[實用新型]一種輝光監測電路、輝光監測裝置及刻蝕機

有效

• 申請號: 201920633812.8
• 申請日: 2019-05-05
• 公開（公告）號: CN209843671U
• 公開（公告）日: 2019-12-24
• 發明（設計）人: 劉國梁;李明;李理
• 申請（專利權）人: 深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 44414 深圳中一聯合知識產權代理有限公司
• 代理人: 曾文洪

本申請適用于輝光監測技術領域，提供了一種輝光監測電路、輝光監測裝置及刻蝕機，所述輝光監測電路包括：用于將輝光轉換為對應的監測電壓信號的光電信號轉換模塊；用于將監測電壓信號與參考電壓源輸出的預設參考電壓閾值信號進行比較，并輸出對應的電壓比較信號的比較模塊；根據電壓比較信號和監測控制信號輸出對應的邏輯控制信號的邏輯處理模塊；根據邏輯控制信號生成對應的互鎖開關信號，以控制所述刻蝕機的工作狀態的監測開關模塊。通過對輝光進行實時監控，在輝光出現異常時及時暫停刻蝕工藝，避免了工藝異常只能在下一步工藝完成后才能發現，從而導致產品質量不合格且產品無法返工而報廢，極大的降低了刻蝕機的產品良率的問題。

技術領域

本申請屬于輝光監測技術領域，特別涉及一種輝光監測電路、輝光監測裝置及刻蝕機。

背景技術

現代化大規模集成電路制造需要使用到數十種工藝設備進行幾百道的工藝處理過程，集成電路制造工廠里的設備通常被分為沉積、光刻、刻蝕、擴散等幾個區域，每個區域均由進行相同或相近工藝處理的半導體設備所組成。工廠物料傳輸/管理系統進行不同的區域之間的物料傳輸，而整個硅片的生產工藝由制造執行系統負責協調，統一管理物料在不同區域的不同機臺之間的協調，進而完成整個復雜的半導體工藝制造流程。隨著集成電路制造特征尺寸的不斷減小，所加工硅片表面積的不斷擴大，半導體生產對于工廠自動化水平的要求也不斷提高，機臺之間的工藝轉換時間不斷縮短。半導體刻蝕技術，是按照掩膜圖形或設計要求對半導體襯底表面進行選擇性腐蝕或者剝離的技術，刻蝕機是集成電路生產工藝過程中必不可少的一項工藝設備。例如，Lam Auto Etch系列機臺通常用于刻蝕多晶硅、氮化硅、去除光刻膠浮渣以及掃硅渣等工藝。

然而，產品的關鍵尺寸和形貌的均勻性是產品質量的一個重要衡量標準，在刻蝕過程中，氮化硅局部過刻或輕微殘留不能在當前步驟發現異常，而去光刻膠浮渣，掃硅渣等工藝目前的檢驗和測量手段在當前步驟不能發現，若工藝有異常通常要等下一步工藝完成后才能發現，這兩個步驟之間存在時間差，在該時間差內生產的產品會因為產品質量不合格且產品無法返工而報廢，極大的降低了刻蝕機的產品良率。

實用新型內容

本申請的目的在于提供一種輝光監測電路、輝光監測裝置及刻蝕機，旨在解決工藝有異常通常要等下一步工藝完成后才能發現，這兩個步驟之間存在時間差，在該時間差內生產的產品會因為產品質量不合格且產品無法返工而報廢，極大的降低了刻蝕機的產品良率的問題。

本申請實施例提供了一種輝光監測電路，與監測控制信號源連接，應用于刻蝕機，所述輝光監測電路包括：

用于將所述輝光轉換為對應的監測電壓信號的光電信號轉換模塊；

與所述光電信號轉換模塊連接，用于將所述監測電壓信號與預設的參考電壓閾值信號進行比較，并輸出對應的電壓比較信號的比較模塊；

與所述比較模塊和所述監測控制信號源連接，用于接收所述電壓比較信號和所述監測控制信號源輸出的監測控制信號，并根據所述電壓比較信號和所述監測控制信號輸出對應的邏輯控制信號的邏輯處理模塊；

與所述邏輯處理模塊連接，用于接收所述邏輯控制信號，并根據所述邏輯控制信號生成對應的互鎖開關信號，以控制所述刻蝕機的工作狀態的監測開關模塊。

可選的，所述監測開關模塊包括：

工作電源；

與所述邏輯處理模塊連接，用于接收所述邏輯控制信號，并根據所述邏輯控制信號進行導通或者關斷的開關單元；

與所述工作電源和所述開關單元串聯，用于根據所述開關單元的導通或者關斷輸出對應的繼電器開關信號的繼電器單元；

與所述繼電器單元連接，用于接收所述繼電器開關信號，并根據所述繼電器開關信號輸出對應的互鎖開關信號的互鎖控制單元。

可選的，所述繼電器單元包括：繼電器線圈和繼電器常閉觸點；