[實(shí)用新型]基于MPPC陣列的α、β和γ表面污染儀探測(cè)器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201920745114.7 | 申請(qǐng)日: | 2019-05-23 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN210294539U | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-04-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張志勇;劉思平;李晨 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 上海仁機(jī)儀器儀表有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G01T1/167 | 分類(lèi)號(hào): | G01T1/167;G01T1/20 |
| 代理公司: | 上海領(lǐng)洋專(zhuān)利代理事務(wù)所(普通合伙) 31292 | 代理人: | 羅曉鵬 |
| 地址: | 200124 上海市崇明區(qū)橫沙鄉(xiāng)富*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 mppc 陣列 表面 污染 探測(cè)器 | ||
本實(shí)用新型公開(kāi)了一種基于MPPC陣列的α、β和γ表面污染儀探測(cè)器,該探測(cè)器包括探測(cè)粒子所產(chǎn)生的光子的雙閃探測(cè)器,用于將所述雙閃探測(cè)器探測(cè)到的光子進(jìn)行反射的反射碗(1),用于接收所述反射碗反射的光子并將光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電荷信號(hào)的硅光電倍增器,以及用于對(duì)所述硅光電倍增器形成的電荷信號(hào)進(jìn)行活度測(cè)量的信號(hào)處理電路。本實(shí)用新型提供的探測(cè)器利用硅光電倍增器實(shí)現(xiàn)光信號(hào)與電荷信號(hào)之間的轉(zhuǎn)換硅光電倍增器電壓低、體積小、可陣列使用,解決了探測(cè)面的位置響應(yīng)差的問(wèn)題。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種基于MPPC陣列的α、β和γ表面污染儀探測(cè)器。
背景技術(shù)
目前的表面污染儀,一般采用雙閃探測(cè)器作為α、β和γ探測(cè)器,通過(guò)光電倍增管(PMT)作為光電轉(zhuǎn)換器件把光子轉(zhuǎn)換為電子,再配合運(yùn)放和比較器輸出核脈沖,從而完成整個(gè)測(cè)量過(guò)程。
現(xiàn)有的α、β和γ表面污染儀,由于使用PMT作為光電轉(zhuǎn)換器件,其體積大、需要幾百甚至上千伏的高壓才能工作、而且探測(cè)面的位置響應(yīng)一致性比較差。
實(shí)用新型內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的問(wèn)題,本實(shí)用新型的目的在于提供一種體積小,能夠解決探測(cè)面的位置相應(yīng)差的問(wèn)題的基于MPPC陣列的α、β和γ表面污染儀探測(cè)器。
為實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的目的,在此提供基于MPPC陣列的α、β和γ表面污染儀探測(cè)器包括:
雙閃探測(cè)器,探測(cè)粒子所產(chǎn)生的光子;
反射碗,用于將所述雙閃探測(cè)器探測(cè)到的光子進(jìn)行反射;
硅光電倍增器,用于接收所述反射碗反射的光子并將光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電荷信號(hào);
信號(hào)處理電路,用于對(duì)所述硅光電倍增器形成的電荷信號(hào)進(jìn)行活度測(cè)量。
進(jìn)一步的,所述信號(hào)處理電路包括依次串聯(lián)的運(yùn)算放大器、比較器和計(jì)數(shù)器。
進(jìn)一步的,本實(shí)用新型提供的探測(cè)器還包括設(shè)置于所述雙閃探測(cè)器光子探測(cè)面的避光膜。
進(jìn)一步的,本實(shí)用新型所提供的探測(cè)器還包括貼靠所述避光膜設(shè)置的保護(hù)網(wǎng)。
本實(shí)用新型的有有益效果是:本實(shí)用新型提供的探測(cè)器利用硅光電倍增器實(shí)現(xiàn)光信號(hào)與電荷信號(hào)之間的轉(zhuǎn)換硅光電倍增器電壓低、體積小、可陣列使用,解決了探測(cè)面的位置響應(yīng)差的問(wèn)題。
附圖說(shuō)明
圖1為本實(shí)用新型所提供的基于MPPC陣列的α、β和γ表面污染儀探測(cè)器的結(jié)構(gòu)圖;
圖2為本實(shí)用新型所提供的基于MPPC陣列的α、β和γ表面污染儀探測(cè)器的原理框圖;
圖中:1-反射碗,2-保護(hù)網(wǎng),3-雙閃探測(cè)器支架,4-第一PCB板,5-第二PCB板,6-避光膜支架,7-螺絲。
具體實(shí)施方式
在此詳細(xì)地對(duì)示例性實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明,該示例在附圖中,下面的描述涉及附圖時(shí),除非另有說(shuō)明,不同附圖中的相同數(shù)字表示相同或相似的要素。
為了解決現(xiàn)有表面污染儀存在體積大、探測(cè)面的位置響應(yīng)一致性比較差問(wèn)題,本實(shí)用新型提供一種基于MPPC陣列的α、β和γ表面污染儀探測(cè)器,該探測(cè)器包括:
雙閃探測(cè)器,探測(cè)粒子所產(chǎn)生的光子;
反射碗1,用于將雙閃探測(cè)器探測(cè)到的光子進(jìn)行反射;
硅光電倍增器,用于接收反射碗反射的光子并將光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電荷信號(hào);
信號(hào)處理電路,用于對(duì)硅光電倍增器形成的電荷信號(hào)進(jìn)行活度測(cè)量。
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