[實用新型]用于基板支撐組件的多區墊圈有效
| 申請號: | 201920626427.0 | 申請日: | 2019-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN209747491U | 公開(公告)日: | 2019-12-06 |
| 發明(設計)人: | V·D·帕科 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司: | 31100 上海專利商標事務所有限公司 | 代理人: | 侯穎媖;張鑫<國際申請>=<國際公布>= |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 第一區 頂表面 墊圈 熱導率 基板支撐組件 層堆疊 | ||
1.一種墊圈,包括:
頂表面,所述頂表面具有表面區域;和
多個區,所述多個區一起限定所述頂表面的所述表面區域,所述多個區包括:
第一區,所述第一區包括第一墊圈層堆疊,所述第一區具有在第一方向上的第一平均熱導率;和
第二區,所述第二區包括一個或多個墊圈層,所述第二區具有在所述第一方向上的第二平均熱導率。
2.如權利要求1所述的墊圈,其特征在于,所述第一墊圈層堆疊包括第一數量的墊圈層,并且所述第二區中的所述一個或多個墊圈層包括與所述第一數量的墊圈層不同的第二數量的墊圈層。
3.如權利要求1所述的墊圈,其特征在于,所述第一墊圈層堆疊中的至少一個墊圈層包括第一材料,所述第一材料不存在于所述第二區中的所述一個或多個墊圈層中。
4.如權利要求1所述的墊圈,其特征在于,所述多個區進一步包括以下項中的至少一項:
第三區,所述第三區具有在所述第一方向上的第三平均熱導率;或
第四區,所述第四區具有在所述第一方向上的第四平均熱導率。
5.如權利要求1所述的墊圈,其特征在于,所述墊圈具有約0.2mm-2.0mm的厚度,并且其中所述第一墊圈層堆疊大約具有0.2mm-2.0mm的厚度。
6.如權利要求1所述的墊圈,其特征在于,所述第一方向與所述表面區域正交。
7.如權利要求1所述的墊圈,其特征在于,所述第一區與所述第二區大約同心。
8.如權利要求1所述的墊圈,其特征在于,所述第一墊圈層堆疊的頂墊圈層或底墊圈層中的至少一個包括石墨填料。
9.如權利要求8所述的墊圈,其特征在于,所述第一墊圈層堆疊的一個或多個中間墊圈層包括金屬、聚酰亞胺、硅樹脂、橡膠或含氟聚合物中的至少一種。
10.如權利要求1所述的墊圈,其特征在于,所述第二區中的所述一個或多個墊圈層包括第二墊圈層堆疊,其中所述第一墊圈層堆疊中的一個或多個墊圈層具有在第二方向上的第三熱導率,所述第三熱導率不同于所述第二墊圈層堆疊中的對應墊圈層的在所述第二方向上的第四熱導率,并且其中所述第二方向與所述第一方向正交。
11.如權利要求1所述的墊圈,其特征在于,所述第二區包括單個墊圈層,所述單個墊圈層包括石墨填料。
12.一種基板支撐組件,包括:
圓盤,所述圓盤包括多個加熱區,其中所述多個加熱區中的每個加熱區包括一個或多個加熱元件;
墊圈,其中所述墊圈的頂表面接觸所述圓盤,所述墊圈包括多個區,所述多個區與所述多個加熱區大約對準,所述多個區包括:
第一區,所述第一區包括第一墊圈層堆疊,所述第一區具有在第一方向上的第一平均熱導率;和
第二區,所述第二區包括一個或多個墊圈層,所述第二區具有在所述第一方向上的第二平均熱導率;和
冷卻板,其中所述墊圈的底表面接觸所述冷卻板。
13.如權利要求12所述的基板支撐組件,其特征在于,所述墊圈在所述圓盤與所述冷卻板之間被壓縮,其中所述第一方向與所述頂表面正交,并且其中所述墊圈具有大約0.2mm-2.0mm的厚度。
14.如權利要求12所述的基板支撐組件,其特征在于,所述多個加熱區中的每個加熱區的所述一個或多個加熱元件具有額定功率,其中所述第一平均熱導率使所述多個加熱區中的第一加熱區的所述一個或多個加熱元在保持在所述額定功率的20%-80%內的同時將被支撐的基板保持在目標溫度,并且其中所述第二平均熱導率使所述多個加熱區中的第二加熱區的所述一個或多個加熱元件在保持在所述額定功率的20%-80%內的同時保持所述目標溫度或替代的目標溫度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





