[實用新型]用于基板支撐組件的多區墊圈

有效

• 申請號: 201920626427.0
• 申請日: 2019-04-30
• 公開（公告）號: CN209747491U
• 公開（公告）日: 2019-12-06
• 發明（設計）人: V·D·帕科
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/687
• 代理公司: 31100 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 侯穎媖;張鑫<國際申請>=<國際公布>=

一種用于基板支撐組件的墊圈可以具有：頂表面，所述頂表面具有表面區域；和多個區，所述多個區一起限定所述頂表面的所述表面區域。所述多個區可以包括至少：a)第一區，所述第一區包括第一墊圈層堆疊，所述第一區具有在第一方向上的第一平均熱導率，和b)第二區，所述第二區包括一個或多個墊圈層，所述第二區具有在所述第一方向上的第二平均熱導率。

技術領域

本公開內容的一些實施方式總的來說涉及具有多個熱導率分布的多區墊圈，并且更特定地涉及包括這種多區墊圈的基板支撐組件。

背景技術

諸如靜電吸盤之類的基板支撐組件廣泛地用于在用于各種應用的處理腔室中的基板處理期間保持基板(例如，諸如半導體晶片)。工藝的示例包括物理氣相沉積、蝕刻、化學氣相沉積、原子層沉積、清潔等。

用于制造集成電路的各種工藝可能需要用于基板處理的高溫和/或寬溫度范圍。然而，蝕刻工藝中的基板支撐組件通常在高達約120℃的溫度范圍內操作。在高于約120℃的溫度下，由于諸如松脫、腐蝕性化學物質造成的等離子體侵蝕、接合可靠性等的各種問題，許多靜電吸盤的部件將開始發生故障。

基板支撐組件可以包括具有最佳功率設定的加熱元件。然而，基板支撐組件中的加熱元件可以在最佳功率設定外操作，這可能促成在處理期間的溫度變化。

實用新型內容

在一個實施方式中，一種多區墊圈包括頂表面，所述頂表面具有表面區域。所述墊圈包括多個區，所述多個區一起限定所述頂表面的所述表面區域。所述多個區包括第一區，所述第一區包括第一墊圈層堆疊，所述第一區具有在第一方向上的第一平均熱導率。所述多個區另外包括第二區，所述第二區包括一個或多個墊圈層，所述第二區具有在所述第一方向上的第二平均熱導率。

在一個實施方式中，一種基板支撐組件包括陶瓷板、冷卻板和在所述陶瓷板與所述冷卻板之間的多區墊圈。所述陶瓷板包括多個加熱區，其中所述多個加熱區中的每個包括一個或多個加熱元件。所述墊圈的頂表面接觸所述陶瓷板，并且所述墊圈的底表面接觸所述冷卻板。所述墊圈包括多個區，所述多個區與所述多個加熱區大約對準。所述墊圈中的所述多個區包括第一區和第二區，所述第一區包括第一墊圈層堆疊，所述第二區包括一個或多個墊圈層。所述第一區具有在第一方向上的第一平均熱導率，并且所述第二區具有在所述第一方向上的第二平均熱導率。

在一個實施方式中，一種基板支撐組件包括：靜電圓盤；冷卻板，所述冷卻板耦接到所述靜電圓盤；和墊圈，所述墊圈被壓縮在所述靜電圓盤與所述冷卻板之間。所述靜電圓盤包括：電絕緣的上部圓盤板，所述電絕緣的上部圓盤板包括一個或多個加熱元件和一個或多個電極以靜電固定基板；下部圓盤板，所述下部圓盤板通過第一金屬接合來接合到所述上部圓盤板；和電絕緣的背板，所述電絕緣的背板通過第二金屬接合來接合到所述下部圓盤板。所述墊圈包括多個區，其中所述多個區中的第一區包括第一墊圈層堆疊并具有在第一方向上的第一平均熱導率，并且其中所述多個區中的第二區包括一個或多個墊圈層并具有在所述第一方向上的第二平均熱導率。

附圖簡述

在附圖中的各圖中，本公開內容的實施方式以示例而非限制方式示出，其中相同的附圖標記表示類似的元件。應注意，本公開內容中不同地提及“一(a)”或“一個(one)”實施方式不一定是相同的實施方式，并且這樣提及就意味著至少一個實施方式。

圖1描繪了處理腔室的一個實施方式的截面側視圖；

圖2描繪了基板支撐組件的一個實施方式的分解圖；

圖3描繪了靜電圓盤組件的一個實施方式的截面頂視圖；

圖4A描繪了基板支撐組件的一個實施方式的截面側視圖；

圖4B描繪了靜電圓盤組件的一個實施方式的透視圖；

圖5A描繪了根據一個實施方式的靜電圓盤組件的截面側視圖；