[實用新型]單元接觸結構與存儲器

有效

• 申請號: 201920570982.6
• 申請日: 2019-04-24
• 公開（公告）號: CN209544306U
• 公開（公告）日: 2019-10-25
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L27/108;H01L21/768;H01L23/528;H01L23/532
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 王輝;闞梓瑄

本公開是關于一種單元接觸結構與存儲器。該單元接觸結構包括襯底、介質層、半導體層和導電層，介質層設于所述襯底的表面上，所述介質層包括陣列狀的單元孔洞，所述孔洞底部暴露所述襯底；半導體層設于所述孔洞內的所述襯底的表面上，所述半導體層遠離所述襯底的一面為第一曲面；導電層設于所述半導體層的所述第一曲面上。本公開提供的單元接觸結構，單元接觸結構中的接觸電阻較低。

技術領域

本公開涉及半導體技術領域，具體而言，涉及一種單元接觸結構與存儲器。

背景技術

動態隨機存取存儲器(DRAM，Dynamic Random Access Memory)，因其存取速度快、存儲密度高等優點，廣泛應用于現代電子系統中，其基本存儲單元通常包括一電容器與一晶體管。

通常情況下，動態隨機存取存儲器中的每個晶體管包括一柵極、一位在襯底中的漏極，以及一與漏極分隔開的源極。柵極通常與一字線電性連接，漏極通常與一位線電性連接，源極通常通過一單元接觸結構(Cell Contact)與一電容器電性連接。

隨著半導體器件的高度集成化，動態隨機存取存儲器的尺寸越來越小，單元接觸的尺寸也隨著縮小，因此產生了動態隨機存取存儲器的接觸電阻變大的問題。

需要說明的是，在上述背景技術部分公開的信息僅用于加強對本公開的背景的理解，因此可以包括不構成對本領域普通技術人員已知的現有技術的信息。

發明內容

本公開的目的在于提供一種接觸電阻較低的單元接觸結構。

根據本公開的一個方面，提供了一種單元接觸結構。該單元接觸結構包括：

襯底；

介質層，設于所述襯底的表面上，所述介質層包括陣列狀的單元孔洞，所述孔洞底部暴露所述襯底；

半導體層，設于所述孔洞內的所述襯底的表面上，所述半導體層遠離所述襯底的一面為第一曲面；

導電層，設于所述半導體層的所述第一曲面上。

在本公開的一種示例性實施例中，所述導電層包括：

第一導電層，設于所述半導體層的所述第一曲面上；

第二導電層，設于所述第一導電層遠離所述襯底的表面上。

在本公開的一種示例性實施例中，所述第一導電層遠離所述襯底一面為第二曲面，所述第二曲面與所述第一曲面形狀匹配；

所述第二導電層遠離所述襯底一面為第三曲面，所述第三曲面與所述第二曲面形狀匹配。

在本公開的一種示例性實施例中，所述第一曲面為朝向所述襯底凹陷的V形曲面。

在本公開的一種示例性實施例中，所述半導體層的材料包括多晶硅，所述第一導電層的材料包括CoSi₂，所述第二導電層的材料包括Ti和TiN中至少一種。

在本公開的一種示例性實施例中，所述單元接觸結構還包括：

鎢層，設于所述導電層遠離所述襯底的表面上。

在本公開的一種示例性實施例中，所述襯底包括埋柵晶體管，所述孔洞底部位置對應于所述埋柵晶體管的源極

根據本公開的另一個方面，提供了一種存儲器。該存儲器包括上述任一實施例的單元接觸結構。

本公開提供的單元接觸結構，半導體層遠離襯底的一面為曲面，因此，在半導體層的第一曲面上層疊形成的導電層與半導體層之間的接觸面積會增大，進而降低了導電層與半導體層之間的接觸電阻，能夠提升應用該單元接觸結構的制造方法的晶體管驅動導通電流之能力以及工作速度，進而能夠提高存儲器的存儲速度。