[實用新型]一種饋電結構及天線

有效

• 申請號: 201920732300.7
• 申請日: 2019-05-21
• 公開（公告）號: CN210120239U
• 公開（公告）日: 2020-02-28
• 發明（設計）人: 時文文;馮志成
• 申請（專利權）人: 深圳市海能達通信有限公司
• 主分類號: H01Q1/50
• 分類號: H01Q1/50;H01Q21/00
• 代理公司: 深圳市瑞方達知識產權事務所(普通合伙) 44314
• 代理人: 張亞菊;郭方偉

本實用新型涉及一種饋電結構及天線，本實用新型的一種饋電結構包括具有相對的第一表面和第二表面的基板；基板包括：在第一表面和第二表面之間層疊設置的多個介質層，貫穿多個介質層以及第一表面和第二表面的金屬化通孔；在多個介質層之間、圍繞金屬化通孔并與金屬化通孔保持預設距離的多個導電層；以及貫穿部分介質層與導電層電性連接的多個金屬化埋孔；其中多個金屬化埋孔圍繞金屬化通孔呈圓周排列。實施本實用新型結構簡單，易于共形，成本低，應用場景廣泛。

技術領域

本實用新型涉及天線饋電技術領域，更具體地說，涉及一種饋電結構及天線。

背景技術

在高速通信系統中，通過對陣列天線進行波束賦形，實現大空域覆蓋和寬角掃描，可以顯著增加系統的通信容量，提高抗干擾能力。現有陣列天線饋電結構存在工作頻帶窄、饋電網絡占用空間大、集成度低等缺陷，不能同時滿足寬帶和低輪廓集成共形的應用需求。因此在陣列天線應用中，饋電結構的合理設計至關重要。

現有陣列天線饋電結構主要有三種方案：第一種是串饋-側饋結構；第二種是并饋-側饋結構；第三種是并饋-同軸背饋結構。

其中串饋-側饋結構的缺點包括：1)方向圖指向隨頻率變化，工作帶寬比較窄；2)各陣元激勵幅度采用迭代法設計，各陣元尺寸需要調整，設計復雜度高。

并饋-側饋結構的缺點是饋電網絡占據空間較大，陣元列間距大，方向圖容易出現柵瓣。

并饋-同軸背饋結構的缺點是采用兩塊PCB，集成度低，同軸連接器焊接重復性差。

實用新型內容

本實用新型要解決的技術問題在于，針對現有技術的上述現有技術缺陷，提供一種饋電結構及天線。

本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是：構造一種饋電結構，包括具有相對的第一表面和第二表面的基板；所述基板包括：在所述第一表面和第二表面之間層疊設置的多個介質層，貫穿所述多個介質層以及所述第一表面和第二表面的金屬化通孔；在所述多個介質層之間、圍繞所述金屬化通孔并與所述金屬化通孔保持預設距離的多個導電層；以及貫穿部分介質層與所述導電層電性連接的多個金屬化埋孔；

其中所述多個金屬化埋孔圍繞所述金屬化通孔呈圓周排列。

優選地，所述圓周排列以所述金屬化通孔為圓心。

優選地，所述多個金屬化埋孔包括九個金屬化埋孔，所述九個金屬化埋孔繞所述金屬化通孔等分圓周排列。

優選地，所述多個介質層包括緊貼所述第一表面的第一介質層和緊貼所述第二表面的第二介質層，以及設置與所述第一介質層和第二介質層之間的第三介質層，所述導電層包括設于所述第一介質層與所述第三介質層之間的第一導電層和設于所述第二介質層與所述第三介質層之間的第二導電層；

所述金屬化埋孔貫穿所述第三介質層。

優選地，所述第一介質層、第二介質層和所述第三介質層的材質相同或者不相同。

優選地，所述第一介質層、第二介質層和所述第三介質層的材質為 Rogers4350、FR4和TLY-5中的一種或者多種。

優選地，所述第一介質層、第二介質層和所述第三介質層的厚度相同或者不相同。

優選地，所述第一介質層的厚度大于所述第二介質層的厚度。

本實用新型還構造一種天線，包括天線輻射片，功分網絡，以及上面任意一項所述的饋電結構，所述饋電結構的所述金屬化通孔在其所述第一表面與所述天線輻射片電性連接，所述饋電結構的所述金屬化通孔在其所述第二表面與所述功分網絡電性連接。

可選地，所述天線輻射片、所述功分網絡和所述饋電結構集成于同一PCB 板。