[實用新型]太陽能電池及太陽能電池組件有效
| 申請號: | 201920574737.2 | 申請日: | 2019-04-24 |
| 公開(公告)號: | CN210379061U | 公開(公告)日: | 2020-04-21 |
| 發明(設計)人: | 李剛;陳宗洋;賴輝龍;黃健航;薛雪;黃亮 | 申請(專利權)人: | 北京漢能光伏技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/068 |
| 代理公司: | 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 郭棟梁 |
| 地址: | 101499 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 組件 | ||
本實用新型公開了一種太陽能電池及太陽能電池組件。一種太陽能電池,所述太陽能電池包括襯底及設于所述襯底表面的太陽能電池芯片,所述襯底包括基板及設于所述基板表面的二氧化硅層,所述太陽能電池芯片設于所述二氧化硅層的表面,所述二氧化硅層的厚度為27nm~440nm。上述的太陽能電池,襯底包括基板及設于基板表面的二氧化硅層,二氧化硅層的顏色隨著厚度的增加會發生變化,能給予太陽能電池一定顏色可選擇性。
技術領域
本實用新型涉及太陽能技術領域,尤其涉及一種太陽能電池及太陽能電池組件。
背景技術
太陽能資源豐富,分布廣泛,是一種最具有發展潛力的可再生資源。隨著全球能源短缺和環境污染等問題目益突出,太陽能發電因其清潔、安全、便利、高效的特點,已成為世界各國普遍關注和重點發展的新興產業。
太陽能電池能將光能轉換為電能而得到了廣泛的應用。一般而言,太陽能電池包括襯底及電池芯片。由于受電池芯片結構及材質的限制,整個太陽能電池的顏色較為單一,這樣就限制了太陽能電池的應用。
實用新型內容
為了解決上述技術問題,本實用新型提供了一種能給予一定顏色可選擇性的太陽能電池及太陽能電池組件。
一種太陽能電池,所述太陽能電池包括襯底及設于所述襯底表面的太陽能電池芯片,所述襯底包括基板及設于所述基板表面的二氧化硅層,所述太陽能電池芯片設于所述二氧化硅層的表面,所述二氧化硅層的厚度為27nm~440nm。
上述的太陽能電池,襯底包括基板及設于基板表面的二氧化硅層,二氧化硅層的顏色隨著厚度的增加會發生變化,能給予太陽能電池一定顏色可選擇性;比如二氧化硅層的厚度小于27nm呈現硅本色,二氧化硅層的厚度為27nm~53nm則呈現棕色,二氧化硅層的厚度為53nm~73nm呈現金褐色,二氧化硅層的厚度為73nm~97nm呈現紅色,二氧化硅層的厚度為97nm~100nm呈現深藍色,二氧化硅層的厚度為100nm~120nm呈現藍色,二氧化硅層的厚度為120nm~130nm呈現灰藍色,二氧化硅層的厚度為130nm~150nm呈現深灰藍色,二氧化硅層的厚度為150nm~160nm呈現硅本色,二氧化硅層的厚度為160nm~170nm呈現淺黃色,二氧化硅層的厚度為170nm~200nm呈現黃色,二氧化硅層的厚度為200nm~240nm呈現桔紅色,二氧化硅層的厚度為240nm~250nm呈現紅色,二氧化硅層的厚度為250nm~280nm呈現暗紅色,二氧化硅層的厚度為280nm~310nm呈現藍色,二氧化硅層的厚度為310nm~330nm呈現藍綠色,二氧化硅層的厚度為330nm~370nm呈現淺綠色,二氧化硅層的厚度為370nm~400nm呈現桔黃色,二氧化硅層的厚度為400nm~440nm呈現紅色,從而可以通過調整二氧化硅層的厚度實現太陽能電池多顏色的呈現。
一種太陽能電池組件,包括上述的太陽能電池。
本實用新型的其它特征和優點將在隨后的說明書中闡述,并且,部分地從說明書中變得顯而易見,或者通過實施本實用新型而了解。本實用新型的目的和其他優點可通過在說明書、權利要求書以及附圖中所特別指出的結構來實現和獲得。
附圖說明
附圖用來提供對本實用新型技術方案的進一步理解,并且構成說明書的一部分,與本申請的實施例一起用于解釋本實用新型的技術方案,并不構成對本實用新型技術方案的限制。
圖1為一實施方式的太陽能電池的結構示意圖。
具體實施方式
為使本實用新型實施例的目的、技術方案和優點更加清楚,下面將結合本實用新型實施例的附圖,對本實用新型實施例的技術方案進行清楚、完整地描述。顯然,所描述的實施例是本實用新型的一部分實施例,而不是全部的實施例。基于所描述的本實用新型的實施例,本領域普通技術人員在無需創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本實用新型保護的范圍。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





