[實用新型]一種晶圓升降裝置有效
| 申請號: | 201920630000.8 | 申請日: | 2019-05-05 |
| 公開(公告)號: | CN209658152U | 公開(公告)日: | 2019-11-19 |
| 發明(設計)人: | 翁林 | 申請(專利權)人: | 無錫宇邦半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687;H01L21/67 |
| 代理公司: | 11411 北京聯瑞聯豐知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人: | 黃冠華<國際申請>=<國際公布>=<進入 |
| 地址: | 214000 江蘇省無*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 工藝腔體 托環 軸桿 伺服馬達 波紋管 滑塊 本實用新型 工藝腔 下端面 絲桿 支架 頂針 晶圓升降裝置 抗過載能力 垂直連接 滑動連接 螺旋連接 密封處理 驅動結構 升降裝置 外側設置 小型汽缸 支架側面 側面 上端 電機軸 上端面 體內部 外側面 穿出 種晶 升降 體內 替代 | ||
本實用新型提供了一種晶圓升降裝置,包括工藝腔體,工藝腔體內設置有托環,托環的上端面設置有若干頂針,托環的下端面垂直連接有軸桿,軸桿由工藝腔體的底部穿出,軸桿在工藝腔體內部的部分外側設置有波紋管,波紋管頂部與托環連接且密封處理,波紋管底部與工藝腔體連接;工藝腔體下端面設置有支架,支架側面下部設置有伺服馬達,伺服馬達的電機軸上端連接有絲桿,絲桿上螺旋連接有滑塊,滑塊的外側面與支架的側面滑動連接,滑塊的內側面與軸桿固定連接。本實用新型提供的晶圓升降裝置,使用伺服馬達驅動結構來替代小型汽缸結構,升降精度高,運行平穩,抗過載能力強。
技術領域
本實用新型涉及一種機械裝置,尤其涉及一種實現工藝腔內晶圓上下升降的裝置。
背景技術
半導體200mm晶圓廠,其主流單晶圓工藝腔體中,晶圓的上升下降基本都是由頂針運動來帶動完成的。由于頂針結構簡單,分量輕,所以一般采用小型汽缸來驅動。小型汽缸具有結構簡單,阻尼小,空間占用小等優點,可以運用在小負載,快速運動的場合,缺點是抗過載能力差。雖然頂針結構也同屬于小負載,但是晶圓的上下運動要求要緩慢平順,在大氣環境中,腔體內外壓力相等,通過調節汽缸泄氣閥的氣量大小,可以比較容易的達到要求。然而在真空環境中,由于腔體內外壓差大,汽缸向上運動和向下運動相差一個大氣壓差的壓力,加上本身阻尼小,就造成向上運動時初始階段會變得很突兀(抗過載能力差),很難通過調節泄氣閥氣量大小來控制,這樣晶圓就有幾率被頂偏,造成之后的各種問題。
實用新型內容
本實用新型要解決的技術問題是克服現有的缺陷,提供一種晶圓升降裝置,運行平穩,抗過載能力強。
為了解決上述技術問題,本實用新型提供了如下的技術方案:
一種晶圓升降裝置,包括工藝腔體,所述工藝腔體內設置有托環,所述托環的上端面設置有若干頂針,所述托環的下端面垂直連接有軸桿,所述軸桿由所述工藝腔體的底部穿出,所述軸桿在所述工藝腔體內部的部分外側設置有波紋管,所述波紋管頂部與所述托環連接且密封處理,所述波紋管底部與所述工藝腔體連接;所述工藝腔體下端面設置有支架,所述支架側面下部設置有伺服馬達,所述伺服馬達的電機軸上端連接有絲桿,所述絲桿上螺旋連接有滑塊,所述滑塊的外側面與所述支架的側面滑動連接,所述滑塊的內側面與所述軸桿固定連接。
進一步地,所述支架的側面在所述滑塊的上方和下方分別設置有位置感應器,所述位置感應器連接有控制器,所述控制器與所述伺服馬達連接。
進一步地,所述支架的側面在所述滑塊的上方和下方分別設置有限位塊。
本實用新型一種晶圓升降裝置,使用伺服馬達驅動結構來替代小型汽缸結構,升降精度高,運行平穩,抗過載能力強。
附圖說明
附圖用來提供對本實用新型的進一步理解,并且構成說明書的一部分,與本實用新型的實施例一起用于解釋本實用新型,并不構成對本實用新型的限制。在附圖中:
圖1是本實用新型的結構示意圖。
具體實施方式
以下結合附圖對本實用新型的優選實施例進行說明,應當理解,此處所描述的優選實施例僅用于說明和解釋本實用新型,并不用于限定本實用新型。
如圖1所示,一種晶圓升降裝置,包括工藝腔體1,工藝腔體1內設置有托環2,托環2的上端面設置有若干頂針3,托環2的下端面垂直連接有軸桿4,軸桿4由工藝腔體1的底部穿出,軸桿4在工藝腔體1內部的部分外側設置有波紋管5,波紋管5頂部與托環2連接且密封處理,波紋管5底部與工藝腔體1連接;工藝腔體1下端面設置有支架6,支架6側面下部設置有伺服馬達7,伺服馬達7的電機軸上端連接有絲桿8,絲桿8上螺旋連接有滑塊9,滑塊9的外側面與支架6的側面滑動連接,滑塊9的內側面與軸桿4固定連接。
工作原理:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





