[實(shí)用新型]一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)以及半導(dǎo)體多層芯片封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201920667688.7
• 申請(qǐng)日: 2019-05-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN209880544U
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-12-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂嬌;陳彥亨;吳政達(dá);林正忠
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中芯長(zhǎng)電半導(dǎo)體(江陰)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/56
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/56;H01L23/31;H01L23/498
• 代理公司: 31219 上海光華專(zhuān)利事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 余明偉

1.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)包括：

待封芯片，所述待封芯片包括襯底以及位于襯底之上的金屬化層，其中，所述金屬化層上表面帶有對(duì)位標(biāo)記；

塑封層，形成于所述待封芯片上表面，所述塑封層包括位于所述待封芯片上表面，與所述金屬化層電性連接的金屬柱、位于所述對(duì)位標(biāo)記外圍的半密封空腔以及包覆所述金屬柱及半密封空腔的塑封料層；

重新布線(xiàn)層，位于所述塑封層上表面，所述重新布線(xiàn)層包括電介質(zhì)層和位于電介質(zhì)層之上的金屬線(xiàn)層，其中，所述電介質(zhì)層暴露出所述金屬柱的上表面，所述金屬線(xiàn)層與所述金屬柱電性連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半密封空腔與所述金屬化層之間還有一粘結(jié)層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半密封空腔的橫截面形狀包括圓形、三角形、方形或六邊形。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬化層包括介質(zhì)層和形成于介質(zhì)層中的金屬互連結(jié)構(gòu)，所述金屬互連結(jié)構(gòu)的材料包括銅、鋁及鈦中的任意一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬互連結(jié)構(gòu)的上表面與介質(zhì)層的上表面平齊或高于介質(zhì)層的上表面。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬柱的材料包括銅、鋁及鈦中的任意一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半密封空腔的材料包括玻璃、塑料、陶瓷、金屬。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述塑封料層的材料包括環(huán)氧基樹(shù)脂、液體型熱固環(huán)氧樹(shù)脂及塑性化合物中的一種。

9.一種半導(dǎo)體多層芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該結(jié)構(gòu)包括鍵合于權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)之上的至少一第二金屬化層，所述第二金屬化層上表面具有對(duì)位標(biāo)記；至少一第二塑封層，形成于所述第二金屬化層上表面，所述第二塑封層包括位于所述第二金屬化層上表面，與所述第二金屬化層電性連接的第二金屬柱、位于所述第二對(duì)位標(biāo)記外圍的第二半密封空腔以及包覆所述第二金屬柱及第二半密封空腔的第二塑封料層；至少一第二重新布線(xiàn)層，形成于所述第二塑封層上表面。