[實(shí)用新型]基板清洗系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201920574963.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-04-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN209747470U | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-12-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 相原明德;金子都;折居武彥;菅野至 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 11332 北京品源專利代理有限公司 | 代理人: | 呂琳;樸秀玉<國(guó)際申請(qǐng)>=<國(guó)際公布>= |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基板 供給部 基板供給 揮發(fā) 沖洗液 除去液 處理液 背面 溶解 基板清洗系統(tǒng) 本實(shí)用新型 整體形成 中心供給 基底膜 清洗液 附著 主面 固化 清洗 坍塌 硬化 殘留 侵蝕 圖案 | ||
本實(shí)用新型提供一種基板清洗系統(tǒng),其能夠抑制圖案的坍塌以及基底膜的侵蝕,并且能夠除去附著于基板的微粒,具有:第1處理部,其包括保持基板的第1保持部和第1供給部,第1供給部設(shè)置于第1保持部的上方,向基板供給包含揮發(fā)成分的用來(lái)在基板的主面整體形成膜的處理液;以及第2處理部,其包括保持基板的第2保持部以及第2供給部,第2供給部設(shè)置于第2保持部的上方,向基板供給溶解全部的膜的除去液并向基板供給沖洗液,膜是第1供給部向基板供給的處理液在揮發(fā)成分揮發(fā)后而在基板上固化或硬化所形成的,沖洗液從基板上除去殘留在基板上的溶解后的膜以及除去液;以及背面清洗部,其向第2保持部所保持的所述基板的背面中心供給清洗液。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種基板清洗系統(tǒng)。
背景技術(shù)
以往公知有一種基板清洗裝置,進(jìn)行除去附著于硅晶圓或化合物半導(dǎo)體晶圓等的基板的微粒。
對(duì)于該種基板清洗裝置,公知有一種利用通過(guò)向基板的主面供給液體或氣體等的流體而產(chǎn)生的物理力來(lái)除去微粒的裝置(參照專利文獻(xiàn)1)。另外,也公知有一種利用通過(guò)向基板的主面供給SC1等的藥液,所供給的藥液持有的化學(xué)作用(例如,蝕刻作用)而除去微粒的基板清洗裝置(參照專利文獻(xiàn)2)。
專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)平8-318181號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2007-258462號(hào)公報(bào)
實(shí)用新型內(nèi)容
但是,在如專利文獻(xiàn)1所記載的技術(shù)那樣的利用物理力除去微粒的方法中,存在形成于基板的主面的圖案因物理力而坍塌的可能性。
另外,如專利文獻(xiàn)2所記載的技術(shù)那樣,在利用藥液的化學(xué)作用而除去微粒的方法中,存在例如因蝕刻作用等而基板的基底膜被侵蝕的可能性。
本實(shí)用新型的目的在于:提供一種能夠抑制圖案的坍塌以及基底膜的侵蝕,并且能夠除去附著于基板的微粒的基板清洗系統(tǒng)、以及基板清洗方法。
本實(shí)用新型的第一種形態(tài)的基板清洗系統(tǒng),具備:第1處理部,其包括第1保持部以及第1供給部,所述第1保持部保持基板,所述第1供給部設(shè)置于所述第1保持部的上方,向所述基板供給包含揮發(fā)成分的用來(lái)在所述基板的主面整體形成膜的處理液;第2處理部,其包括第2保持部以及第2供給部,所述第2保持部保持所述基板,所述第2供給部設(shè)置于所述第2保持部的上方,向所述基板供給除去液并且向所述基板供給沖洗液,所述除去液用于溶解全部的膜,所述膜是所述第1供給部向所述基板供給的所述處理液在所述揮發(fā)成分揮發(fā)后而在所述基板上固化或者硬化所形成的,所述沖洗液用于從所述基板上除去殘留在所述基板上的所述溶解后的膜以及所述除去液;以及背面清洗部,其向保持于所述第2保持部的所述基板的背面中心供給清洗液。
進(jìn)一步地,本實(shí)用新型的第一種形態(tài)的基板清洗系統(tǒng),所述第2處理部構(gòu)成為:在由所述第2處理部供給所述沖洗液之后,進(jìn)行所述基板的干燥處理。
進(jìn)一步地,本實(shí)用新型的第一種形態(tài)的基板清洗系統(tǒng),所述第2保持部具有能夠旋轉(zhuǎn)地保持基板的旋轉(zhuǎn)保持機(jī)構(gòu),所述第2處理部構(gòu)成為:通過(guò)使所述旋轉(zhuǎn)保持機(jī)構(gòu)旋轉(zhuǎn)將殘留于所述基板的所述沖洗液甩掉,來(lái)進(jìn)行所述干燥處理。
進(jìn)一步地,本實(shí)用新型的第一種形態(tài)的基板清洗系統(tǒng),所述第2供給部,在所述第2供給部的一端部分別具有:向所述基板供給所述除去液的除去液供給噴嘴、以及向所述基板供給所述沖洗液的沖洗液供給噴嘴。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





