[實(shí)用新型]基于金屬納米電極的定向發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件陣列有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201920723364.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-05-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN210245553U | 公開(公告)日: | 2020-04-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張新平;黃翠鶯 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L51/52 | 分類號(hào): | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京思海天達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11203 | 代理人: | 張立改 |
| 地址: | 100124 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 金屬 納米 電極 定向 發(fā)射 有機(jī) 電致發(fā)光 器件 陣列 | ||
基于金屬納米電極的定向發(fā)射有機(jī)電致發(fā)光器件陣列,屬于有機(jī)光電子學(xué)和納米光子學(xué)技術(shù)領(lǐng)域。在玻璃基底上,利用光刻膠納米光柵作為模版,在納米光柵每一個(gè)凸起柵線的同一側(cè)傾斜面上,制備與所在傾斜面平行的納米尺度的有機(jī)電致發(fā)光器件,所述的納米尺度的有機(jī)電致發(fā)光器件為以凸起柵線側(cè)面向外依次層疊在一起的陽極層Au、空穴傳輸層PEDOT:PSS、有機(jī)發(fā)光層F8BT薄膜、電子傳輸層LiF、陰極Al。在納米光柵結(jié)構(gòu)上形成傾斜的有機(jī)電致發(fā)光器件,所有的有機(jī)電致發(fā)光器件形成陣列式結(jié)構(gòu)。本器件實(shí)現(xiàn)了其端發(fā)射工作方式,獲得了定向輸出的納米OLED陣列。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型屬于有機(jī)光電子學(xué)和納米光子學(xué)技術(shù)領(lǐng)域,提出了一種納米尺度有機(jī)半導(dǎo)體電致發(fā)光器件(OLED)的設(shè)計(jì)思想,實(shí)現(xiàn)了其端發(fā)射工作方式,獲得了定向輸出的OLED陣列。
背景技術(shù)
有機(jī)電致發(fā)光器件(organic light emitting diodes,OLED)具有視角寬、重量輕、適用于柔性基底、工藝簡單等一系列特點(diǎn),在新型顯示和固態(tài)照明領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用前景。典型的透明基底“三明治”平板結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件的光耦合輸出效率或輸出光的提取效率只有20%左右,有80%的光被限制在器件內(nèi)部或者在傳輸?shù)倪^程中被損耗。通過在器件的活性層、電極層甚至基底引入微納結(jié)構(gòu),利用衍射和散射效應(yīng)可以提高器件的耦合輸出效率。相關(guān)研究已有較廣泛報(bào)道。但是,這些器件依舊采用平板“三明治”結(jié)構(gòu),并沒有獲得較理想的優(yōu)化效果。目前對(duì)于OLED器件的研究多是效率,色度和顏色的穩(wěn)定性等方面,器件的發(fā)射方向性沒有得到足夠關(guān)注。制備具有定向發(fā)射特性的OLED器件在生物傳感器、自動(dòng)立體裸眼三維顯示器以及可見光通信方向具有重要應(yīng)用價(jià)值。此外,隨著納米技術(shù)的飛速發(fā)展,尤其是微納加工技術(shù)水平和器件設(shè)計(jì)能力的不斷提升,對(duì)于器件微型化和集成度的要求也日益增大。制備微納尺度的發(fā)光器件成為當(dāng)前光電子技術(shù)領(lǐng)域的重點(diǎn)發(fā)展方向。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型提出一種具有端發(fā)射、定向輸出特性的納米尺度有機(jī)電致發(fā)光器件陣列的設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了預(yù)期功能。
基于金屬納米電極的定向發(fā)射有機(jī)半導(dǎo)體電致發(fā)光器件陣列,其特征在于,在玻璃基底上,利用光刻膠納米光柵作為模版,在納米光柵每一個(gè)凸起柵線的同一側(cè)傾斜面上,制備與所在傾斜面平行的納米尺度的有機(jī)電致發(fā)光器件。所述的納米尺度的有機(jī)電致發(fā)光器件為以凸起柵線側(cè)面向外依次層疊在一起的陽極層Au(厚度范圍優(yōu)選 40~100nm)、空穴傳輸層PEDOT:PSS(厚度范圍優(yōu)選5~20nm)、有機(jī)發(fā)光層F8BT薄膜(厚度范圍優(yōu)選60~100nm)、電子傳輸層LiF (厚度范圍優(yōu)選1~2nm)、陰極Al(厚度范圍優(yōu)選60~100nm)。在納米光柵結(jié)構(gòu)上形成傾斜的有機(jī)電致發(fā)光器件,所有的有機(jī)電致發(fā)光器件形成陣列式結(jié)構(gòu),如圖1所示。凸起柵線傾斜面和法線的夾角也即有機(jī)電致發(fā)光器件的傾斜角度為10°~80°優(yōu)選30°。此角度可通過改變光柵形貌實(shí)現(xiàn)較大范圍的調(diào)諧,和光柵周期、占空比、調(diào)制深度、傾斜蒸鍍的角度密切相關(guān)。本實(shí)用新型所述的定向發(fā)射為有機(jī)電致發(fā)光器件所在的傾斜面方向,以光發(fā)射軸為中心強(qiáng)度降為1/2處的角度范圍定義為光發(fā)射全角。光發(fā)射全角范圍為有機(jī)電致發(fā)光器件的傾斜角度±10°所在的角度范圍。
具體制備流程,共包含以下四個(gè)步驟:
步驟一:干涉光刻技術(shù)制備光刻膠光柵模版;
步驟二:在光柵柵線同一側(cè)的所有傾斜面上沉積Au的納米薄膜陣列作為陽極層;
步驟三:然后在陽極層上依次旋涂PEDOT:PSS和F8BT溶液作為空穴傳輸層和有機(jī)發(fā)光層;
步驟四:然后在步驟三的傾斜面上依次沉積LiF和Al納米薄膜陣列作為電子傳輸層和陰極層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





