[實用新型]反熔絲存儲單元有效
| 申請號： | 201920666502.6 | 申請日： | 2019-05-10 |
| 公開（公告）號： | CN209785928U | 公開（公告）日： | 2019-12-13 |
| 發明（設計）人： | 李雄 | 申請（專利權）人： | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/525 | 分類號： | H01L23/525;H01L27/112;H01L21/768;H01L21/8246 |
| 代理公司： | 31294 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人： | 孫佳胤;高德志 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 柵介質層 電極層 互連區 源區 反熔絲存儲單元 接觸插塞 條狀區 襯底 半導體 本實用新型 編程電壓 貫穿 覆蓋 | ||
1.一種反熔絲存儲單元，其特征在于，包括：
半導體襯底；
位于所述半導體襯底中的有源區，所述有源區包括互連區和條狀區，所述條狀區位于互連區一側并與互連區連接；
覆蓋所述有源區全部表面的柵介質層；
位于所述柵介質層上的上電極層，所述上電極層完全覆蓋所述有源區表面上的所述柵介質層；
貫穿所述上電極層和所述柵介質層且與所述互連區連接的第一接觸插塞；
與所述上電極層連接的第二接觸插塞。
2.如權利要求1所述的反熔絲存儲單元，其特征在于，所述有源區的形狀為長方形、正方形或不規則形狀，所述上電極層的形狀為長方形、正方形或不規則形狀。
3.如權利要求1或2所述的反熔絲存儲單元，其特征在于，所述上電極層的面積大于或等于所述有源區的面積。
4.如權利要求1所述的反熔絲存儲單元，其特征在于，所述上電極層和所述柵介質層中具有第一通孔，所述第一通孔底部暴露出所述互連區的表面，所述第一接觸插塞位于所述第一通孔中；所述互連區一側的所述上電極層上具有第二通孔，所述第二接觸插塞位于所述第二通孔中。
5.如權利要求4所述的反熔絲存儲單元，其特征在于，所述第一接觸插塞與所述上電極層之間具有絕緣層，所述絕緣層的上表面不低于所述上電極層的上表面，所述絕緣層底面接觸所述互連區。
6.如權利要求5所述的反熔絲存儲單元，其特征在于，所述絕緣層的導電性小于所述柵介質層的導電性。
7.如權利要求1所述的反熔絲存儲單元，其特征在于，在對所述反熔絲存儲單元進行編程時，在所述第一接觸插塞和所述第二接觸插塞上施加編程電壓，所述編程電壓使得所述柵介質層被擊穿。
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