[實用新型]單元接觸結(jié)構(gòu)與存儲器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201920570982.6
• 申請日: 2019-04-24
• 公開（公告）號: CN209544306U
• 公開（公告）日: 2019-10-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L27/108;H01L21/768;H01L23/528;H01L23/532
• 代理公司: 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438
• 代理人: 王輝;闞梓瑄

1.一種單元接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

襯底；

介質(zhì)層，設(shè)于所述襯底的表面上，所述介質(zhì)層包括陣列狀的單元孔洞，所述孔洞底部暴露所述襯底；

半導(dǎo)體層，設(shè)于所述孔洞內(nèi)的所述襯底的表面上，所述半導(dǎo)體層遠離所述襯底的一面為第一曲面；

導(dǎo)電層，設(shè)于所述半導(dǎo)體層的所述第一曲面上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單元接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電層包括：

第一導(dǎo)電層，設(shè)于所述半導(dǎo)體層的所述第一曲面上；

第二導(dǎo)電層，設(shè)于所述第一導(dǎo)電層遠離所述襯底的表面上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單元接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層遠離所述襯底一面為第二曲面，所述第二曲面與所述第一曲面形狀匹配；

所述第二導(dǎo)電層遠離所述襯底一面為第三曲面，所述第三曲面與所述第二曲面形狀匹配。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單元接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一曲面為朝向所述襯底凹陷的V形曲面。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單元接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體層的材料包括多晶硅，所述第一導(dǎo)電層的材料包括CoSi₂，所述第二導(dǎo)電層的材料包括Ti和TiN中至少一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單元接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述單元接觸結(jié)構(gòu)還包括：

鎢層，設(shè)于所述導(dǎo)電層遠離所述襯底的表面上。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單元接觸結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述襯底包括埋柵晶體管，所述孔洞底部位置對應(yīng)于所述埋柵晶體管的源極。

8.一種存儲器，其特征在于，包括權(quán)利要求1-7任一項所述的單元接觸結(jié)構(gòu)。