差+-2.5%,如需進(jìn)一步提高精度需要增加熔絲修調(diào)電路,根據(jù)每個die(裸片)的測試情況,將對應(yīng)的熔絲熔斷,從而達(dá)到使能相應(yīng)修調(diào)電路的邏輯。
激光熔絲修調(diào)電路從功能上分為兩部分,熔絲狀態(tài)讀取電路和修調(diào)電路。熔絲狀態(tài)讀取電路的目的是將熔絲熔斷與否的物理現(xiàn)象,轉(zhuǎn)換為0或1的電信號,為修調(diào)電路提供控制信號。
現(xiàn)有的激光熔絲狀態(tài)讀取電路原理圖如圖1所示,VDD是電路供電,GND是電路地。OUT1~OUTn是讀取電路輸出,用以控制修調(diào)電路。激光熔絲F1未熔斷時等效于小電阻Rf1(幾十歐姆級別或更小)。
在未熔斷激光熔絲F1時,電阻R1的電阻值遠(yuǎn)大于激光熔絲F1的阻值,讀取電路的閾值用Vt表示。具體地,IN1@0=VDD/(R1+Rf1)*Rf1,IN1@0表示熔絲F1在邏輯0時的電壓,為了能使得讀取電路能有效讀取激光熔絲F1的邏輯0狀態(tài),需保證IN1@0<Vt。流過激光熔絲F1的電流為I@0=VDD/(R1+Rf1),I@0為激光熔絲F 1處于邏輯0時的電流。
由此可得,激光熔絲F1未熔斷時,增大R1阻值,I@0會降低,IN1@0電壓降低,和讀取電路的閾值Vt的差值增大,0狀態(tài)可以更可靠的識別。反之減小R1,將導(dǎo)致I@0升高,激光熔絲F1處于邏輯0狀態(tài)抗干擾能力減弱。因?yàn)殡娮鑂1和激光熔絲F1在集成電路制造時生產(chǎn),兩者阻值離散性相對穩(wěn)定,可保證變化量不超過±30%。IN1@0電壓離散性較小。
熔斷激光熔絲F1時,激光熔絲F1的阻值從Rf1變?yōu)镽f斷,阻值增大,Rf斷大于R1,從而能得到,IN1@1=VDD/(R1+Rf斷)*Rf斷,IN1@1表示激光熔絲F1處于邏輯1時的電壓,為了能使得讀取電路能有效讀取激光熔絲F1的邏輯1狀態(tài),需保證IN1@1>Vt。流過激光熔絲F1的電流為I@1=VDD/(R1+Rf斷),其中,I@1為激光熔絲F1處于邏輯1時的電流。
由此可得,激光熔絲F1熔斷時,增大R1阻值,I@1降低,IN1@1電壓降低,即和讀取電路的閾值Vt的差值減小,激光熔絲F1處于邏輯1狀態(tài)的抗干擾能力減弱,從而降低熔絲狀態(tài)讀取電路可靠性。
因激光熔絲熔斷的原理為高能激光改變?nèi)劢z材料物理性質(zhì),每根熔絲熔斷后阻值呈現(xiàn)一定離散性,極端情況下激光熔絲熔斷后,不同激光熔絲的阻值會有上百倍的差異。從而造成IN1@1電壓變化,導(dǎo)致干擾裕量變化。
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