[實用新型]一種晶體生長裝置

有效

• 申請號: 201920645452.3
• 申請日: 2019-04-30
• 公開（公告）號: CN211036174U
• 公開（公告）日: 2020-07-17
• 發明（設計）人: 沈偉民
• 申請（專利權）人: 上海新昇半導體科技有限公司
• 主分類號: C30B15/00
• 分類號: C30B15/00;C30B15/10;C30B15/14;C30B29/06
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

本實用新型提供一種晶體生長裝置，包括：爐體，所述爐體內設置有坩堝，所述坩堝內包括熔體；提拉裝置，所述提拉裝置設置在所述坩堝的上方，配置為在晶體生長的過程中提拉晶體；熔融蓋，所述熔融蓋固定在所述提拉裝置的下端，配置為減少所述熔體的熱損失。根據本實用新型提供的晶體生長裝置，通過在坩堝的上方設置熔融蓋，減少了熔體的熱損失，縮短了原料在坩堝中加熱熔化的時間，降低了加熱器的能耗，進而提高了生產效率，降低了生產成本。

技術領域

本實用新型涉及晶體生長技術領域，具體而言涉及一種晶體生長裝置。

背景技術

隨著集成電路(Integrated Circuit，IC)產業的迅猛發展，器件制造商對IC級硅單晶材料提出了更加嚴格的要求，而大直徑單晶硅是制備器件所必須的襯底材料。提拉法(Czochralski，CZ法)是現有技術中由熔體生長單晶的一項最主要的方法，其具體做法是將構成晶體的原料放在坩堝中加熱熔化，在熔體表面接籽晶提拉熔體，在受控條件下，使籽晶和熔體在交界面上不斷進行原子或分子的重新排列，隨降溫逐漸凝固而生長出單晶體。

然而在晶體生長過程中，熔體的熱量以熱輻射等形式傳遞到爐體中，造成熱損失。導致原料放在坩堝中加熱熔化的時間增長，加熱器的能耗增大，生產效率降低，生產成本升高。

因此，有必要提出一種新的晶體生長裝置，以解決上述問題。

實用新型內容

在實用新型內容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式部分中進一步詳細說明。本實用新型的實用新型內容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特征和必要技術特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術方案的保護范圍。

本實用新型提供一種晶體生長裝置，包括：

爐體，所述爐體內設置有坩堝，所述坩堝內包括熔體；

提拉裝置，所述提拉裝置設置在所述坩堝的上方，配置為在晶體生長的過程中提拉晶體；

熔融蓋，所述熔融蓋固定在所述提拉裝置的下端，配置為減少所述熔體的熱損失。

進一步，所述熔融蓋由隔熱材料制成。

進一步，所述熔融蓋包括外部殼體部分和內部填充部分，所述外部殼體部分包括硬質塑形材料，所述內部填充部分包括柔性多孔材料和/或硬性多孔材料。

進一步，所述外部殼體部分的材料包括石墨、連續纖維復合材料或鉬。

進一步，所述內部填充部分包括石墨毛氈和/或石墨固氈。

進一步，所述熔融蓋包括圓柱形、球形、橢球形或其組合。

進一步，所述提拉裝置包括提拉晶繩和/或提拉硬桿。

進一步，所述熔融蓋的直徑范圍包括150mm至750mm。

進一步，所述熔融蓋的直徑小于反射屏之間的距離。

根據本實用新型提供的晶體生長裝置，通過在坩堝的上方設置熔融蓋，減少了熔體的熱損失，縮短了原料在坩堝中加熱熔化的時間，降低了加熱器的能耗，進而提高了生產效率，降低了生產成本。

附圖說明

本實用新型的下列附圖在此作為本實用新型的一部分用于理解本實用新型。附圖中示出了本實用新型的實施例及其描述，用來解釋本實用新型的裝置及原理。在附圖中，

圖1為本實用新型的晶體生長裝置的示意圖；

圖2為本實用新型的熔融蓋的俯視圖。

附圖標記

1、爐體 2、提拉晶繩