[實用新型]半導體封裝結構

有效

• 申請號: 201920490015.9
• 申請日: 2019-04-11
• 公開（公告）號: CN209561382U
• 公開（公告）日: 2019-10-29
• 發明（設計）人: 呂亮;劉文濤
• 申請（專利權）人: 上海思立微電子科技有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/498
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 張印鐸;李輝

本申請公開一種半導體封裝結構，包括：具有相對的第一表面和第二表面的半導體芯片；所述半導體芯片在所述第二表面設有焊盤；所述焊盤具有靠近所述第一表面的第三表面；所述半導體芯片在所述第一表面形成有容納腔，所述容納腔朝向所述焊盤延伸直至所述第三表面；與所述焊盤的第三表面直接接觸的焊球，所述焊球至少部分位于所述容納腔內。本申請所提供的半導體封裝結構，能減小封裝結構的總厚度，同時，降低制作成本，節約制作時間，提高工作效率。

技術領域

本申請涉及半導體技術領域，尤其涉及一種半導體封裝結構。

背景技術

本部分的描述僅提供與本申請公開相關的背景信息，而不構成現有技術。

BSI wafer(背照式硅晶圓)是一種常用的半導體芯片材料。由背照式硅晶圓制成的半導體芯片，焊盤設置在半導體芯片的背面。在封裝所述半導體芯片時通常采取基于TSV(Through Silicon Vias，穿過硅片通道)的技術。

TSV技術在硅刻蝕后，需要對半導體芯片進行金屬填孔或孔壁沉積金屬，然后進行RDL(重布線層)，最后再進行WB(引線鍵合)或植球的工藝。其中，采用金屬填孔3的半導體封裝結構如圖1所示，采用孔壁沉積金屬4的半導體封裝結構如圖2所示。金屬填孔3和孔壁沉積金屬4均是為了使引線鍵合或植球工藝中的焊球與所述焊盤形成電連接。

然而，由于進行引線鍵合或植球工藝時，需要將焊球置于半導體芯片的正面，導致此種封裝結構的厚度較大。并且制造此種封裝結構所需步驟繁雜，相應的材料成本和時間成本較高。

應該注意，上面對技術背景的介紹只是為了方便對本申請的技術方案進行清楚、完整的說明，并方便本領域技術人員的理解而闡述的。不能僅僅因為這些方案在本申請的背景技術部分進行了闡述而認為上述技術方案為本領域技術人員所公知。

實用新型內容

申請人研究發現，對于由BSI wafer制成的半導體芯片，TSV技術中需要進行金屬填孔或孔壁沉積金屬，其硅刻蝕的開窗尺寸與開窗的深度有關，對背景技術中所述半導體芯片進行硅刻蝕時，開窗尺寸不超過30×30um。且若增大開窗尺寸，進行金屬填孔或孔壁沉積金屬這一步驟的材料成本和時間成本將進一步增大。

鑒于現有技術的不足，本申請的目的是提供一種半導體封裝結構，以能夠至少解決以上問題之一。

為達到上述目的，本申請采用如下技術方案：

一種半導體封裝結構，包括：

具有相對的第一表面和第二表面的半導體芯片；所述半導體芯片在所述第二表面設有焊盤；所述焊盤具有靠近所述第一表面的第三表面；所述半導體芯片在所述第一表面形成有容納腔，所述容納腔朝向所述焊盤延伸直至所述第三表面；

與所述焊盤的第三表面直接接觸的焊球，所述焊球至少部分位于所述容納腔內。

作為一種優選的實施方式，所述容納腔至少部分與所述焊盤對齊。

作為一種優選的實施方式，所述焊盤的面積大于或等于所述容納腔的面積，所述焊盤的第三表面將所述容納腔的一側封堵。

作為一種優選的實施方式，相對于焊盤，在同一高度處，所述容納腔的尺寸大于或等于所述焊球的尺寸。

作為一種優選的實施方式，所述容納腔的截面為圓形，所述容納腔的直徑≥50um。

作為一種優選的實施方式，所述容納腔的截面為矩形，所述容納腔的邊長≥50um。

作為一種優選的實施方式，在所述半導體芯片厚度大于或等于所述焊球與焊盤的總厚度的情況下，所述焊球完全位于所述容納腔內，所述半導體封裝結構的厚度和所述半導體芯片的厚度相等。