[實(shí)用新型]一種大功率橋式整流器的引線框架結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201920484471.2
• 申請日: 2019-04-11
• 公開（公告）號: CN209592025U
• 公開（公告）日: 2019-11-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 夏鎮(zhèn)宇;何劉紅;王燕軍
• 申請（專利權(quán)）人: 敦南微電子（無錫）有限公司;上海旭福電子有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495
• 代理公司: 上海東亞專利商標(biāo)代理有限公司 31208
• 代理人: 羅習(xí)群;陳臻曄

本實(shí)用新型提供一種大功率橋式整流器的引線框架結(jié)構(gòu)。在陶瓷基板下面覆銅箔，上面的左邊自上至下豎向覆制條形銅箔，上面的右邊覆制反轉(zhuǎn)的L形銅箔，上面的中間，覆制二個互相嵌套的方脈沖形銅箔，在左邊條形銅箔上、下平行布設(shè)二個二極管芯片，并用二個橋接片分別架接二個二極管芯片和中間二個互相嵌套的方脈沖形銅箔，在中間二個互相嵌套的方脈沖形銅箔上，上、下平行布設(shè)二個二極管芯片，并用二個橋接片架接二個二極管芯片和右邊反轉(zhuǎn)的L形銅箔，再用四片引腳線，在覆銅陶基板下面，分別與左邊的條形銅箔、右邊的反轉(zhuǎn)L形銅箔以及中間二個互相嵌套的方脈沖形銅箔連接，然后用環(huán)氧樹脂注塑塑封覆銅基板上面，覆銅基板下面的覆銅層露在外面。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種大功率橋式整流器，特別涉及25-100A的單相橋式整流器。

背景技術(shù)

傳統(tǒng)的橋式整流器采用整體環(huán)氧樹脂包封結(jié)構(gòu)，如附圖11所示，其采用多個引線框架K1、K2、K3.....，二極管芯片直接布設(shè)于塑封體上，因環(huán)氧樹脂的導(dǎo)熱系數(shù)太小（約0.2W/mk），為保證絕緣性，需保留一定量的環(huán)氧樹脂厚度，導(dǎo)致器件內(nèi)部芯片產(chǎn)生的熱量不能很有效散出，而芯片能承受的溫度有限（約150-175℃），這樣就限制了橋式整流器的輸出功率。

發(fā)明內(nèi)容

針對上述傳統(tǒng)橋式整流器存在的散熱方面的問題，本實(shí)用新型提供一種大功率橋式整流器的引線框架結(jié)構(gòu)。在陶瓷基板下面覆銅箔，上面的左邊自上至下豎向覆制條形銅箔，上面的右邊覆制反轉(zhuǎn)的L形銅箔，上面的中間，覆制二個互相嵌套的方脈沖形銅箔，在左邊條形銅箔上、下平行布設(shè)二個二極管芯片，并用二個橋接片分別架接二個二極管芯片和中間二個互相嵌套的方脈沖形銅箔，在中間二個互相嵌套的方脈沖形銅箔上，上、下平行布設(shè)二個二極管芯片，并用二個橋接片架接二個二極管芯片和右邊反轉(zhuǎn)的L形銅箔，再用四片引腳線，在覆銅陶基板下面，分別與左邊的條形銅箔、右邊的反轉(zhuǎn)L形銅箔以及中間二個互相嵌套的方脈沖形銅箔連接，然后用環(huán)氧樹脂注塑塑封覆銅基板上面，覆銅基板下面的覆銅層露在外面。

所述橋接片為Ω形。

所述環(huán)氧樹脂注塑塑封覆銅基板的長寬尺寸范圍為20~30mm。

所述環(huán)氧樹脂注塑塑封體厚度尺寸范圍為3~5mm。

所述覆銅陶瓷基板厚度范圍為0.8~1.5mm。

本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是：突破傳統(tǒng)橋堆設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，利用陶瓷的高導(dǎo)熱性能(導(dǎo)熱系數(shù)約30W/mk)，使產(chǎn)品內(nèi)部的熱量可以透過外露的散熱片更容易且更順暢的散出去，極大的提高了產(chǎn)品的散熱性能，產(chǎn)品的輸出功率（電流）可提升到100A。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型覆銅陶瓷基板正面覆銅箔電路結(jié)構(gòu)圖

圖2是本實(shí)用新型覆銅陶瓷基板反面覆銅箔的平面圖

圖3是在圖1的覆銅箔電路上布設(shè)二極管芯片、橋接片、引腳線圖

圖4是圖3的側(cè)視剖視圖

圖5是圖3的反面示意圖

圖6是圖3的正面截面視圖

圖7是塑封后產(chǎn)品正面的示意圖

圖8是圖7的側(cè)視圖

圖9是橋接片平面圖

圖10是引腳線平面圖

圖11是現(xiàn)有橋式整流器引線框架結(jié)構(gòu)截面圖

圖中標(biāo)號說明：