[實用新型]一種體聲波諧振器及其通信器件

有效

• 申請號: 201920474309.2
• 申請日: 2019-04-10
• 公開（公告）號: CN209710062U
• 公開（公告）日: 2019-11-29
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 嘉興宏藍電子技術有限公司
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02
• 代理公司: 11226 北京中知法苑知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 李明<國際申請>=<國際公布>=<進入國

本實用新型涉及無線通信射頻前端器件技術領域，提供了一種體聲波諧振器及其通信器件，該體聲波諧振器包括：硅基板，設置于硅基板上的空腔；設置于硅基板上且覆蓋空腔的上方的底電極，設置于底電極上的壓電材料層，設置于壓電材料層上的頂電極，底電極與硅基板之間設置溫度補償單元，溫度補償單元包括設置于底電極與硅基板之間第一溫度補償層與設置于空腔中的第二溫度補償層。上述體聲波諧振器及通信器件，通過在底電極與硅基板之間設置溫度補償單元，并將溫度補償層設置于空腔中，能夠降低由于溫度補償層而導致的制造工藝的難度的增大并提高諧振器的溫度特性，進而提高諧振器的性能與可靠性。

技術領域

本實用新型涉及無線通信射頻前端器件技術領域，特別是涉及一種體聲波諧振器及通信器件

背景技術

近來，隨著通信技術的快速發展，已經需要用于在通信裝置中使用的射頻 (RF)組件技術以及信號處理技術的進一步發展。尤其是，隨著朝向無線通信裝置的小型化的趨勢，也已經需要RF組件的小型化技術。例如，通過利用半導體薄膜晶圓制造技術來制造體聲波(BAW)諧振器類型的諧振器已經實現了諧振器的小型化。

BAW諧振器是包括沉積在諸如硅晶圓的半導體基板上的壓電介電材料的薄膜類型元件。BAW諧振器利用壓電介電材料的壓電特性來產生諧振，并且可實現為諧振器。BAW諧振器可用在諸如移動通信裝置、化學裝置或生物裝置的小且輕的諧振器、振蕩器、諧振元件或聲共振質量傳感器的應用中。

目前，已經研究了用于增強BAW諧振器的特性的各種結構形狀和功能，尤其是已經進行了用于減小由于溫度變化而導致的裝置特性變化的結構和技術的研究，然后，溫度補償層的引入會導致制造工藝難度增大，且諧振器的溫度特性有待進一步改善。

實用新型內容

本實用新型的目的在于克服現有技術所存在的不足而提供一種體聲波諧振器及通信器件，通過在底電極與硅基板之間設置溫度補償單元，并將溫度補償層設置于空腔中，能夠降低由于溫度補償層而導致的制造工藝的難度的增大并提高諧振器的溫度特性，進而提高諧振器的性能與可靠性。

為實現上述目的，本實用新型采用如下技術方案：

一種體聲波諧振器，該體聲波諧振器包括：硅基板，設置于硅基板上的空腔；設置于硅基板上且覆蓋空腔的上方的底電極，設置于底電極上的壓電材料層，設置于壓電材料層上的頂電極，底電極與硅基板之間設置溫度補償單元，溫度補償單元包括設置于底電極與硅基板之間第一溫度補償層與設置于空腔中的第二溫度補償層。

進一步的，空腔的上端設置第一臺階，第二溫度補償層的兩端容置于第一臺階中。

進一步的，第一溫度補償層設置于第二溫度補償層的上方，第一溫度補償層的長度大于第二溫度補償層的長度。

進一步的，第一溫度補償層設置于底電極的容置槽中。

進一步的，空腔的上端還設置第二臺階，第二臺階設置于第一臺階的下方。

進一步的，還包括第三溫度補償層，第三溫度補償層的兩端容置于第二臺階中。

進一步的，第三溫度補償層設置于第二溫度補償層的下方，第三溫度補償層的長度小于第二溫度補償層的長度。

進一步的，第一溫度補償層、第二溫度補償層與第三溫度補償層的材質相同。

本實用新型還提出一種通信器件，包括本實用新型所提出的體聲波諧振器。

相比于現有技術，本實用新型具有如下技術效果：