[實用新型]半導體封裝結構有效
| 申請號： | 201920490015.9 | 申請日： | 2019-04-11 |
| 公開（公告）號： | CN209561382U | 公開（公告）日： | 2019-10-29 |
| 發明（設計）人： | 呂亮;劉文濤 | 申請（專利權）人： | 上海思立微電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/488 | 分類號： | H01L23/488;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 張印鐸;李輝 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 焊盤 半導體封裝結構 半導體芯片 第一表面 容納腔 第二表面 焊球 封裝結構 工作效率 減小 制作 申請 節約 延伸 | ||
1.一種半導體封裝結構，其特征在于，包括：
具有相對的第一表面和第二表面的半導體芯片；所述半導體芯片在所述第二表面設有焊盤；所述焊盤具有靠近所述第一表面的第三表面；所述半導體芯片在所述第一表面形成有容納腔，所述容納腔朝向所述焊盤延伸直至所述第三表面；
與所述焊盤的第三表面直接接觸的焊球，所述焊球至少部分位于所述容納腔內。
2.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述容納腔至少部分與所述焊盤對齊。
3.根據權利要求2所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述焊盤的面積大于或等于所述容納腔的面積，所述焊盤的第三表面將所述容納腔的一側封堵。
4.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，相對于焊盤，在同一高度處，所述容納腔的尺寸大于或等于所述焊球的尺寸。
5.根據權利要求4所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述容納腔的截面為圓形，所述容納腔的直徑≥50um。
6.根據權利要求4所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述容納腔的截面為矩形，所述容納腔的邊長≥50um。
7.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，在所述半導體芯片厚度大于或等于所述焊球與焊盤的總厚度的情況下，所述焊球完全位于所述容納腔內，所述半導體封裝結構的厚度和所述半導體芯片的厚度相等。
8.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，在所述半導體芯片厚度小于所述焊球與焊盤的總厚度的情況下，所述焊球部分位于所述容納腔內，所述半導體封裝結構的厚度和所述焊球與焊盤的總厚度相等。
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