[實用新型]一種半導體封裝結構以及半導體多層芯片封裝結構

有效

• 申請號: 201920667688.7
• 申請日: 2019-05-10
• 公開（公告）號: CN209880544U
• 公開（公告）日: 2019-12-31
• 發明（設計）人: 呂嬌;陳彥亨;吳政達;林正忠
• 申請（專利權）人: 中芯長電半導體(江陰)有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/31;H01L23/498
• 代理公司: 31219 上海光華專利事務所(普通合伙)
• 代理人: 余明偉

本實用新型提供一種半導體封裝結構，所述半導體封裝結構包括：待封芯片，所述待封芯片包括襯底及位于襯底之上的金屬化層，其中，所述待封芯片上表面帶有對位標記；塑封層，形成于所述待封芯片上表面，所述塑封層包括位于所述待封芯片上表面，與所述金屬化層電性連接的金屬柱、位于所述對位標記外圍的半密封空腔以及包覆所述金屬柱及半密封空腔的塑封料層；重新布線層，位于所述塑封層上表面，所述重新布線層包括電介質層和位于電介質層之上的金屬線層。通過引入可以保護對位標記不被污染的半密封空腔，能夠在塑封后，不用其他額外工藝，就可以直接暴露出對位標記，對于后續制程提供精確的定位。

技術領域

本實用新型涉及半導體技術封裝領域，尤其涉及一種半導體封裝結構以及半導體多層芯片封裝結構。

背景技術

隨著電子產品多功能化和小型化的潮流，高密度微電子組裝技術在新一代電子產品上逐漸成為主流。為了配合新一代電子產品的發展，尤其是智能手機、掌上電腦、超級本等產品的發展，芯片的尺寸向密度更高、速度更快、尺寸更小、成本更低等方向發展。扇出型晶圓級封裝技術的出現，為技術的提升提供了更廣闊的發展前景。

在扇出型多層封裝結構中，塑封時所用的塑封料為遮光材料，在塑封工藝結束后，會將前層的對位標記遮擋住，導致后續的曝光、刻蝕等工藝無法找到合適的、滿足高精度要求的對位標記。

因此，在半導體芯片封裝中，如何在塑封工藝后進行準確對位是本領域技術人員亟待解決的一個問題。

實用新型內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本實用新型的目的在于提出一種半導體封裝結構，通過加入一半密封結構，使其在塑封工藝之前遮擋住對位標記，便于在研磨工藝之后，不用其他額外的工藝制程就可以直接暴露處對位點。

為實現上述目的，本實用新型提供一種半導體封裝結構，所述封裝結構包括：

待封芯片，所述待封芯片包括襯底以及位于襯底之上的金屬化層，其中，所述金屬化層上表面帶有對位標記；

塑封層，形成于所述待封芯片上表面，所述塑封層包括位于所述待封芯片上表面，與所述金屬化層電性連接的金屬柱、位于所述對位標記外圍的半密封空腔以及包覆所述金屬柱及半密封空腔的塑封料層；

重新布線層，位于所述塑封層上表面，所述重新布線層包括電介質層和位于電介質層之上的金屬線層，其中，所述電介質層暴露出所述金屬柱的上表面，所述金屬線層與所述金屬柱電性連接。

可選地，所述半密封空腔與所述金屬化層之間還有一粘結層。

可選地，所述半密封空腔的橫截面形狀包括圓形、三角形、方形或六邊形。

可選地，所述金屬化層包括介質層和形成于介質層中的金屬互連結構，所述金屬互連結構的材料包括銅、鋁及鈦中的任意一種。

可選地，所述金屬互連結構的上表面與介質層的上表面平齊或高于介質層的上表面。

可選地，所述金屬柱的材料包括銅、鋁及鈦中的任意一種。

可選地，所述半密封空腔的材料包括玻璃、塑料、陶瓷、金屬。

可選地，所述塑封料層的材料包括環氧基樹脂、液體型熱固環氧樹脂及塑性化合物中的一種。

本實用新型提供一種半導體多層芯片封裝結構，其特征在于，該結構包括鍵合于上述任一項所述的半導體芯片封裝結構之上的至少一第二金屬化層，所述第二金屬化層上表面具有對位標記；至少一第二塑封層，形成于所述第二金屬化層上表面，所述第二塑封層包括位于所述第二金屬化層上表面，與所述第二金屬化層電性連接的第二金屬柱、位于所述第二對位標記外圍的第二半密封空腔以及包覆所述第二金屬柱及第二半密封空腔的第二塑封料層；至少一第二重新布線層，形成于所述第二塑封層上表面。