[實用新型]一種高壓LED芯片有效
| 申請號： | 201920747346.6 | 申請日： | 2019-05-22 |
| 公開（公告）號： | CN209822673U | 公開（公告）日： | 2019-12-20 |
| 發明（設計）人： | 王兵;王碩;張狀;鄧梓陽;莊家銘 | 申請（專利權）人： | 佛山市國星半導體技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/08;H01L33/36;H01L33/38 |
| 代理公司： | 44202 廣州三環專利商標代理有限公司 | 代理人： | 胡楓 |
| 地址： | 528200 廣東省佛山市南海區獅*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體層 發光結構 本實用新型 第三電極 切割道 電極 源層 高壓LED芯片 導電連接 第二電極 第一電極 金屬薄膜 制造成本 鈍化層 光刻 切割 | ||
1.一種高壓LED芯片，其特征在于，包括基片，設于基片上的第一發光結構與第二發光結構，位于所述第一發光結構與第二發光結構之間的切割道；以及設于所述第一發光結構、第二發光結構和切割道上的鈍化層；
所述第一發光結構包括第一半導體層、第一有源層、第二半導體層、設于所述第二半導體層的第一電極和設于所述第一半導體層的第二電極；
所述第二發光結構包括第三半導體層、第二有源層、第四半導體層、設于所述第三半導體層的第三電極和設于所述第四半導體層的第四電極；
所述第三電極和第四電極通過設于所述切割道的金屬薄膜導電連接。
2.如權利要求1所述的高壓LED芯片，其特征在于，所述切割道的側壁具有傾斜角度。
3.如權利要求2所述的高壓LED芯片，其特征在于，所述傾斜角度≤60度。
4.如權利要求2所述的高壓LED芯片，其特征在于，所述切割道的寬度為10-20μm。
5.如權利要求4所述的高壓LED芯片，其特征在于，所述切割道的寬度為13-18μm。
6.如權利要求1所述的高壓LED芯片，其特征在于，所述第一電極、第二電極、第三電極或第四電極依次包括第一Cr層，Al層、第二Cr層、第一Ti層、第一Au層、第三Cr層、第二Ti層和第二Au層。
7.如權利要求1所述的高壓LED芯片，其特征在于，所述第二半導體層與透明導電層之間，第四半導體層與透明導電層之間還設有透明導電層。
8.如權利要求1所述的高壓LED芯片，其特征在于，所述第一半導體層與基片之間，第二半導體層與基片之間還設有鋸齒狀外延緩沖層。
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