[實(shí)用新型]基板處理系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201920556638.1
• 申請日: 2019-04-23
• 公開（公告）號: CN209729870U
• 公開（公告）日: 2019-12-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 田所真任;緒方久仁恵
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 11332 北京品源專利代理有限公司
• 代理人: 呂琳;樸秀玉<國際申請>=<國際公布>=

本實(shí)用新型提供一種基板處理系統(tǒng)，對形成有被處理膜的基板進(jìn)行規(guī)定處理，并在該基板上的被處理膜形成規(guī)定的圖案，其包括：測量裝置、涂敷顯影處理裝置，其設(shè)置在上述測量裝置的下游側(cè)、蝕刻處理裝置，其設(shè)置在上述涂敷顯影處理裝置的下游側(cè)、以及控制裝置。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種基板處理系統(tǒng)，對形成有被處理膜的基板進(jìn)行規(guī)定的處理，在該基板上的被處理膜形成規(guī)定的圖案。

背景技術(shù)

例如在半導(dǎo)體裝置的制程中，進(jìn)行光刻處理，并在晶圓上形成規(guī)定的光刻膠圖案，該光刻處理依序進(jìn)行：光刻膠涂敷處理，在例如半導(dǎo)體晶圓(以下稱為“晶圓”)上涂敷光刻膠液，形成光刻膠膜；曝光處理，在該光刻膠膜，將規(guī)定的圖案曝光；以及顯影處理，將所曝光的光刻膠膜加以顯影等。將該光刻膠圖案作為掩模，進(jìn)行晶圓上的被處理膜例如SiO2膜上的多晶硅(Poly-Si)膜的蝕刻處理，再進(jìn)行光刻膠膜的去除處理等，而在被處理膜形成規(guī)定的圖案。

上述光刻膠圖案是決定基底的被處理膜的圖案形狀，需要以嚴(yán)格的尺寸形成。因此，提出了以下技術(shù)：例如最初在檢查用的晶圓上進(jìn)行光刻處理，而在晶圓的被處理膜上形成光刻膠圖案，并測量該光刻膠圖案的線寬等尺寸。之后，基于其尺寸測量結(jié)果，修正對晶圓進(jìn)行的光刻處理的各種處理?xiàng)l件，而實(shí)現(xiàn)光刻膠圖案的尺寸的適當(dāng)化(專利文獻(xiàn)1)。

專利文獻(xiàn)1：日本特開2006-228816號公報(bào)

實(shí)用新型內(nèi)容

然而，例如連續(xù)處理晶圓時(shí)，僅對蝕刻處理后所形成的被處理膜的圖案尺寸有影響的參數(shù)有時(shí)產(chǎn)生經(jīng)時(shí)變化。此時(shí)，即使如上所述那樣可將光刻處理后的光刻膠圖案適當(dāng)化，也難以使被處理膜的圖案按每個(gè)晶圓形成為規(guī)定尺寸。

本實(shí)用新型鑒于上述問題而完成，其目的在于使被處理膜的圖案按每個(gè)基板形成為規(guī)定尺寸。

為了達(dá)成上述目的，在本實(shí)用新型的觀點(diǎn)中，提供一種基板處理系統(tǒng)，對形成有被處理膜的基板進(jìn)行規(guī)定處理，并在該基板上的上述被處理膜形成規(guī)定的圖案，其包括：測量裝置，其對上述基板上的上述被處理膜的膜厚、上述被處理膜的折射率、上述被處理膜的吸收系數(shù)、或上述基板的翹曲量中的任一個(gè)進(jìn)行測量，來作為上述基板的初始條件；涂敷顯影處理裝置，其設(shè)置在上述測量裝置的下游側(cè)，并在上述測量裝置測量上述初始條件后，對上述基板進(jìn)行光刻處理，來在該基板的被處理膜上形成光刻膠圖案；蝕刻處理裝置，其設(shè)置在上述涂敷顯影處理裝置的下游側(cè)，并將上述光刻膠圖案作為掩模，將上述被處理膜蝕刻成規(guī)定的上述圖案；以及控制裝置，其分別控制上述測量裝置、上述涂敷顯影處理裝置和上述蝕刻處理裝置，并具有初始條件與被處理膜的圖案尺寸的第一關(guān)系、以及規(guī)定處理的處理?xiàng)l件與被處理膜的上述圖案尺寸的第二關(guān)系，上述控制裝置構(gòu)成為進(jìn)行如下控制：基于上述測量裝置中的上述初始條件的測量結(jié)果，根據(jù)上述第一關(guān)系，對蝕刻處理后的上述被處理膜的上述圖案尺寸進(jìn)行推定；基于上述圖案尺寸的推定結(jié)果，根據(jù)上述第二關(guān)系，對上述光刻處理或蝕刻處理中的規(guī)定處理的上述處理?xiàng)l件進(jìn)行修正。

發(fā)明人等研究得知，將基板連續(xù)處理，以在各基板的被處理膜形成圖案時(shí)，無法使被處理膜的圖案按每個(gè)基板形成為規(guī)定尺寸的原因在于：規(guī)定處理前的被處理膜的膜厚、或光的折射率(以下稱為“n值”)、及光的吸收系數(shù)(以下稱為“k值”)、或基板的翹曲量產(chǎn)生經(jīng)時(shí)變化。因此，根據(jù)本實(shí)用新型，首先，由于對規(guī)定處理前的被處理膜的膜厚、n值、k值、或基板的翹曲量的其中一個(gè)初始條件進(jìn)行測量，因此可從該初始條件的測量結(jié)果及第一關(guān)系，推定出規(guī)定處理后的被處理膜的圖案，并基于該圖案推定結(jié)果，可從第二關(guān)系求出規(guī)定處理的處理?xiàng)l件的修正值。然后，由于在基于該修正值對規(guī)定處理的處理?xiàng)l件進(jìn)行修正后，以經(jīng)修正的處理?xiàng)l件對基板進(jìn)行規(guī)定處理，所以能在基板上的被處理膜形成規(guī)定尺寸的圖案。因此，即使連續(xù)處理基板時(shí)，也能如上述那樣根據(jù)基板的初始條件而按每個(gè)基板修正規(guī)定處理的處理?xiàng)l件，可使被處理膜的圖案按每個(gè)基板形成為規(guī)定尺寸。

在上述觀點(diǎn)中，在上述控制裝置中修正上述處理?xiàng)l件的規(guī)定處理為，在上述涂敷顯影處理裝置中在曝光處理后且顯影處理前進(jìn)行的加熱處理。