[實(shí)用新型]一種低剩余幅度調(diào)制的電光相位調(diào)制器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201920675611.4
• 申請(qǐng)日: 2019-05-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN210005814U
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-01-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 賈森;王先華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院西安光學(xué)精密機(jī)械研究所
• 主分類號(hào): G02F1/03
• 分類號(hào): G02F1/03;G02F1/00
• 代理公司: 61211 西安智邦專利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 史曉麗

1.一種低剩余幅度調(diào)制的電光相位調(diào)制器，包括殼體(100)以及設(shè)置在殼體(100)內(nèi)的電光晶體(200)和射頻電路(300)；電光晶體(200)包括上電極面ABCD、下電極面A′B′C′D′、第一通光面ACA′C′、第二通光面DBD′B′、第一反光面ABA′B′和第二反光面CDC′D′；A、B、D、C分別為上電極面四個(gè)頂點(diǎn)的順序標(biāo)記，A′、B′、D′、C′分別為下電極面四個(gè)頂點(diǎn)的順序標(biāo)記；

殼體(100)上其中兩個(gè)相對(duì)的側(cè)壁上分別設(shè)置有第一通光孔(102)和第二通光孔(101)；殼體(100)的側(cè)壁上還設(shè)置有射頻信號(hào)轉(zhuǎn)接頭(103)；

射頻電路(300)的兩個(gè)信號(hào)輸入電極與所述射頻信號(hào)轉(zhuǎn)接頭(103)的兩極分別連接，射頻電路(300)的兩個(gè)信號(hào)輸出電極分別與電光晶體(200)的上電極面ABCD和下電極面A′B′C′D′連接；

其特征在于：

上電極面ABCD與下電極面A′B′C′D′為全等的梯形，且二者相互平行；上電極面ABCD和下電極面A′B′C′D′正對(duì)部分均鍍有導(dǎo)電膜；

第一通光面ACA′C′和第二通光面DBD′B′均位于上電極面ABCD與下電極面A′B′C′D′之間，且二者關(guān)于上電極面ABCD中線對(duì)稱；第一通光面ACA′C′和第二通光面DBD′B′均與上電極面ABCD垂直；

第一反光面ABA′B′和第二反光面CDC′D′平行，并均與上電極面ABCD垂直，且第一反光面ABA′B′和第二反光面CDC′D′上均鍍有對(duì)所述電光晶體所通過(guò)光波長(zhǎng)的介質(zhì)全反射膜；

第一反光面ABA′B′與第一通光面ACA′C′之間的夾角、第一反光面ABA′B′與第二通光面DBD′B′之間的夾角均為布儒斯特角的余角；

電光晶體(200)的光軸方向?yàn)閺牡谝环垂饷鍭BA′B′指向第二反光面CDC′D′的方向；

所述第一反光面ABA′B′的長(zhǎng)邊長(zhǎng)度根據(jù)公式確定，其中：n是電光晶體(200)對(duì)尋常光的折射率，h是第一反光面ABA′B′與第二反光面CDC′D′之間的距離，j是光束在第二反光面CDC′D′的反射次數(shù)；

所述第一通光孔(102)與所述第一通光面ACA′C′位置相對(duì)應(yīng)，第二通光孔(101)與所述第二通光面DBD′B′位置相對(duì)應(yīng)；第一通光孔(102)與第二通光孔(101)的中心軸線，均與所述第一反光面ABA′B′和第二反光面CDC′D′平行，并且均穿過(guò)第一通光面ACA′C′和第二通光面DBD′B′的幾何中心。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低剩余幅度調(diào)制的電光相位調(diào)制器，其特征在于：電光晶體(200)的相鄰兩個(gè)面間的角度誤差不大于2角分。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低剩余幅度調(diào)制的電光相位調(diào)制器，其特征在于：電光晶體(200)的兩個(gè)平行面之間的平行度不大于2角分。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低剩余幅度調(diào)制的電光相位調(diào)制器，其特征在于：第一通光面ACA′C′、第二通光面DBD′B′、第一反光面ABA′B′和第二反光面CDC′D′的表面粗糙度均優(yōu)于0.008微米。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低剩余幅度調(diào)制的電光相位調(diào)制器，其特征在于：第一反光面ABA′B′和第二反光面CDC′D′鍍膜后的反射率均不低于99.7％。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低剩余幅度調(diào)制的電光相位調(diào)制器，其特征在于：所述導(dǎo)電膜為金膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低剩余幅度調(diào)制的電光相位調(diào)制器，其特征在于：所述殼體(100)采用銅材制作。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一所述的低剩余幅度調(diào)制的電光相位調(diào)制器，其特征在于：上電極面ABCD與下電極面A′B′C′D′之間的距離大于入射光束的直徑。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的低剩余幅度調(diào)制的電光相位調(diào)制器，其特征在于：電光晶體(200)為鈮酸鋰晶體、摻鎂鈮酸鋰晶體或磷酸鈦氧鉀晶體。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的低剩余幅度調(diào)制的電光相位調(diào)制器，其特征在于：所述下電極面A′B′C′D′上設(shè)置有導(dǎo)電膠，電光晶體(200)通過(guò)所述導(dǎo)電膠固定在殼體(100)內(nèi)。