[實用新型]太陽能電池及太陽能電池組件

有效

• 申請號: 201920574737.2
• 申請日: 2019-04-24
• 公開（公告）號: CN210379061U
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發明（設計）人: 李剛;陳宗洋;賴輝龍;黃健航;薛雪;黃亮
• 申請（專利權）人: 北京漢能光伏技術有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/068
• 代理公司: 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435
• 代理人: 郭棟梁

1.一種太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池(100)包括襯底(110)及設于所述襯底(110)表面的太陽能電池芯片(140)，所述襯底(110)包括基板(112)及設于所述基板(112)表面的二氧化硅層(114)，所述太陽能電池芯片(140)設于所述二氧化硅層(114)的表面，所述二氧化硅層(114)的厚度為27nm～440nm。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池芯片(140)為薄膜硅太陽能電池芯片。

3.根據權利要求2所述的太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池芯片(140)包括第一透明導電層(141)、非晶硅薄膜層(143)及第二透明導電層(145)。

4.根據權利要求3所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一透明導電層(141)為TCO層、ITO層、AZO層或ZnO層；及/或

所述第二透明導電層(145)為TCO層、ITO層、AZO層或ZnO層。

5.根據權利要求3所述的太陽能電池，其特征在于，所述非晶硅薄膜層(143)的厚度為150nm～180nm。

6.根據權利要求2所述的太陽能電池，其特征在于，所述太陽能芯片包括第一透明導電層、非晶硅薄膜層、微晶硅薄膜層及第二透明導電層。

7.根據權利要求6所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一透明導電層為TCO層、ITO層、AZO層或ZnO層；及/或

所述第二透明導電層為TCO層、ITO層、AZO層或ZnO層。

8.根據權利要求6所述的太陽能電池，其特征在于，所述非晶硅薄膜層的厚度為150nm～180nm，所述微晶硅薄膜層的厚度為780nm～840nm。

9.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，

所述二氧化硅層(114)的厚度為27nm～53nm；或

所述二氧化硅層(114)的厚度為53nm～73nm；或

所述二氧化硅層(114)的厚度為73nm～97nm；或

所述二氧化硅層(114)的厚度為97nm～100nm；或

所述二氧化硅層(114)的厚度為100nm～120nm；或

所述二氧化硅層(114)的厚度為120nm～130nm；或

所述二氧化硅層(114)的厚度為130nm～150nm；或

所述二氧化硅層(114)的厚度為150nm～160nm；或

所述二氧化硅層(114)的厚度為160nm～170nm；或

所述二氧化硅層(114)的厚度為170nm～200nm；或

所述二氧化硅層(114)的厚度為200nm～240nm；或

所述二氧化硅層(114)的厚度為240nm～250nm；或

所述二氧化硅層(114)的厚度為250nm～280nm；或

所述二氧化硅層(114)的厚度為280nm～310nm；或

所述二氧化硅層(114)的厚度為310nm～330nm；或

所述二氧化硅層(114)的厚度為330nm～370nm；或

所述二氧化硅層(114)的厚度為370nm～400nm；或

所述二氧化硅層(114)的厚度為400nm～440nm。

10.一種太陽能電池組件，其特征在于，包括權利要求1～9任一項所述的太陽能電池(100)。