[實(shí)用新型]用于基板支撐組件的多區(qū)墊圈有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201920626427.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-04-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN209747491U | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-12-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | V·D·帕科 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 應(yīng)用材料公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/683 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司: | 31100 上海專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 | 代理人: | 侯穎媖;張?chǎng)?lt;國(guó)際申請(qǐng)>=<國(guó)際公布>= |
| 地址: | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 第一區(qū) 頂表面 墊圈 熱導(dǎo)率 基板支撐組件 層堆疊 | ||
1.一種墊圈,包括:
頂表面,所述頂表面具有表面區(qū)域;和
多個(gè)區(qū),所述多個(gè)區(qū)一起限定所述頂表面的所述表面區(qū)域,所述多個(gè)區(qū)包括:
第一區(qū),所述第一區(qū)包括第一墊圈層堆疊,所述第一區(qū)具有在第一方向上的第一平均熱導(dǎo)率;和
第二區(qū),所述第二區(qū)包括一個(gè)或多個(gè)墊圈層,所述第二區(qū)具有在所述第一方向上的第二平均熱導(dǎo)率。
2.如權(quán)利要求1所述的墊圈,其特征在于,所述第一墊圈層堆疊包括第一數(shù)量的墊圈層,并且所述第二區(qū)中的所述一個(gè)或多個(gè)墊圈層包括與所述第一數(shù)量的墊圈層不同的第二數(shù)量的墊圈層。
3.如權(quán)利要求1所述的墊圈,其特征在于,所述第一墊圈層堆疊中的至少一個(gè)墊圈層包括第一材料,所述第一材料不存在于所述第二區(qū)中的所述一個(gè)或多個(gè)墊圈層中。
4.如權(quán)利要求1所述的墊圈,其特征在于,所述多個(gè)區(qū)進(jìn)一步包括以下項(xiàng)中的至少一項(xiàng):
第三區(qū),所述第三區(qū)具有在所述第一方向上的第三平均熱導(dǎo)率;或
第四區(qū),所述第四區(qū)具有在所述第一方向上的第四平均熱導(dǎo)率。
5.如權(quán)利要求1所述的墊圈,其特征在于,所述墊圈具有約0.2mm-2.0mm的厚度,并且其中所述第一墊圈層堆疊大約具有0.2mm-2.0mm的厚度。
6.如權(quán)利要求1所述的墊圈,其特征在于,所述第一方向與所述表面區(qū)域正交。
7.如權(quán)利要求1所述的墊圈,其特征在于,所述第一區(qū)與所述第二區(qū)大約同心。
8.如權(quán)利要求1所述的墊圈,其特征在于,所述第一墊圈層堆疊的頂墊圈層或底墊圈層中的至少一個(gè)包括石墨填料。
9.如權(quán)利要求8所述的墊圈,其特征在于,所述第一墊圈層堆疊的一個(gè)或多個(gè)中間墊圈層包括金屬、聚酰亞胺、硅樹(shù)脂、橡膠或含氟聚合物中的至少一種。
10.如權(quán)利要求1所述的墊圈,其特征在于,所述第二區(qū)中的所述一個(gè)或多個(gè)墊圈層包括第二墊圈層堆疊,其中所述第一墊圈層堆疊中的一個(gè)或多個(gè)墊圈層具有在第二方向上的第三熱導(dǎo)率,所述第三熱導(dǎo)率不同于所述第二墊圈層堆疊中的對(duì)應(yīng)墊圈層的在所述第二方向上的第四熱導(dǎo)率,并且其中所述第二方向與所述第一方向正交。
11.如權(quán)利要求1所述的墊圈,其特征在于,所述第二區(qū)包括單個(gè)墊圈層,所述單個(gè)墊圈層包括石墨填料。
12.一種基板支撐組件,包括:
圓盤(pán),所述圓盤(pán)包括多個(gè)加熱區(qū),其中所述多個(gè)加熱區(qū)中的每個(gè)加熱區(qū)包括一個(gè)或多個(gè)加熱元件;
墊圈,其中所述墊圈的頂表面接觸所述圓盤(pán),所述墊圈包括多個(gè)區(qū),所述多個(gè)區(qū)與所述多個(gè)加熱區(qū)大約對(duì)準(zhǔn),所述多個(gè)區(qū)包括:
第一區(qū),所述第一區(qū)包括第一墊圈層堆疊,所述第一區(qū)具有在第一方向上的第一平均熱導(dǎo)率;和
第二區(qū),所述第二區(qū)包括一個(gè)或多個(gè)墊圈層,所述第二區(qū)具有在所述第一方向上的第二平均熱導(dǎo)率;和
冷卻板,其中所述墊圈的底表面接觸所述冷卻板。
13.如權(quán)利要求12所述的基板支撐組件,其特征在于,所述墊圈在所述圓盤(pán)與所述冷卻板之間被壓縮,其中所述第一方向與所述頂表面正交,并且其中所述墊圈具有大約0.2mm-2.0mm的厚度。
14.如權(quán)利要求12所述的基板支撐組件,其特征在于,所述多個(gè)加熱區(qū)中的每個(gè)加熱區(qū)的所述一個(gè)或多個(gè)加熱元件具有額定功率,其中所述第一平均熱導(dǎo)率使所述多個(gè)加熱區(qū)中的第一加熱區(qū)的所述一個(gè)或多個(gè)加熱元在保持在所述額定功率的20%-80%內(nèi)的同時(shí)將被支撐的基板保持在目標(biāo)溫度,并且其中所述第二平均熱導(dǎo)率使所述多個(gè)加熱區(qū)中的第二加熱區(qū)的所述一個(gè)或多個(gè)加熱元件在保持在所述額定功率的20%-80%內(nèi)的同時(shí)保持所述目標(biāo)溫度或替代的目標(biāo)溫度。
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H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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