[實用新型]一種防止引線框架氧化的軌具有效
| 申請號: | 201920775309.6 | 申請日: | 2019-05-27 |
| 公開(公告)號: | CN209785879U | 公開(公告)日: | 2019-12-13 |
| 發明(設計)人: | 曾尚文;陳久元;楊利明;李洪貞 | 申請(專利權)人: | 四川晶輝半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L21/687;H01L21/67 |
| 代理公司: | 51268 成都虹盛匯泉專利代理有限公司 | 代理人: | 劉冬靜 |
| 地址: | 629200 四川*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 引線框架 上軌板 下軌 氮氣 連通孔 通氣槽 通氣孔 本實用新型 防氧化處理 高標準化 氣流通道 通道密封 氧化效果 安裝槽 板設置 傳送線 地引線 防氧化 固定孔 鎖緊件 軌板 卡入 通槽 凸起 匹配 流通 移動 | ||
本實用新型公開一種防止引線框架氧化的軌具,其包括:下軌板、連接在下軌板的上軌板和鎖緊件,上軌板設置有軌板凸起、通氣孔、通氣槽和固定孔,下軌板設置有安裝槽和連通孔,上軌板卡入下軌板的凹槽內并相互匹配,上軌板和下軌板相互固定連接后形成內部具有氣流通道的通槽,上軌板和下軌板之間的七六通道密封在兩者之間,氮氣從連通孔內通入后,經通氣槽相互流通,再經通氣孔從上軌板的頂部通出,該軌具有效地對置于上軌板地引線框架進行防氧化處理,在引線框架沿傳送線移動時在引線框架地下方形成了空設的區域,增大了引線框架與氮氣的接觸面,增大引線框架的受氮氣面積,提高引線框架的防止氧化效果,實現了高標準化的引線框架的防氧化工藝。
技術領域
本實用新型涉及引線框架的生產制造技術領域,具體而言,涉及一種防止引線框架氧化的軌具。
背景技術
引線框架作為集成電路的芯片載體,是一種借助于鍵合材料(金絲、鋁絲、銅絲)實現芯片內部電路引出端與外引線的電氣連接,形成電氣回路的關鍵結構件,它起到了和外部導線連接的橋梁作用,絕大部分的半導體集成塊中都需要使用引線框架,是電子信息產業中重要的基礎材料。
現有技術的防止引線框架氧化的軌具,其頂部與引線框架底部的接觸面接觸較大,氧化效果不佳,造成引線框架的底部容易產生不合格產品。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種防止引線框架氧化的軌具,其能夠加強了軌具的密封效果,增大引線框架的受氮氣面積,提高引線框架的防止氧化效果,實現了高標準化的引線框架的防氧化工藝。
本實用新型的實施例是這樣實現的:
一種防止引線框架氧化的軌具,其包括:下軌板、連接在下軌板的上軌板和鎖緊件,上軌板的頂面設置有多個相互間隔的軌板凸起和連通上軌板底面的通氣孔,通氣孔位于相鄰軌板凸起之間,上軌板的底面設置有通氣槽,通氣孔連通至通氣槽,通氣槽將多個通氣孔連通,上軌板設置有連通頂面和底面的固定孔,下軌板的頂面向內設置有與上軌板相互匹配的安裝槽,上軌板卡入安裝槽后通過鎖緊件固定。
在本實用新型較佳的實施例中,上述軌板凸起為上軌板的頂部凸設形成,多個軌板凸起橫跨上軌板的兩側,多個軌板之間相互間隔。
在本實用新型較佳的實施例中,上述通氣槽為上軌板的底部向內凹設形成,多個通氣孔連成一排,通氣槽將每排通氣孔相互連通。
在本實用新型較佳的實施例中,上述通氣槽包括橫向槽和豎向槽,橫向槽設置有多條,每條橫向槽將每排通氣孔連通,豎向槽將多條橫向槽連通。
在本實用新型較佳的實施例中,上述安裝槽為下軌板的頂面向內凹設形成,下軌板的截面形成凹形結構。
在本實用新型較佳的實施例中,上述下軌板設置有與通氣槽位置相對的槽,槽的位置位于下軌板的安裝槽形成的平面,上軌板和下軌板相互重疊連接后通槽形成連通的通道并密封在上軌板和下軌板之間。
在本實用新型較佳的實施例中,上述下軌板還設置有連通孔,連通孔位于下軌板的側面,連通孔將下軌板的外側和上軌板和下軌板之間的通道連通。
在本實用新型較佳的實施例中,上述鎖緊件為內六角螺釘,固定孔為螺紋孔,內六角螺釘通過固定孔將上軌板固定在下軌板的安裝槽內。
本實用新型的有益效果是:
本實用新型通過上軌板和下軌板相互匹配連接形成嚴密的氣流通道,氣流從下軌板的連通孔進入并通過上軌板和下軌板之間的通氣槽進入通氣孔,再從上軌板的頂部流出并用于對引線框架進行防氧化工藝,通過相互間隔的軌板凸起將引線框架進行支撐;該軌具能夠加強了軌具的密封效果,增大引線框架的受氮氣面積,提高引線框架的防止氧化效果,實現了高標準化的引線框架的防氧化工藝。
附圖說明
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





