[實(shí)用新型]預(yù)對(duì)準(zhǔn)裝置及晶圓處理系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201920784669.2 | 申請(qǐng)日: | 2019-05-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN209691737U | 公開(公告)日: | 2019-11-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 沈洪;陳麗娟;王承惠 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/68 | 分類號(hào): | H01L21/68;H01L21/67 |
| 代理公司: | 31237 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人: | 屈蘅<國際申請(qǐng)>=<國際公布>=<進(jìn)入國 |
| 地址: | 201315*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶圓 預(yù)對(duì)準(zhǔn) 雜質(zhì)顆粒 晶圓處理系統(tǒng) 雜質(zhì)顆粒去除 本實(shí)用新型 預(yù)對(duì)準(zhǔn)裝置 供氣模塊 生產(chǎn)效率 工作腔 良率 制備 節(jié)約 | ||
1.一種預(yù)對(duì)準(zhǔn)裝置,其特征在于,包括:工作腔及設(shè)置于工作腔內(nèi)的:
預(yù)對(duì)準(zhǔn)模塊,包括承載單元及檢測(cè)單元,所述承載單元用于承載晶圓并驅(qū)動(dòng)所述晶圓旋轉(zhuǎn),所述檢測(cè)單元用于檢測(cè)所述晶圓的位置以實(shí)現(xiàn)預(yù)對(duì)準(zhǔn);
供氣模塊,位于所述承載單元的一側(cè),用于向所述晶圓吹出潔凈的氣體;
排氣模塊,用于將所述工作腔內(nèi)的氣體排出。
2.如權(quán)利要求1所述的預(yù)對(duì)準(zhǔn)裝置,其特征在于,所述供氣模塊吹出氣體的方向平行于所述晶圓的表面。
3.如權(quán)利要求1所述的預(yù)對(duì)準(zhǔn)裝置,其特征在于,所述供氣模塊的出風(fēng)口的頂部高于所述晶圓的晶面,且出風(fēng)口的底部低于所述晶圓的晶背,以使所述晶圓的晶面、晶邊及晶背均位于所述供氣模塊吹出的氣體中。
4.如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的預(yù)對(duì)準(zhǔn)裝置,其特征在于,所述供氣模塊吹出的氣體為惰性氣體。
5.如權(quán)利要求4所述的預(yù)對(duì)準(zhǔn)裝置,其特征在于,所述惰性氣體包括氮?dú)?、氦氣或氬氣中的一種或多種。
6.如權(quán)利要求1所述的預(yù)對(duì)準(zhǔn)裝置,其特征在于,所述排氣模塊還包括若干排風(fēng)口,所述排風(fēng)口設(shè)置于所述工作腔底部。
7.如權(quán)利要求1所述的預(yù)對(duì)準(zhǔn)裝置,其特征在于,所述承載單元包括固定底座和旋轉(zhuǎn)平臺(tái),所述旋轉(zhuǎn)平臺(tái)設(shè)置于所述固定底座上,所述旋轉(zhuǎn)平臺(tái)用于承載所述晶圓并驅(qū)動(dòng)所述晶圓旋轉(zhuǎn)。
8.如權(quán)利要求7所述的預(yù)對(duì)準(zhǔn)裝置,其特征在于,所述旋轉(zhuǎn)平臺(tái)在垂直于所述晶圓表面方向的最大截面寬度小于所述晶圓的直徑。
9.如權(quán)利要求1所述的預(yù)對(duì)準(zhǔn)裝置,其特征在于,所述預(yù)對(duì)準(zhǔn)模塊還包括控制單元,所述晶圓的邊緣上具有一定位缺口,所述檢測(cè)單元用于檢測(cè)所述定位缺口以獲取所述晶圓的位置,所述控制單元根據(jù)所述檢測(cè)單元的檢測(cè)結(jié)果控制所述承載單元旋轉(zhuǎn),以使所述定位缺口對(duì)準(zhǔn)一預(yù)設(shè)位置。
10.一種晶圓處理系統(tǒng),其特征在于,包括如權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的預(yù)對(duì)準(zhǔn)裝置、晶圓存儲(chǔ)模塊、反應(yīng)腔和晶圓轉(zhuǎn)換模塊,所述晶圓轉(zhuǎn)換模塊將所述晶圓存儲(chǔ)模塊中的晶圓轉(zhuǎn)換至所述預(yù)對(duì)準(zhǔn)裝置中,所述預(yù)對(duì)準(zhǔn)裝置對(duì)所述晶圓進(jìn)行預(yù)對(duì)準(zhǔn)后,所述晶圓轉(zhuǎn)換模塊將所述預(yù)對(duì)準(zhǔn)裝置中的晶圓轉(zhuǎn)換至所述反應(yīng)腔中。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海華力微電子有限公司,未經(jīng)上海華力微電子有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201920784669.2/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 邊緣曝光裝置及其控制方法
- 一種硅片預(yù)對(duì)準(zhǔn)裝置及預(yù)對(duì)準(zhǔn)方法
- 預(yù)對(duì)準(zhǔn)裝置以及預(yù)對(duì)準(zhǔn)方法
- 一種用于基板預(yù)對(duì)準(zhǔn)以及基板方向檢測(cè)及調(diào)整的裝置
- 預(yù)對(duì)準(zhǔn)裝置
- 一種用于曝光裝置的掩模臺(tái)
- 一種基于位置傳感器的光刻機(jī)掩模預(yù)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)
- 一種基底預(yù)對(duì)準(zhǔn)方法和裝置以及一種光刻機(jī)
- 預(yù)對(duì)準(zhǔn)裝置及硅片預(yù)對(duì)準(zhǔn)方法
- 一種硅片預(yù)對(duì)準(zhǔn)裝置和方法





