[實用新型]預對準裝置及晶圓處理系統有效
| 申請號: | 201920784669.2 | 申請日: | 2019-05-28 |
| 公開(公告)號: | CN209691737U | 公開(公告)日: | 2019-11-26 |
| 發明(設計)人: | 沈洪;陳麗娟;王承惠 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/68 | 分類號: | H01L21/68;H01L21/67 |
| 代理公司: | 31237 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人: | 屈蘅<國際申請>=<國際公布>=<進入國 |
| 地址: | 201315*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶圓 預對準 雜質顆粒 晶圓處理系統 雜質顆粒去除 本實用新型 預對準裝置 供氣模塊 生產效率 工作腔 良率 制備 節約 | ||
本實用新型提供了一種預對準裝置及晶圓處理系統,在工作腔中同時設置預對準模塊和供氣模塊,可以在完成晶圓預對準的同時能夠全方位地對晶圓各表面及晶邊上的雜質顆粒進行有效的清除,進而可以避免晶圓因雜質顆粒產生缺陷,提高了晶圓良率,并且,由于預對準和雜質顆粒去除是同時進行,節約了晶圓的制備時間,提高了生產效率。
技術領域
本實用新型涉及半導體制備技術領域,尤其涉及一種預對準裝置及晶圓處理系統。
背景技術
隨著集成電路工藝的日益發展,關鍵尺寸做的越來越小,良率已然成為了晶圓質量不可或缺的參數表征之一。而良率的降低主要是由于工藝過程中所產生的缺陷所致,在這些各式各樣的缺陷類別之中,尤其是以顆粒所產生的缺陷較為居多。所以減少工藝過程中晶圓表面的雜質顆粒缺陷顯得尤為重要。
當前晶圓制造工藝機臺以及一些量測機臺主要由承載裝置、預對準裝置以及反應腔等三部分構成,承載裝置主要用于放置晶圓盒并開關晶圓盒門的作用;預對準裝置主要用于實現晶圓的定位;反應腔即晶圓完成工藝或者量測的反應腔。晶圓從晶圓盒中轉移至所述預對準裝置中進行預對準,然后再轉移至所述反應腔中執行反應或量測,由于晶圓表面很可能附著有雜質顆粒,若不去除,當一些本身帶有雜質顆粒的晶圓進入反應腔后,這些雜質顆粒會在晶圓表面形成缺陷或導致測量不準確,進而影響良率。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種預對準裝置及晶圓處理系統,能夠對晶圓進行預對準同時能夠全方位地對晶圓各表面及晶邊上的雜質顆粒進行有效的清除,進而提升晶圓良率和生產效率。
為了達到上述目的,本實用新型提供了一種預對準裝置,包括:工作腔及設置于工作腔內的:
預對準模塊,包括承載單元及檢測單元,所述承載單元用于承載晶圓并驅動所述晶圓旋轉,所述檢測單元用于檢測所述晶圓的位置以實現預對準;
供氣模塊,位于所述承載單元的一側,用于向所述晶圓吹出潔凈的氣體;
排氣模塊,用于將所述工作腔內的氣體排出。
可選的,所述供氣模塊吹出氣體的方向平行于所述晶圓的表面。
可選的,所述供氣模塊的出風口的頂部高于所述晶圓的晶面,且出風口的底部低于所述晶圓的晶背,以使所述晶圓的晶面、晶邊及晶背均位于所述供氣模塊吹出的氣體中。
可選的,所述供氣模塊吹出的氣體為惰性氣體。
可選的,所述惰性氣體包括氮氣、氦氣或氬氣中的一種或多種。
可選的,所述排氣模塊還包括若干排風口,所述排風口設置于所述工作腔底部。
可選的,所述承載單元包括固定底座和旋轉平臺,所述旋轉平臺設置于所述固定底座上,所述旋轉平臺用于承載所述晶圓并驅動所述晶圓旋轉。
可選的,述旋轉平臺在垂直于所述晶圓表面方向的最大截面寬度小于所述晶圓的直徑。
可選的,所述預對準模塊還包括控制單元,所述晶圓的邊緣上具有一定位缺口,所述檢測單元用于檢測所述定位缺口以獲取所述晶圓的位置,所述控制單元根據所述檢測單元的檢測結果控制所述承載單元旋轉,以使所述定位缺口對準一預設位置。
本實用新型還提供一種晶圓處理系統,包括所述預對準裝置、晶圓存儲模塊、反應腔和晶圓轉換模塊,所述晶圓轉換模塊將所述晶圓存儲模塊中的晶圓轉換至所述預對準裝置中,所述預對準裝置對所述晶圓進行預對準后,所述晶圓轉換模塊將所述預對準裝置中的晶圓轉換至所述反應腔中。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海華力微電子有限公司,未經上海華力微電子有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201920784669.2/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





