[實用新型]基板處理系統

有效

• 申請號: 201920556638.1
• 申請日: 2019-04-23
• 公開（公告）號: CN209729870U
• 公開（公告）日: 2019-12-03
• 發明（設計）人: 田所真任;緒方久仁恵
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 11332 北京品源專利代理有限公司
• 代理人: 呂琳;樸秀玉<國際申請>=<國際公布>=

1.一種基板處理系統，對形成有被處理膜的基板進行規定處理，并在該基板上的所述被處理膜形成規定的圖案，其特征在于，包括：

測量裝置，其對所述基板上的所述被處理膜的膜厚、所述被處理膜的折射率、所述被處理膜的吸收系數、或所述基板的翹曲量中的任一個進行測量，來作為所述基板的初始條件；

涂敷顯影處理裝置，其設置在所述測量裝置的下游側，并在所述測量裝置測量所述初始條件后，對所述基板進行光刻處理，來在該基板的被處理膜上形成光刻膠圖案；

蝕刻處理裝置，其設置在所述涂敷顯影處理裝置的下游側，并將所述光刻膠圖案作為掩模，將所述被處理膜蝕刻成規定的所述圖案；以及

控制裝置，其分別控制所述測量裝置、所述涂敷顯影處理裝置和所述蝕刻處理裝置，并具有初始條件與被處理膜的圖案尺寸的第一關系、以及規定處理的處理條件與被處理膜的所述圖案尺寸的第二關系，

所述控制裝置構成為進行如下控制：

基于所述測量裝置中的所述初始條件的測量結果，根據所述第一關系，對蝕刻處理后的所述被處理膜的所述圖案尺寸進行推定；

基于所述圖案尺寸的推定結果，根據所述第二關系，對所述光刻處理或蝕刻處理中的規定處理的所述處理條件進行修正。

2.根據權利要求1所述的基板處理系統，其特征在于：

在所述控制裝置中修正所述處理條件的規定處理為，在所述涂敷顯影處理裝置中在曝光處理后且顯影處理前進行的加熱處理。

3.根據權利要求1所述的基板處理系統，其特征在于：

在所述控制裝置中修正所述處理條件的規定處理為，在所述涂敷顯影處理裝置中在光刻膠涂敷處理后且曝光處理前進行的加熱處理。

4.根據權利要求1所述的基板處理系統，其特征在于：

在所述控制裝置中修正所述處理條件的規定處理為，在所述蝕刻處理裝置中進行的蝕刻處理。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的基板處理系統，其特征在于，還包括：

圖案尺寸測量裝置，其設置在所述蝕刻處理裝置，并對在所述蝕刻處理裝置中形成的所述被處理膜的所述圖案尺寸進行測量，

所述控制裝置構成為，使用所述圖案尺寸測量裝置中的所述圖案尺寸的測量結果、以及所述測量裝置中的所述初始條件的所述測量結果，修正所述第一關系，使用所述圖案尺寸測量裝置中的所述圖案尺寸的所述測量結果、以及由所述控制裝置修正的規定處理的所述處理條件，修正所述第二關系。

6.根據權利要求1至4中任一項所述的基板處理系統，其特征在于：

所述第一關系為所述初始條件、與所述被處理膜的所述圖案尺寸和所述光刻膠圖案的尺寸的尺寸差的相關，

所述第二關系為規定處理的所述處理條件、與所述被處理膜的所述圖案尺寸和所述光刻膠圖案的尺寸的尺寸差的相關。

7.根據權利要求6所述的基板處理系統，其特征在于，還包括：

圖案尺寸測量裝置，其設置在所述蝕刻處理裝置，并對所述蝕刻處理裝置中形成的所述被處理膜的所述圖案尺寸進行測量：以及另一圖案尺寸測量裝置，其設置在所述涂敷顯影處理裝置，并對所述涂敷顯影處理裝置中形成的所述光刻膠圖案的尺寸進行測量，

所述控制裝置構成為：

使用所述圖案尺寸測量裝置中的所述被處理膜的所述圖案尺寸的測量結果與所述另一圖案尺寸測量裝置中的所述光刻膠圖案的尺寸的測量結果的尺寸差、以及所述測量裝置中的所述初始條件的所述測量結果，修正所述第一關系；

使用所述圖案尺寸測量裝置中的所述被處理膜的所述圖案尺寸的測量結果與所述另一圖案尺寸測量裝置中的所述光刻膠圖案的尺寸的測量結果的尺寸差、以及由所述控制裝置修正的規定處理的所述處理條件，修正所述第二關系。

8.根據權利要求1至4或7中任一項所述的基板處理系統，其特征在于：

在由所述測量裝置測量所述初始條件之前的基板上，還形成有所述被處理膜的基底膜，

所述初始條件為所述被處理膜及所述基底膜的膜厚、所述被處理膜及所述基底膜的折射率、所述被處理膜及所述基底膜的吸收系數、或所述基板的翹曲量中的任一個。