[實用新型]基于金屬納米電極的定向發射有機電致發光器件陣列

有效

• 申請號: 201920723364.0
• 申請日: 2019-05-20
• 公開（公告）號: CN210245553U
• 公開（公告）日: 2020-04-03
• 發明（設計）人: 張新平;黃翠鶯
• 申請（專利權）人: 北京工業大學
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203
• 代理人: 張立改

1.一種基于金屬納米電極的定向發射有機電致發光器件陣列，其特征在于，在玻璃基底上，利用光刻膠納米光柵作為模版，在納米光柵每一個凸起柵線的同一側傾斜面上，制備與所在傾斜面平行的納米尺度的有機電致發光器件，所述的納米尺度的有機電致發光器件為以凸起柵線側面向外依次層疊在一起的陽極層Au、空穴傳輸層PEDOT:PSS、有機發光層F8BT薄膜、電子傳輸層LiF、陰極Al；在納米光柵結構上形成傾斜的有機電致發光器件，所有的有機電致發光器件形成陣列式結構。

2.按照權利要求1所述的一種基于金屬納米電極的定向發射有機電致發光器件陣列，其特征在于，陽極層Au厚度范圍40～100nm。

3.按照權利要求1所述的一種基于金屬納米電極的定向發射有機電致發光器件陣列，其特征在于，空穴傳輸層PEDOT:PSS厚度范圍5～20nm。

4.按照權利要求1所述的一種基于金屬納米電極的定向發射有機電致發光器件陣列，其特征在于，有機發光層F8BT薄膜厚度范圍60～100nm。

5.按照權利要求1所述的一種基于金屬納米電極的定向發射有機電致發光器件陣列，其特征在于，電子傳輸層LiF的厚度范圍1～2nm。

6.按照權利要求1所述的一種基于金屬納米電極的定向發射有機電致發光器件陣列，其特征在于，陰極Al的厚度范圍60～100nm。

7.按照權利要求1所述的一種基于金屬納米電極的定向發射有機電致發光器件陣列，其特征在于，凸起柵線傾斜面和法線的夾角也即有機電致發光器件的傾斜角度為10°～80°。

8.按照權利要求7所述的一種基于金屬納米電極的定向發射有機電致發光器件陣列，其特征在于，角度為30°。

9.按照權利要求1所述的一種基于金屬納米電極的定向發射有機電致發光器件陣列，其特征在于，所述的定向發射為有機電致發光器件所在的傾斜面方向，以光發射軸為中心強度降為1/2處的角度范圍定義角度范圍。