[實用新型]一種晶體生長裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201920645452.3 | 申請日： | 2019-04-30 |
| 公開（公告）號： | CN211036174U | 公開（公告）日： | 2020-07-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 沈偉民 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海新昇半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/00 | 分類號： | C30B15/00;C30B15/10;C30B15/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務(wù)所 11336 | 代理人： | 董巍;高偉 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 晶體生長 裝置 | ||
1.一種晶體生長裝置，其特征在于，包括：
爐體，所述爐體內(nèi)設(shè)置有坩堝，所述坩堝內(nèi)包括熔體；
提拉裝置，所述提拉裝置設(shè)置在所述坩堝的上方，配置為在晶體生長的過程中提拉晶體；
熔融蓋，所述熔融蓋固定在所述提拉裝置的下端，配置為減少所述熔體的熱損失。
2.如權(quán)利要求1所述的晶體生長裝置，其特征在于，所述熔融蓋由隔熱材料制成。
3.如權(quán)利要求2所述的晶體生長裝置，其特征在于，所述熔融蓋包括外部殼體部分和內(nèi)部填充部分，所述外部殼體部分包括硬質(zhì)塑形材料。
4.如權(quán)利要求3所述的晶體生長裝置，其特征在于，所述外部殼體部分的材料包括石墨、連續(xù)纖維復合材料或鉬。
5.如權(quán)利要求3所述的晶體生長裝置，其特征在于，所述內(nèi)部填充部分包括石墨毛氈和/或石墨固氈。
6.如權(quán)利要求1所述的晶體生長裝置，其特征在于，所述熔融蓋包括圓柱形、球形、橢球形或其組合。
7.如權(quán)利要求1所述的晶體生長裝置，其特征在于，所述提拉裝置包括提拉晶繩和/或提拉硬桿。
8.如權(quán)利要求1所述的晶體生長裝置，其特征在于，所述熔融蓋的直徑范圍包括150mm至750mm。
9.如權(quán)利要求8所述的晶體生長裝置，其特征在于，所述熔融蓋的直徑小于反射屏之間的距離。
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