[實用新型]單銀low-e中空玻璃磁控濺射鍍膜機(jī)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201920563222.2
• 申請日: 2019-04-23
• 公開（公告）號: CN210367889U
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 郭博;郭亞霓;郭超
• 申請（專利權(quán)）人: 江陰沐祥節(jié)能裝飾工程有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/24;C23C14/18
• 代理公司: 江陰義海知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32247
• 代理人: 王威欽

本實用新型公開了一種單銀low?e中空玻璃磁控濺射鍍膜機(jī)，包括機(jī)臺、設(shè)置在機(jī)臺上的真空室，真空室其上部設(shè)置至少二十個陰極靶，與真空室連接設(shè)有呈波紋管形式的抽氣管，抽氣管的另一端與分子泵相連，分子泵通過呈波紋管形式的連接管與羅茨泵相連；真空室底部中心位置轉(zhuǎn)動設(shè)有樣品臺，樣品臺下部設(shè)有加熱源；真空室底板上固定連接有至少三塊蒸鍍膜收集板，蒸鍍膜收集板上固定連接加熱隔板。本實用新型在單銀low?e中空玻璃生產(chǎn)線上的磁控濺射鍍膜機(jī)中增加了陰極位，使得本實用新型其鍍膜的膜系增加，實現(xiàn)多腔群集式磁控鍍膜的同時能夠?qū)R射靶形成有效保護(hù)、減少靶材之間的交叉污染、提高沉膜質(zhì)量。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及一種單銀low-e中空玻璃磁控濺射鍍膜機(jī)。

背景技術(shù)

Low-E中空玻璃，可以有效減少陽光熱輻射進(jìn)入室內(nèi)，并限制室內(nèi)外熱輻射的二次傳導(dǎo)，也具有良好的采光性能，可使室內(nèi)保持良好的采光效果，具有豐富的裝飾效果和室外視線遮蔽效果，更注重其熱量控制、制冷成本和內(nèi)部陽光投射舒適平衡度，可廣泛應(yīng)用于建筑、裝飾、汽車、船舶等行業(yè)；LOW-E膜層中鍍有銀層，銀可將98％以上的遠(yuǎn)紅外熱輻射反射出去，從而像鏡子反射光線一樣直接反射熱量。LOW-E的遮陽系數(shù)Sc可從0.2至0.7，從而可根據(jù)需要調(diào)控進(jìn)入室內(nèi)的太陽直接輻射能。而其中減反射膜尤以銀膜應(yīng)用最多，其一般通過鍍膜機(jī)蒸鍍上，在被濺射的靶極(陰極)與陽極之間加一個正交磁場和電場，在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣)，永久磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場，同高壓電場組成正交電磁場。在電場的作用下，Ar氣電離成正離子和電子，靶上加有一定的負(fù)高壓，從靶極發(fā)出的電子受磁場的作用與工作氣體的電離幾率增大，在陰極附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來的原子遵循動量轉(zhuǎn)換原理以較高的動能脫離靶面飛向基片淀積成膜。多腔群集式磁控鍍膜設(shè)備可避免各靶材之間的交叉污染，但是成本昂貴；目前對鍍膜其膜系的數(shù)量要求越來越高，但目前很難達(dá)到。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的目的在于，克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷，提供一種單銀low-e中空玻璃磁控濺射鍍膜機(jī)，使得本實用新型其鍍膜的膜系增加，實現(xiàn)多腔群集式磁控鍍膜的同時能夠?qū)R射靶形成有效保護(hù)、減少靶材之間的交叉污染、提高沉膜質(zhì)量。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型的技術(shù)方案是設(shè)計一種單銀low-e中空玻璃磁控濺射鍍膜機(jī)，包括機(jī)臺、設(shè)置在機(jī)臺上的真空室，真空室其上部設(shè)置至少二十個陰極靶，與真空室連接設(shè)有呈波紋管形式的抽氣管，抽氣管的另一端與分子泵相連，分子泵通過呈波紋管形式的連接管與羅茨泵相連；真空室底部中心位置轉(zhuǎn)動設(shè)有樣品臺，樣品臺下部設(shè)有加熱源；真空室底板上固定連接有至少三塊蒸鍍膜收集板，蒸鍍膜收集板上固定連接加熱隔板。在單銀low-e中空玻璃生產(chǎn)線上的磁控濺射鍍膜機(jī)中增加了陰極位，使得本實用新型其鍍膜的膜系增加，蒸鍍膜收集板及加熱隔板的設(shè)置實現(xiàn)多腔群集式磁控鍍膜的同時能夠?qū)R射靶形成有效保護(hù)、減少靶材之間的交叉污染、提高沉膜質(zhì)量，并且能夠回收沉積在蒸鍍膜收集板上的膜層回收利用。

進(jìn)一步的技術(shù)方案是，陰極靶數(shù)量為二十至二十五個；所述樣品臺及蒸鍍膜收集板采用塞鋼制成。賽鋼又稱聚氧亞甲基；通常甲醛聚合所得之聚合物；銀靶下面的部件采用絕緣材質(zhì)制成，提高了磁控濺射其鍍膜的膜層質(zhì)量。

進(jìn)一步的技術(shù)方案是，蒸鍍膜收集板呈角鋼狀，加熱隔板豎直設(shè)置；所述加熱源為內(nèi)置加熱絲的加熱盤，加熱隔板內(nèi)設(shè)置加熱絲；抽氣管及連接管上設(shè)置截止閥或氣動插板閥。加熱隔板與加熱盤之間通過連接部相連，加熱隔板與加熱盤內(nèi)的加熱絲通過連接部相連；蒸鍍膜收集板采用塞鋼或鋁合金，其內(nèi)不設(shè)置加熱絲，而蒸鍍膜收集板上方的加熱隔板內(nèi)設(shè)置加熱絲，這樣在蒸鍍時位于下方的蒸鍍膜收集板溫度低，有部分位于下方的蒸鍍蒸汽或一部分濺射后下落的蒸鍍蒸汽沉積在溫度較低的蒸鍍膜收集板上，而加熱隔板不僅起到了在相鄰的不同膜系濺射靶之間設(shè)置隔板組件，可減少濺射靶受到來自側(cè)面的污染，并且加熱隔板上幾乎不沉積蒸鍍膜層材料，便于集中在蒸鍍膜收集板上收集膜層材料重新利用。