[實用新型]一種高壓LED芯片

有效

• 申請號: 201920747346.6
• 申請日: 2019-05-22
• 公開（公告）號: CN209822673U
• 公開（公告）日: 2019-12-20
• 發明（設計）人: 王兵;王碩;張狀;鄧梓陽;莊家銘
• 申請（專利權）人: 佛山市國星半導體技術有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/08;H01L33/36;H01L33/38
• 代理公司: 44202 廣州三環專利商標代理有限公司
• 代理人: 胡楓

本實用新型公開了一種高壓LED芯片，其包括基片，設于基片上的第一發光結構與第二發光結構，位于所述第一發光結構與第二發光結構之間的切割道；以及設于所述第一發光結構、第二發光結構和切割道上的鈍化層；第一發光結構包括第一半導體層、第一有源層、第二半導體層、設于第二半導體層的第一電極和設于第一半導體層的第二電極；第二發光結構包括第三半導體層、第二有源層、第四半導體層、設于第三半導體層的第三電極和設于第四半導體層的第四電極；第三電極和第四電極通過設于切割道的金屬薄膜導電連接。本實用新型中通過特殊的結構設計，有效縮減了該種類LED芯片的光刻作業次數，制造成本下降了20?40％。

技術領域

本實用新型涉及發光二極管技術領域，尤其涉及一種高壓LED芯片。

背景技術

高壓LED芯片是在LED芯片制備段將多個芯片串聯發光，減少下游封裝廠焊線次數，提高生產效率并節約成本，同時，高壓LED芯片可大幅降低對散熱系統的設計要求，克服LED照明市場的散熱技術障礙。

目前國內主流的高壓LED芯片生產廠家采用的生產工藝為6道光刻，分別為Mesa光刻、深刻蝕光刻、電流阻擋層光刻、透明導電層光刻、電極光刻、鈍化層光刻，金屬跨越相鄰芯片的橋接處使用電流阻擋層作為隔絕相鄰芯片的絕緣層，因此電流阻擋層光刻必須在Mesa光刻和透明導電層光刻之間，即這兩步光刻必須分步進行，所以為了留有余度，必須犧牲一定的發光面積，從而損失芯片亮度并增加芯片的使用電壓和熱量，一定程度降低其使用壽命。

為了簡化高壓LED芯片的生產工藝，中國專利申請CN108807607A提出了新的生產方法，其采用電流阻擋層光刻、透明導電層光刻、Mesa刻蝕、深刻蝕光刻、鈍化層光刻和電極光刻等五道光刻生產了高壓LED芯片，節省了生產成本。但是，這種工藝流程仍然較長，生產復雜，生產成本高。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題在于，提供一種高壓LED芯片，其制作成本低。

為了解決上述技術問題，本實用新型提供了一種高壓LED芯片，其包括基片，設于基片上的第一發光結構與第二發光結構，位于所述第一發光結構與第二發光結構之間的切割道；以及設于所述第一發光結構、第二發光結構和切割道上的鈍化層；

所述第一發光結構包括第一半導體層、第一有源層、第二半導體層、設于所述第二半導體層的第一電極和設于所述第一半導體層的第二電極；

所述第二發光結構包括第三半導體層、第二有源層、第四半導體層、設于所述第三半導體層的第三電極和設于所述第四半導體層的第四電極；

所述第三電極和第四電極通過設于所述切割道的金屬薄膜導電連接。

作為上述技術方案的改進，所述切割道的側壁具有傾斜角度。

作為上述技術方案的改進，所述傾斜角度≤60度。

作為上述技術方案的改進，所述切割道的寬度為10-20μm。

作為上述技術方案的改進，所述切割道的寬度為13-18μm。

作為上述技術方案的改進，所述第一電極、第二電極、第三電極和第四電極依次包括第一Cr層，Al層、第二Cr層、第一Ti層、第一Au層、第三Cr層、第二Ti層和第二Au層。

作為上述技術方案的改進，所述第二半導體層與透明導電層之間，第四半導體層與透明導電層之間還設有透明導電層。

作為上述技術方案的改進，所述第一半導體層與基片之間，第二半導體層與基片之間還設有鋸齒狀外延緩沖層。

實施本實用新型，具有如下有益效果：

1.本實用新型僅具有一層鈍化層，其可有效縮短制造周期，節省成本。