[實用新型]一種防止引線框架氧化的軌具有效
| 申請號: | 201920775309.6 | 申請日: | 2019-05-27 |
| 公開(公告)號: | CN209785879U | 公開(公告)日: | 2019-12-13 |
| 發明(設計)人: | 曾尚文;陳久元;楊利明;李洪貞 | 申請(專利權)人: | 四川晶輝半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L21/687;H01L21/67 |
| 代理公司: | 51268 成都虹盛匯泉專利代理有限公司 | 代理人: | 劉冬靜 |
| 地址: | 629200 四川*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 引線框架 上軌板 下軌 氮氣 連通孔 通氣槽 通氣孔 本實用新型 防氧化處理 高標準化 氣流通道 通道密封 氧化效果 安裝槽 板設置 傳送線 地引線 防氧化 固定孔 鎖緊件 軌板 卡入 通槽 凸起 匹配 流通 移動 | ||
1.一種防止引線框架氧化的軌具,其特征在于,包括:下軌板、連接在下軌板的上軌板和鎖緊件,所述上軌板的頂面設置有多個相互間隔的軌板凸起和連通上軌板底面的通氣孔,所述通氣孔位于相鄰軌板凸起之間,所述上軌板的底面設置有通氣槽,所述通氣孔連通至通氣槽,所述通氣槽將多個通氣孔連通,所述上軌板設置有連通頂面和底面的固定孔,所述下軌板的頂面向內設置有與上軌板相互匹配的安裝槽,所述上軌板卡入安裝槽后通過鎖緊件固定。
2.根據權利要求1所述的一種防止引線框架氧化的軌具,其特征在于,所述軌板凸起為上軌板的頂部凸設形成,多個所述軌板凸起橫跨上軌板的兩側,多個所述軌板之間相互間隔。
3.根據權利要求2所述的一種防止引線框架氧化的軌具,其特征在于,所述通氣槽為上軌板的底部向內凹設形成,多個所述通氣孔連成一排,所述通氣槽將每排通氣孔相互連通。
4.根據權利要求3所述的一種防止引線框架氧化的軌具,其特征在于,所述通氣槽包括橫向槽和豎向槽,所述橫向槽設置有多條,每條橫向槽將每排通氣孔連通,所述豎向槽將多條橫向槽連通。
5.根據權利要求1所述的一種防止引線框架氧化的軌具,其特征在于,所述安裝槽為下軌板的頂面向內凹設形成,所述下軌板的截面形成凹形結構。
6.根據權利要求5所述的一種防止引線框架氧化的軌具,其特征在于,所述下軌板設置有與通氣槽位置相對的槽,槽的位置位于下軌板的安裝槽形成的平面,所述上軌板和下軌板相互重疊連接后通槽形成連通的通道并密封在上軌板和下軌板之間。
7.根據權利要求6所述的一種防止引線框架氧化的軌具,其特征在于,所述下軌板還設置有連通孔,所述連通孔位于下軌板的側面,所述連通孔將下軌板的外側和上軌板和下軌板之間的通道連通。
8.根據權利要求1所述的一種防止引線框架氧化的軌具,其特征在于,所述鎖緊件為內六角螺釘,所述固定孔為螺紋孔,所述內六角螺釘通過固定孔將上軌板固定在下軌板的安裝槽內。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





